• Title/Summary/Keyword: 손실저항

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Comparative Analysis of Power Losses According to Operation Method of HB Inverter for Nonmagnetic Induction Heating (비자성체 유도가열을 위한 HB 공진형 인버터 운전 방법에 따른 손실 비교 분석)

  • Lee, Jae Han;Kim, Min Cheol;Jang, Eun Su;Park, Sang Min;Joo, Dongmyoung;Lee, Byoung Kuk
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2017.11a
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    • pp.131-132
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    • 2017
  • 본 논문은 자성체 및 비자성체 용기 모두 가열이 가능한 All Metal Induction Cooker의 전력변환장치의 운전 방식에 따른 손실을 비교 분석한다. 용기 재질 별로 다른 비저항 및 비투자율을 보상하기 위한 각각의 방식에 따라 Induction Cooker의 공진 네트워크를 설계하고 시뮬레이션을 통해 시스템의 손실을 비교 및 분석한다.

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Analysis on The Wave Propagation Using Ray-Tracing Method (Ray-tracing기법을 이용한 전파전파분석)

  • Lee, Kang-Mi;Kim, Baek-Hyun;Shin, Kyung-Ho
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2010.11a
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    • pp.363-366
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    • 2010
  • 본 논문에서는 원형구조의 전파환경을 위한 경로손실을 다각형모델링과 수학적 모델링을 통해 분석하였다. 원형의 통신환경은 비교적 좁은 반경에 곡률이 거의 없고, 내부는 공기저항을 고려한 감압상태로 Ray-tracing 기법은 원형이라는 구조적 특징을 완벽히 적용하는데 문제가 있기 때문에 원에 가까운 다각형을 모델링하였다. 다각형 모델링 방법와 수학적 방법의 전파손실분석결과 반사횟수와 관계없이 유사한 전파손실성능을 확인하였다. 본 논문은 무선을 이용한 튜브 즉, 원형의 철도운영환경도 고려되고 있는 시점에서, 기존의 철도환경과 다른 환경에 대한 무선환경분석을 위한 기초자료로 사용될 수 있을 것이다.

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전력케이블의 절연열화 및 수명예측기술

  • 조연옥;류희석
    • 전기의세계
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    • v.37 no.10
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    • pp.25-30
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    • 1988
  • 전력케이블의 절연특성은 케이블에 인가되는 stress의 종류에 따라 교류.직류.충격전압등에 대한 내전압특성과 유전율.유전정접.누설저항등의 변화로 나타나는 손실 특성으로 대별할 수 있다. 이 가운데 전력케이블의 사용여부를 판정하는 기준은 주로 내전압특성이 되기 때문에 내전압특성의 변화 원인 및 사용조건에 따른 변화경향을 개략한다.

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Characteristics Analysis of Semiconducting Layer in Cable Transformer (케이블 변압기용 케이블의 반도전층 특성에 관한 연구)

  • Bae, B.H.;Woo, J.S.;Kim, H.I.;Park, S.J.;Kwon, Y.A.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2004.10a
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    • pp.95-97
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    • 2004
  • 케이블 변압기용 케이블에는 반도전층이 설치되며 권선의 각 턴에 대하여 외측 반도층을 접지함으로써 권선에 과다 전계가 인가될 때 이로 인한 전압 스트레스를 막아주는 역할을 한다. 따라서 케이블 변압기에서는 변압기 용량에 따라 이 반도전층의 저항률과 두께 등을 적절히 선정하는 것이 매우 중요하다. 케이블 권선에서 반도전층의 높은 저항률은 두 개의 접지점 사이의 반도전층에서 높은 전계분포를 발생시키고, 낮은 저항률은 반도전층에서 높은 전력손실을 발생시킨다. 본 논문에서는 해석하고자 하늘 모델에 FEM 해석을 적용하고, 반도전층 두께에 따른 특성해석을 수행한다.

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Study on Equivalent Input Resistance of N-Phase Diode Detector. (검파회로의 입력등가저항에 관한 연구)

  • 김양모;이충웅
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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    • v.12 no.3
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    • pp.26-29
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    • 1975
  • In this paper, the input equivalent resistances of the n phase-diode average and envelope detection. circuits for the sinusoidal signal waveforms are analytically derived from the power loss in their load resistances, and the input equivalent resistance of the n phase-diode envelope detection circuits for the arbitrary signal waveforms is also obtained from the same physical conception.

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Resistance Factor Calculation of Driven Piles of Long Span Bridges (장대교량 타입말뚝에 대한 저항계수 산정)

  • Kim, Dong-Wook;Park, Jae-Hyun;Lee, Joon-Yong;Kwak, Ki-Seok
    • Journal of the Korean Geotechnical Society
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    • v.29 no.4
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    • pp.57-65
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    • 2013
  • Assessment of uncertainties of loads and resistances is prerequisite for the development of load and resistance factor design (LRFD). Many previous studies related to resistance factor calculations of piles were conducted for short or medium span bridges (span lengths less than 200m) reflecting the live load uncertainty for ordinary span bridges. In this study, by using a revised live load model and its uncertainty for long span bridges (span lengths longer than 200m and shorter than 1500m), resistance factors are recalibrated. For the estimation of nominal pile capacity (both base and shaft capacities), the Imperial College Pile (ICP) design method is used. For clayey and sandy foundation, uncertainty of resistance is assessed based on the ICP database. As long span bridges are typically considered as more important structures than short or medium span bridges, higher target reliability indices are assigned in the reliability analysis. Finally, resistance factors are calculated and proposed for the use of LRFD of driven piles for ordinary span and long span bridges.

Transient characteristics of flux-coupling type SFCL according to fault type (자속결합을 이용한 초전도 한류기의 사고 유형별 과도특성 해석)

  • Jung, Byung-Ik;Choi, Hyo-Sang;Cho, Yong-Sun;Ha, Kyung-Hun;Choe, Su-Geun;Go, Sung-Pil
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.2154-2155
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    • 2011
  • 국내의 전력계통은 송전거리가 짧고, 전력공급의 신뢰도 및 안정도 향상을 위해서 망상구조로 되어있다. 이러한 구조는 사고시 임피던스 저하로 인해 사고전류의 크기가 차단기 차단내력을 초과하게 된다. 또한 전력수요 증가로 인해 사고전류의 크기는 계속 증가하고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 배전계통의 장비 및 대용량 보호 기기로의 교체나 모선 분리 등의 방법을 실시하고 있지만 평사시 계통에 미치는 영향과 손실 발생에 따른 효율저하, 대용량 차단기로의 교체에 따른 경제적인 문제를 수반하게 된다. 이러한 문제점을 효과적으로 해결하기 위해 초전도 한류기가 고안되었다. 본 연구에서는 변압기와 초전도 소자를 이용한 자속 결합형 초전도 한류기의 3상 사고전류제한 실험을 수행하였다. 자속 결합형 초전도 한류기는 평상시 정상 상태에서는 초전도 소자가 저항을 발생시키지 않고, 1, 2차 리액터에서 발생하는 자속은 서로 상쇄되어 전압이 유기되지 않음으로써 아무런 손실 없이 동작한다. 하지만 계통에서 사고가 발생하여 초전도 소자 임계 전류값 이상의 사고전류가 유입되면 초전도 소자가 ��치되어 저항을 발생하게 된다. 또한 병렬로 연결된 2차측 리액터에 사고 전류가 bypass되어 1, 2차 리액터에서 전압이 유기되고 이에 따라 안정적으로 사고전류를 제한하게 된다.

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The Design of Image Rejection Mixer (이미지 제거 혼합기의 설계)

  • Kang, Eun Kyun;Jeon, Hyung Jun
    • Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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    • v.54 no.5
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    • pp.123-127
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    • 2017
  • This paper fabricated and analyzed the image rejection mixer that uses FET's channel resistance. It can be applied for capacity 64QAM that has 50MHz~90MHz of IF band, 8.17GHz of LO frequency and 8.08~8.12GHz of RF band. When IF input power is -20dBm and LO input power is 10dBm, RF output power is obtained -33.2dBm. In this case, conversion loss is 12.9dB, the suppression of 14.3dB for LO frequency and 10.4dB for image frequency. The result of two tone test shows great IMD characteristics with 51.7dBc.

Fabrication of high-quality silicon wafers by gettering process (Gettering을 이용한 태양전지용 고품위 실리콘 기판 제작)

  • Park, Hyo-Min;Tark, Sung-Ju;Kang, Min-Gu;Park, Sung-Eun;Lee, Seung-Hun;Kim, Dong-Whan
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.11a
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    • pp.366-366
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    • 2009
  • 후면접합 태양전지는 상용 태양전지의 수평전류 손실(lateral current loss) 이 없으며, 전면전극에 의해 발생하는 그림자 손실(shading loss) 줄인 고효율 태양전지의 하나이다. 생성된 반송자가 후면에 위치한 전극에서 수집되기 때문에 효율향상을 위해서는 불순물에 의한 재결합을 줄이는 것이 중요하다. 따라서 Gettering 은 높은 소수반송자 수명(life-time)을 가지는 고품위 실리콘 기판은 고효율 실리콘태양전지 제작을 위한 중요 요소 기술이다. 본 연구에서는 n-type c-Si 기판을 이용한 고효율 실리콘 이종접합 태양전지제작을 위해 external gettering 공정을 이용하여 고품위 실리콘 기판을 제작하였다. POC13 doping process 의 온도, 시간을 변화시킴으로써 이에 따른 변화를 관찰하였다. 주사전자현미경(SEM)를 통해 etch pit 을 확인 했으며,Four point probe 를 통해 면저항을 측정, 인(P)의 농도를 계산 하였다. 계산된 면저항을 통해 인(P)의 확산 깊이를 계산하였다. Iodine passivation 된 시편을 Qusi-steady state photoconductance (QSSPC)를 이용하여 소수반송자 수명을 측정함으로써 gettering 에 의한 bulk lifetime 향상 효과를 관찰하였다.

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