• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.20 no.5
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• pp.345-355
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• 2011

GaAs-based metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs) and InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) have good microwave and millimeter-wave frequency performance with lower minimum noise figure. MHEMTs have some advantages, especially for cost, compared with InP-based ones. In this paper, InAlAs/InxGa1-xAs/GaAs MHEMTs are simulated for DC/RF small-signal analysis. The hydrodynamic simulation parameters are calibrated to a fabricated 0.1-${\mu}m$ ${\Gamma}$-gate MHEMT device having the modulation-doped $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ heterostructure on the GaAs substrate, and the simulations for RF small-signal characteristics are performed, compared with the measured data, and analyzed for the devices. In addition, the simulations for the DC/RF characteristics of the MHEMTs with different gate-recess structures are performed, compared and analyzed.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.3 no.3
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• pp.231-239
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• 1998

This paper presents the dynamic analysis and control loop design of a zero voltage switching full bridge (ZVS-FB) PWM DC/DC converter. The small-signal model is derived incorporating the effects of phase shift control and the utilization of transformer leakage inductance and power FET junction capacitance to achieve zero voltage resonant switching. These effects are modeled by introducing additional feedforward and feedback terms for duty cycle modulation. Based on the results of the small-signal analysis, the control loop is designed using a simple two-pole one-zero compensation circuit. To show the validity of the design procedures, the small signal analysis of the closed loop system is carried out and the potential of the zero voltage switching and the superiority of the dynamic characteristics are verified through the experiment with a 2 kW prototype converter.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.11 no.6
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• pp.500-504
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• 2001

The present approach based on the genetic algorithm with improved selections of bonds was adopted to extract a bridged T equivalent circuit elements of $\times10\mu m^2$InGaP/GaAs HBT. the small-signal model parameters were extracted using the genetic algorithm from S-parameters measured at different frequencies under multiple forward-active biases, which demonstrate physically meaningful values and consistency. The agreement between the measured and modeled S-parameters is excellent over the frequency range of 2 to 26.5GHz.

• Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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• v.12 no.3
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• pp.217-221
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• 2011

GaAs-based and InP-based HEMTs(High Electron Mobility Transistors) have good microwave and millimeter-wave frequency performance with lower minimum noise figure. GaAs-based MHEMTs(Metamorphic HEMTs) have some advantages, especially for cost, compared with InP-based ones. In this paper, the RF small-signal circuits of MHEMTs are simulated and analyzed for the design of millimeter-wave application systems. The simulation analysis for RF small-signal frequency can help and give some insights about the MHEMTs for the design of millimeter-wave application and communication systems.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2002.06b
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• pp.181-184
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• 2002

본 논문에서는 600Hz 무선 LAN 시스템에 탑재를 위한 600㎓ 대역 전력증폭기 모듈을 개발 하였다. 600㎓ 대역 전력증폭기 모듈에 실장된 600㎓ 대역 전력증폭기 MMIC는 ETRI에서 설계 및 제작한 것으로 칩의 크기는 2.80 × 1.75㎟이며, on-wafer측정을 하여 얻은 결과는 동작 주파수 58~620Hz에서 소신호 이득은 12.4dB이고, 최대 소신호 이득은 59~60G보z에서 ISdB이며, 출력전력(Pldn)은 16.3~16.7dBm을 얻었다. 이와 같은 특성을 갖는 전력증폭기 MMIC를 사용하여 모듈을 제작하였으며, RF feed line을 위해 Rogers 사의 R03003 기판을 사용하였다. 모듈의 입출력은 동작 주파수 대역에 적합한 WRl5라는 waveguide 형태를 사용하였고, DC 바이어스 공급을 위해 3.5㎜ K-connector를 사용하였다 제작한 모듈의 크기는 40 × 30 × 15㎣이며, 최적의 성능을 얻고자 tuning bar를 상하로 이동하여 최적점을 찾았으며 나사로 고정하여 상태를 유지하도록 하였다. DC 바이어스 및 RF feed line과 칩의 연결은 본딩에 의한 인덕턴스를 최소화하기 위하여 3mil 두께의 리본 본딩을 하였다 전력증폭기 모듈을 측정한 결과, 동작주파수 600㎓ 대에서 소신호 이득은 6dB 이상, 입력 정합은 -lOdB 이하, 출력 정합은 -4dB 이하로 측정되었긴, 출력전력은 SdBm 이상으로 측정되었다. 동국대에서 제작한 600Hz 무선 LAN 시스템에 전력증폭기 모듈을 시스템 송신부에 탑재 시험한 결과, 동영상을 실시간으로 전송하는데 성공하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.10 no.4
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• pp.347-355
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• 2005

In this paper, a new continuous~time small signal model of an average current mode control is proposed. Sampling effect Is considered to obtain the proposed small signal model. By the proposed model, the high frequency response characteristics of current loop gain might be predicted accurately compared to previous models. And this leads the prediction of inductor current response of the proposed model to be accurate compared to others. In order to show the usefulness of the proposed model, prediction results of the proposed model are compared to those of the circuit level simulator, PSIM and experiment.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2001.06b
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• pp.217-220
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• 2001

CaN(gallium nitride) MODFET(modulation doped field effect transistor) large signal model was studied using Modified Materka-Kacprzak large signal MODFET model. using the Dambrine's method［3, at 45MHz-40㎓, Measured S-parameter and DC characteristics. based on measuring results, small signal parameter extraction was conducted. by the cold FET［4］method, measured parasitic elements were de-embedding. Extracted small signal parameters were modeled using modified Materka model, a sort of fitting function reproduce measuring results. to confirm conducted large signal modeling, modeled GaN MODFET's DC, S-parameter and Power characteristics were compared to measured results, respectively. by results were represented comparatively agreement, this paper showed that modified Materka model was useful in the GaN MODFET large signal modeling.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2004.05b
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• pp.330-334
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• 2004

본 논문에서는 Nd:YAC 레이저의 제 2고조파에 의해 펌핑되는 고체레이저의 다중통과 증폭기의 이론적 고찰에 대하여 논하였다. 다중통과 증폭기의 입력레이저는 Ti:sapphire 레이저이며, 펌핑광원의 주입 후 입력 빔의 통과 회수에 따른 추출효율, 소신호 이득계수에 대한 변화 등을 조사하여 다중통과 증폭을 위한 최적조건을 구하였다. 또한, 실험에서 2단 다중통과 증폭기에서 790 nm의 입력 파장을 주입하였을 때, 42 mJ의 최대 출력에너지, 21 ㏈의 증폭이득, 25%의 출력효율을 얻었다.

• Optical Science and Technology
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• v.1 no.2
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• pp.56-64
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• 1997

본 기술해설에서는 초고속 반도체 레이저의 특성을 알아보고 광통신에의 응용을 검토하였다. 먼저 반도체 레이저의 동작 원리를 설명하였고, 초고속 반도체 레이저의 소신호 및 대신호 변조특성에 대해서 기술하였다. 또한, 반도체 레이저를 이용하여 극초단 펄스를 생성하는 방법으로 이득/Q 스위칭법, 외부변조기와 집적화된 반도체 레이저를 이용하는 방법, 모드 록킹법에 대해서 검토하고 펄스 압축법에 관해서도 기술하였다. 초고속 반도체 레이저의 응용으로는 초고속 광통신, 솔리톤 광통신, 전광 시분할 다중/역다중에 관해서 기술하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.25-26
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• 2014

배터리를 사용하는 하이브리드 시스템의 확장으로 인하여 2차 전지를 활용할 수 있는 양방향 컨버터의 사용이 증가하고 이에 대한 연구의 필요성 또한 증가하고 있다. 기존 비절연형 단방향 컨버터는 인덕터의 전류와 부하단 캐패시터의 전압을 변수로 지정하고 고정 전원과 고정부하를 대입하여 모델링에 적용했지만, 실제 사용되는 양방향 컨버터의 동작과는 차이가 있다. 또한 이상적인 전원과는 달리 배터리의 단자전압은 SOC 및 충방전 상태에 따라 전압 변동이 일어나고 컨버터의 스위칭 동작에 의해 전압 리플이 발생하기 때문에 제어기를 설계하기 위해서는 이를 반영하여 해석하는 것이 필요하다. 본 논문에서는 비절연형 양방향 컨버터의 양쪽에 부착된 캐패시터가 모두 변수로 적용된 전달함수와 이를 이용하여 설계된 제어기를 제안한다. 컨버터 모델링에 State-Space Averaging 방법을 사용하여 양방향 컨버터의 소신호 분석을 하였고, 충전 모드와 방전 모드 일때 전달함수를 각각 구하였다. 앞서 구한 전달함수를 이용하여 pole/zero 분석을 통해 PI 제어기 설계를 하였고, 주파수 분석을 통해 안정성을 확인하였다.