Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.449-449
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2010
유기발광소자(organic light-emitting diodes, OLEDs)는 저공정비용, 경량화, 가용성 및 대면적화 등의 장점으로 조명 분야와 디스플레이 분야로의 응용 가능성으로 인해 크게 주목을 받아 왔다. 이러한 OLED 소자의 고효율, 고휘도 및 저소비전력 등을 구현하기 위해서는 전극으로부터 전하 주입 층으로 효율적인 전하 주입이 요구된다. 즉, 각 전극의 폐르미 준위로부터 전하 전도준위대로의 전하주입 장벽이 없어야 한다. 본 연구에서는 홀 주입장벽이 없는 정공주입 층으로 $MoO_x$(molybdenum oxide)가 도핑된 NPB(N, N'-diphenyl-N, N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine) 층을 사용하여 hole-only 소자를 제작하고 전류-전압 특성을 통해 양극으로부터 홀주입 층으로의 hole-ohmic 특성을 고찰했다. 또한, 전자 주입장벽이 없는 전자주입 층으로 $C_{60}$(fullerene)/LiF(lithum fluoride)의 이종 층을 사용하여 electron-only 소자를 제작하고 음극으로부터 전자주입 층으로의 전자 ohmic 특성을 조사했다. 또한, 전극으로부터 전하주입 층으로 ohmic 특성을 더 자세히 이해하기 위하여 전하주입 층의 자외선 광방출 스펙트럼(ultraviolet photoemission spectra)을 조사했다. 한편, glass/ITO/$MoO_x$-doped NPB (x%: x=0,25, 50 및 75; 5nm)/NPB (63nm)/$Alq_3$ (37nm)/$C_{60}$ (5nm)/LiF (1nm)/Al (100nm)로 구성된 all-ohmic OLED 소자의 발광특성은 $MoO_x$의 도핑 농도가 25%이상일 때 최적의 특성을 보여줬다. 이러한 현상은 정공주입 층에서 p형 도핑 농도의 증가에 따른 정공 농도의 증가에 기인한다. 또한 $MoO_x$의 도핑 농도의 증가에 따라 정공주입 층의 new gap state와 전극의 페르미 준위의 pinning에 기인한다. 25%의 $MoO_x$을 가진 OLED소자는 7.2V의 낮은 전압에서 $58300 cd/m^2$의 높은 휘도를 보여줬다.
Kim, Ki-Jeong;Yang, Se-Na;Park, Young-Chan;Lee, Han-Koo;Kim, Bong-Soo;Lee, Han-Gil
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.20
no.4
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pp.252-257
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2011
The ring formation and electronic properties of furan adsorbed on graphene layers grown on 6H-SiC (0001) has been investigated using atomic force microscopy (AFM), near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectra for the C K-edge, and core level photoemission spectroscopy (CLPES). Moreover, we observed that furan molecules adsorbed on graphene could be used for chemical functionalization via the lone pair electrons of the oxygen group, allowing chemical doping. We also found that furan spontaneously form rings with one of three different bonding configurations and the electronic properties of the ring formed by furan on graphene can be described using by AFM, NEXAFS and CLPES, respectively.
In this paper, we propose a Markovian queueing model(M/M/1)-based call admission control to reduce forced terminating rate of non-real secondary user's call for Multi-services Cognitive Radio Networks. A existing control has a problem that the forced terminating rate increases because of adopting a policy of spectrum priority allocation to real calls. In our scheme the rate can be reduced as the call that has no useful spectrum waits in a queue until getting an available spectrum. Our scheme use a neural-net based prediction of primary user's reappearance. Through the simulation, we analysis the call forced terminating rate, access delay and spectrum utilization efficiency, and then show that our scheme can more reduce the forced terminating rate of the call, compared to that of the existing algorithm.
Seo, Yong-Gon;Baek, Gwang-Hyeon;Yun, Hyeong-Do;O, Gyeong-Hwan;Hwang, Seong-Min
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.148-148
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2011
일반적으로 LED 제작에 사용되는 c-plane GaN는 c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받게 된다. 분극은 LED내 양자우물의 밴드를 기울게 하여 그 결과 전자와 홀의 재결합 확률을 감소시켜 낮은 내부양자효율을 가지게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위한 여러 가지 방법들이 제시되었는데 그 중에서도 특히 a-plane 혹은 m-plane면과 같은 무분극 면을 사용하는 GaN LED가 주목받고 있다. 그 이유는 무분극 면은 분극이 발생하는 c축과 수직이기 때문에 분극의 영향을 받지 않아 높은 내부 양자효율을 가질수 있다. 본 연구에서는 MOCVD 장비를 사용하여 2인치 r-plane 사파이어 기판위에 3um두께의 a-plane GaN을 성장하였다. 그위에 2um정도로 Si을 도핑하여 n-type GaN 형성한후 단일 양자우물, 그리고 Mg을 도핑하여 p-type GaN을 성장하였다. 장파장대역의 a-plane LED의 특성을 알아보기 위해서 양자우물 형성시 In의 조성비를 높였다. 일반적인 포토리소그래피 공정과 Dry etching 공정을 사용하여 메사구조를 형성하였으며 Ti/Al/Pt/Au와 Ni/Au를 각각 n-type과 p-type의 전극 물질로 사용하였다. 제작된 LED의 특성을 파악하기 위해서 인가전류를 0부터 100mA까지 출력 스펙트럼을 측정하였으며 orange대역의 파장을 갖는 LED를 얻었다. 인가전류별 Peak 파장의 변화와 반측폭의 변화를 파악하여 장파장 대역의 a-plane LED의 특성을 확인하였다.
By investigating photoluminescence (PL) spectra (20 K) of undoped and Be-doped p-type GaSb/GaAs epilayers, the origin has been analyzed by the change due to doping density. We have observed that the PL peak shifts to higher energy and the full-width half-maximum (FWHM) decreases with increasing the doping density below ${\sim}10^{17}cm^{-3}$, contrasted to shift to low energy and increasing FWHM above the density of ${\sim}10^{17}cm^{-3}$. From the variation of the integrated PL intensities of three peaks dissolved by Gaussian fit, it has been analyzed that, as the density increases, the $Be[Be_{Ga}]$ acceptor level (0.794 eV) reduces, whereas the intrinsic defect of $A[Ga_{Sb}]$ (0.778 eV) enhances together with a new $Be^*$ level (0.787 eV) locating between A and Be. We have discussed that it is due to coexistence of the Be acceptor level (${\Delta}E=16meV$) and the complex level (${\Delta}E=23meV$), $Be^*[Ga_{Sb}-Be_{Ga}]$combined by Be and A, in Be-doped p-GaSb, and that the level density of $Be[Be_{Ga}]$ may be reduced above ${\sim}10^{17}cm^{-3}$.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.11
no.3
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pp.61-66
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2011
Cooperative Communication using relays which include network separated into fixed cooperative relaying and incremental cooperative relaying defending on method receiving signal from a source. If some nodes included network is Primary user ad source and destination, another is Secondary user as relay, The nodes included network excepting source can help PU transmit signal. In the case of all of SU playing a role as relay, destination can get diversity gain, but useless time slot is consumed for transmitting signal. So in this paper, we analysis cooperative relaying which a node succeeding to sense primary signal send signal to destination. We use matlab simulation tool and consider AF, DF, fixed relaying, incremental relaying
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.37A
no.9
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pp.762-771
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2012
In this paper, we propose an adaptive power control scheme employing a self-optimization concept in femtocell systems, in order to improve system capacity, thereby reducing call-drop probability. In the proposed scheme, each femto base station(FBS) controls individual channel's transmission power base on two parameters; the neighboring cell's transmission power for each individual channel which is delivered from a femto-gateway and the received power strength from neighboring cells which is periodically measured by means of a spectrum sensing. Adaptive adjustment of individual channel's transmission power in accordance with femto mobile station(FMS) mobility features can also reduce undesirable handovers and evenly distribute traffic load over all femtocells. In addition, the manipulative control of channel's transmission power is able to keep the system coverage and the call-drop probability within an acceptable range, regardless of density of femtocells. Computer simulation shows that the proposed scheme outperforms existing schemes in terms of the system coverage and the call-drop probability.
The leakage of water under sewer pipelines is one of main sources of sinkholes in urban areas. We performed laboratory model tests to investigate the presence of cavities using impact-echo method, which is a nondestructive test method. To simulate a concrete sewer pipe, a thin concrete plate was built and placed over container filled with sand. The cavity was modeled as an extruded polystyrene foam box. Two sets of tests were performed, one over sand and the other on cavity. A new impact device was developed to apply a consistent high frequency impact load on the concrete plate, thereby increasing the reliability of the test procedure. The frequency and transient characteristics of the measured reflected waveforms were analyzed via fast Fourier transform and short time Fourier spectrum. It was shown that the shapes of Fourier spectra are very similar to one another, and therefore cannot be used to predict the presence of cavity. A new index, termed resonance duration, is defined to record the time of vibration exceeding a prescribed intensity. The results showed that the resonance duration is a more effective parameter for predicting the presence of a cavity. A value of the resonance period was proposed to estimate the presence of cavity. Further studies using various soil types and field tests are warranted to validate the proposed approach.
The study on the atomic structure of iron-bearing silicate glasses has significant geological implications for both diverse igneous processes on Earth surface and ultra-low velocity zones at the core-mantle boundary. Here, we report experimental results on the effect of iron content on the atomic structure in iron-bearing alkali silicate glasses ($Na_2O-Fe_2O_3-SiO_2$ glasses, up to 16.07 wt% $Fe_2O_3$) using $^{29}Si$ and $^{17}O$ solid-state NMR spectroscopy. $^{29}Si$ spin-lattice ($T_1$) relaxation time for the glasses decreases with increasing iron content due to an enhanced interaction between nuclear spin and unpaired electron in iron. $^{29}Si$ MAS NMR spectra for the glasses show a decrease in signal intensity and an increase in peak width with increasing iron content. However, the heterogeneous peak broa-dening in $^{29}Si$ MAS NMR spectra suggests the heterogeneous distribution of $Q^n$ species around iron in iron-bearing silicate glasses. While nonbridging oxygen ($Na-O-Si$) and bridging oxygen (Si-O-Si) peaks are partially resolved in $^{17}O$ MAS NMR spectrum for iron-free silicate glass, it is difficult to distinguish the oxygen clusters in iron-bearing silicate glass. The Lorentzian peak shape for $^{29}Si$ and $^{17}O$ MAS NMR spectra may reflect life-time broadening due to spin-electron interaction. These results demonstrate that solid-state NMR can be an effective probe of the detailed structure in iron-bearing silicate glasses.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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