• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2007.05a
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• pp.21.1-21.1
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• 2007

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.60-60
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• 2003

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2005.05a
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• pp.49-49
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• 2005

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1999.05a
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• pp.118-118
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• 1999

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2006.11a
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• pp.20.1-20.1
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• 2006

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2004.05a
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• pp.89-89
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• 2004

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2004.05a
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• pp.64-64
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• 2004

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.85-85
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• 2007

최근 귀금속중의 하나인 Ruthenium(Ru)은 높은 일함수, 누설전류에 대한 높은 저항성등의 톡성으로 인해 캐패시터의 하부전극으로 각광받고 있다. 하부전극으로 증착된 Ru은 일반적으로 각 캐패시터의 분리와 평탄화를 위해 건식식각이 이루어진다. 하지만, 건식식각 공정중 유독한 $RUO_4$ 가스가 발생할 수 있으며, 불균일한 캐패시터 표면을 유발할 수 있다. 이러한 문제점들을 해결하기 위해 CMP 공정이 필요하게 되었다. 하지만, Ru은 화학적으로 매우 안정하기 때문에 Ru CMP 슬러리에 대한 연구가 필요하게 되었으며, 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 Ru CMP 공정에서 Chemical A가 에칭제 및 산화제로 사용된 슬러리의 pH 변화와 pH 적정제에 따른 영향을 살펴보았다. Ru wafer를 이용하여 static etch rate, passivation film thickness와 wettability를 pH와 pH 적정제에 따라 비교해 보았다. 또한, pH 적정제로 $NH_4OH$와 TMAH를 이용하여 pH별 슬러리를 제작하고 CMP 공정을 실시하여 Ru의 removal rate을 측정하였다. $NH_4OH$와 TMAH의 경우 각각 130. 100 nm/min의 연마율이 측정된 pH 6에서 가장 높은 연마률을 보였으며, TMAH의 경우가 pH 전 구간에서 $NH_4OH$에 비해 낮은 연마율이 측정되었다. TEOS 에 대한 Ru의 선택비를 측정해 본 결과, $NH_4OH$의 경우 pH 8~9. TMAH의 경우 pH 6~7에서 높은 selectivity를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.41-42
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• 2006

LTCC 공정의 안정화를 위한 기본적인 공정인 분산의 최적화를 위하여 상용 LTCC 분말인 MLS-22(NEG, Japan)를 이용하여 다양한 평가 방법으로 분산성을 평가하였다. 분산제의 종류와 함량을 조절하여 슬러리의 점도, 표면 거칠기, 코팅된 슬러리의 표면 미세구조를 측정하였다. SN-dispersant 9228 분산제를 사용한 경우 0.4wt%첨가되었을 때 최적의 분산 특성을 얻을 수 있었으며 각 평가 방법은 잘 일치하는 분산의 평가 경향을 나타내었다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.16 no.6
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• pp.465-470
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• 2003

The chemical mechanical polishing (CMP) process has been widely used for the global planarization of multi-layer structures in semiconductor manufacturing. The CMP process can be optimized by several parameters such as equipment, consumables (pad, backing film and slurry), process variables and post-CMP cleaning. However, the COO(cost of ownership) is very high, because of high consumable cost. Especially, among the consumables, the slurry dominates more than 40 %. In this paper, we have studied the CMP characteristics of diluted silica slurry by adding of raw alumina abrasives and annealed alumina abrasives. As an experimental result, we obtained the comparable slurry characteristics compared with original silica slurry in the view-point of high removal rate and low non-uniformity. Therefore, we can reduce the cost of consumables(COC) of CMP process for ULSI applications.