• 제목/요약/키워드: 속도 반폭

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SMAC법에 의한 2차원 자유분류의 수치해석 (NUMERICAL ANALYSIS FOR 2-D FREE JET FLOW BY SMAC SCHEME)

  • 정세훈;안영준;신병록
    • 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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    • 한국전산유체공학회 2009년 춘계학술대회논문집
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    • pp.298-302
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    • 2009
  • Numerical analysis of two dimensional incompressible laminar free jet flow was carried out by using finite difference SMAC scheme. Flow characteristics of free jet flow such as jet width, similarity of jet velocity and hypothetical origin were investigated for different Reynolds numbers of Re=30 and 100. The reliability of predictions were confirmed by comparison with exact solution. Non-dimensional velocity distribution showed similarity of jet flow velocity after initial region. In the region of laminar flow, the location of hypothetical origin becomes more distant with Reynolds number.

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칩 스택 패키지에 적용을 위한 Rotating Disc Electrode의 회전속도에 따른 Cu Via Filling 특성 분석 (Cu Via-Filling Characteristics with Rotating-Speed Variation of the Rotating Disc Electrode for Chip-stack-package Applications)

  • 이광용;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제14권3호
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    • pp.65-71
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    • 2007
  • 칩 스택 패키지에 적용을 위해 폭 $75{\sim}10\;{\mu}m$, 길이 3mm의 트랜치 비아에 대해 도금전류밀도 및 rotating disc electrode(RDE)의 회전속도에 따른 Cu filling 특성을 분석하였다. RDE 속도가 증가함에 따라 트랜치 비아의 Cu filling 특성이 향상되었다. 트랜치 비아의 반폭 길이, 즉 트랜치 비아 폭의 1/2 길이와 이 트랜치 비아에 대해 95% 이상의 Cu filling 비를 얻기 위한 RDE 최소속도 사이에는 Nernst 관계식이 성립하여, 95%이상의 Cu filling비를 얻을 수 있는 최소 트랜치 비아의 반폭 길이는 RDE 속도의 제곱근의 역수에 직선적으로 비례하였다.

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삼차원(三次元) 수분류(水噴流)의 충돌(衝突) 압력(壓力) 분포(分布) 특성(特性)에 관(關)한 연구(硏究) (A Study on the Characteristic of Impinging Pressure Distribution in the Three Dimensional Impinging Water Jet)

  • 이종수;최국광
    • 태양에너지
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    • 제18권3호
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    • pp.217-228
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    • 1998
  • 축류비가 5이고 형상비가 7인 장방형(長方形) 노즐을 사용하여 연직 상향의 3차원 자유 충돌 수분류계를 구성하였다. 수평 충돌판에 상향의 장방형 충돌수분류가 충돌할 때, 보조수를 동반하지 않은 단일수분류 및 보조수를 동반하는 수분류에 대하여 노즐-충돌판 사이의 거리, 노즐출구 속도를 변수로하여 노즐의 긴변 방향과 짧은 변 방향에 대하여 전압 및 정압 분포를 측정하였다. 이때 충돌판상에서 정압이 영이 되는 국소 위치까지의 거리인 충돌 반폭을 구하고, 최고 압력을 나타내는 정체점을 기준으로 무차원 정압 분포식을 제시하였다. 또한 각 실험조건에서 정체점상에서의 충돌속도를 구하였으며, 충돌속도는 노즐-전열면간 거리가 증가함에 따라 감소하며 그 감쇄율은 삼차원 자유 분류의 특성감쇄 영역의 유동 특성을 갖는다.

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톱니형 휜이 부착된 원주의 근접후류특성 연구 (II) - 시간평균 유동장 비교 - (Characteristics of Near Wake Behind a Circular Cylinder with Serrated Fins (II) - Comparison of Time Mean Flow Fields- -)

  • 류병남;김경천;부정숙
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제26권8호
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    • pp.1191-1200
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    • 2002
  • The measurements of velocity vectors are made in the near wake(X/d=5.0) of a circular cylinder with serrated fins. Velocity of fluid which flow through fins decreases as increasing fin height and freestream velocity and decreasing fin pitch. Therefore the velocity distribution at X/d=0.0 has lower gradient with increasing freestream velocity and fin height and decreasing fin pitch. The discontinuity of the streamwise velocity gradient is observed near the fin edge and causes significant changes in V-component velocity distribution in the near wake. This change attributes to the differences in Strouhal number and entraintment flow behavior. Increased turbulent intensity around a circular cylinder due to the serrated fins and entrainment flow are important factors for the recovery of velocity defect. The widths of velocity and turbulent intensity distribution of fin tubes are wider than those of a circular cylinder. The normalized velocity and turbulent intensity distributions with a hydraulic diameter which is proposed in this paper are in closer agreement with those of a circular cylinder.

Hot wall epitaxy법에 의한 MgGa2Se4 단결정 박막 성장과 광학적 특성 (Growth and optical properties for MgGa2Se4 single crystal thin film by hot wall epitaxy)

  • 문종대;홍광준
    • 한국결정성장학회지
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    • 제21권3호
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    • pp.99-104
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    • 2011
  • 단결정 성장을 위한 $MgGa_2Se_4$ 다결정은 수평 전기로에서 합성하였으며, 결정구조는 rhombohedral이고 격자상수 $a_0$는 3.953 ${\AA}$, $c_0$는 38.890 ${\AA}$였다. $MgGa_2Se_4$ 단결정박막은 HWE(Hot Wall Epitaxy) 방법으로 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. 단결정박막의 성장 조건은 증발원의 온도 $610^{\circ}C$, 기판의 온도 $400^{\circ}C$에서 진행되었으며 성장 속도는 0.5 ${\mu}m/h$였다. 단결정박막의 결정성은 이중 결정 x-선 회절곡선의 반폭치와 X-선 회절무늬의 ${\omega}-2{\theta}$로부터 구하여 최적 성장 조건을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 $6.21{\times}10^{18}/cm^3$, 248 $cm^2/v{\cdot}s$였다. $MgGa_2Se_4$/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수 스펙트럼을 10 K에서 293 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 에너지 갭 $E_g(T)$는 varshni 공식 $E_g(T)=E_g(0)=({\alpha}T^2/T+{\beta})$을 잘 만족함을 알 수 있었다. 여기서 $E_g(0)=2.34\;eV$, ${\alpha}=8.81{\times}10^{-4}\;eV/K$, ${\beta}=251\;K$였다.