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광대역 주입동기식 주파수 분주기 기반 40 GHz CMOS PLL 주파수 합성기 설계 (Design of a 40 GHz CMOS Phase-Locked Loop Frequency Synthesizer Using Wide-Band Injection-Locked Frequency Divider)

  • 남웅태;손지훈;신현철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제27권8호
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    • pp.717-724
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    • 2016
  • 본 논문은 60 GHz 슬라이딩-IF 구조 RF 송수신기를 위한 40 GHz CMOS PLL 주파수 합성기 설계를 다룬다. 광대역에서 안정적인 주입동기식 주파수 합성기 동작을 위하여 인덕티브 피킹 기법을 이용한 주파수 분주기가 설계되었다. 광대역 주파수 분주기는 PLL이 전압 제어 발진기의 전체 주파수 범위에서 안정적으로 동기되는 것을 보장한다. 또한, 전압 제어 발진기와 주입동기식 주파수 분주기 사이의 원치 않는 간섭을 없애기 위하여 주입동기식 버퍼를 설계하여 적용하였다. 설계된 PLL 주파수 합성기는 65 nm CMOS 공정을 이용하여 설계되었으며, 37.9~45.3 GHz 출력 주파수 범위를 갖는다. 1.2 V 전원 전압에서 버퍼 포함 74 mA의 전류를 소모한다.

랜덤 수 생성 회로를 이용한 EMI Noise 저감 회로 (The EMI Noise Reduction Circuit with Random Number Generator)

  • 김성진;박주현;김상윤;구자현;김형일;이강윤
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제26권9호
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    • pp.798-805
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    • 2015
  • 본 논문에서는 랜덤 수 생성 회로를 통해 Relaxation Oscillator의 주파수를 불규칙하게 변환하여 EMI Noise를 최소화하는 방법을 제시한다. 또한, DC-DC Converter에 이 기법이 적용되었을 때의 효과와 이 결과가 RF Receiver system에 미치는 효과를 Noise 측면에서 연구하였다. 제안하는 Relaxation Oscillator 출력 중심주파수는 7.9 MHz이고, 온도보상기법을 적용하여 온도변화에 따라 주파수가 보상되도록 설계하였다. 이 칩은 $0.18{\mu}m$ 공정으로 설계하였고, 칩의 면적은 $220{\mu}m{\times}280{\mu}m$이다. 전류 소모는 공급전압인 1.8 V에서 $500{\mu}A$이다.

3G, 4G LTE 환경에 적합한 0.11μm CMOS 저전력, 광대역의 저잡음증폭기 설계 (0.11μm CMOS Low Power Broadband LNA design for 3G/4G LTE Environment)

  • 송재열;이경훈;박성모
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제9권9호
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    • pp.1027-1034
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    • 2014
  • 3G부터 4G LTE까지의 전체 대역에 적용이 가능한 저전력, 광대역 저잡음증폭기를 설계하였다. 설계한 광대역 다중입력 저잡음증폭기는 기존의 3G인 CDMA의 대역인 1.2GHz대역과 LTE대역인 2.5GHz대역까지 넓은 주파수 대역을 안정적으로 증폭이 가능하고, 다중입력방식을 통해 입력신호의 크기에 관계없이 안정적인 증폭이 가능하도록 설계하였다. 설계된 저잡음증폭기는 1.2V의 공급전압에서 약 0.6mA의 전류를 소모하고, 이는 Cadence사의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 낮은 입력신호에 대응한 증폭은 최대 20dB이고, 신호에 따라 최저 -10dB의 이득값을 얻을 수 있었다. 잡음특성(NF : Noise Figure)은 High Gain모드에서 15dB이하, Low Gain 모드에서 3dB이하를 가진다.

PFM/PWM 듀얼 모드 피드백 기반 LED BLU 구동용 LLC 공진 변환 제어 IC 설계 (A Design of PFM/PWM Dual Mode Feedback Based LLC Resonant Converter Controller IC for LED BLU)

  • 유창재;김홍진;박영준;이강윤
    • 전기전자학회논문지
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    • 제17권3호
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    • pp.267-274
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    • 2013
  • 본 논문은 Pulse Frequency Modulation(PFM)/Pulse Width Modulation(PWM) 듀얼 모드 피드백 기반 LED 백라이트 유닛 구동용 LLC 공진 변환 제어 IC 설계에 대한 내용을 제시한다. 공진형 변환기에서 하나의 변압기를 사용하면서, 두 가지 출력 전압을 생성할 수 있는 구조를 제안하였으며, Master 출력은 PFM 방식으로 Slave 출력은 PWM 방식으로 제어하도록 설계 하였다. 2차 측 Master 출력을 제어하기 위해서 파워 스위치 제어 신호의 주파수를 조절하는 PFM 피드백과 2차 측 Slave 출력을 제어하기 위해서 파워 스위치 제어 신호의 펄스 폭을 조절하는 PWM 피드백 회로를 설계하였다. 설계된 IC는 $0.35{\mu}m$ 2 Poly 3 Metal BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 이용하여 레이아웃 되었으며, 면적은 $2.3mm{\times}2.2mm$ 이다. 또한, 설계한 칩은 5 V 공급 전압으로부터 26 mA의 전류를 소모하였다.

디지털 선박 생체 감성 인식 LED 조명 제어 시스템 설계 및 구현 (A Design and Implementation Digital Vessel Bio Emotion Recognition LED Control System)

  • 송병호;오일환;이성로
    • 대한전자공학회논문지SP
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    • 제48권2호
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    • pp.102-108
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    • 2011
  • 기존의 선박 내 조명 제어 시스템은 구축의 복잡성, 높은 설치 비용 및 유지 관리 비용 등의 문제점이 있다. 본 논문에서는 디지털 선박 환경에서 저비용, 고효율의 조명제어 시스템을 설계하였다. 사용자의 생체 정보(맥박, 이완기 혈압, 수축기 혈압, 혈당)를 무선 센서들을 통하여 획득한 후 감성을 인식하여 LED 조명을 제어하는 시스템으로서, 맥박 센서, 혈압 센서, 혈당 센서 등의 입력치를 받아 데이터베이스에 저장한 후 역전파 신경망 알고리즘을 이용하여 감성을 분류한다. 3,000개의 데이터 집합을 사용하여 역전파 신경망을 실험한 결과 약 88.7%의 정확도를 가졌다. 분류된 감성은 HP(Hewlett-Packard)의 'The Meaning of Color'에서 정해 놓은 20개의 컬러 감성 모델과 비교하여 가장 적절한 출력치를 찾아 적색, 녹색, 청색 LED Lamp에 전류 또는 주파수를 조절하는 방법으로 LED Lamp의 밝기 또는 광색을 조절함으로써 소모 전력을 약 20%로 절감하였다.

5.8GHz/5.2GHz/2.4GHz 무선 랜 응용을 위한 선형 이득 CMOS LC VCO의 설계 (Design of CMOS LC VCO with Linearized Gain for 5.8GHz/5.2GHz/2.4GHz WLAN Applications)

  • 안태원;문용
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권6호
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    • pp.59-66
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    • 2005
  • 삼중 대역 무선 랜 응용을 위한 CMOS LC VCO를 1.8V 0.18$\mu$m CMOS 공정으로 설계하였다. 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO 코어는 PMOS 트랜지스터로 구성하였으며 인덕터와 캐패시터를 선택적으로 스위칭하는 기법을 적용하여 5.8GHz 대역 (5.725$\~$5.825GHz), 5.2GHz 대역 (5.150$\~$5.325GHz), 그리고 2.4GHz 대역 (2.412$\~$2.484GHz)에서 동작 가능한 것을 확인하였다. 또한 MOS 버랙터(varactor)에 다중 바이어스를 적용하고 최적화하여 캐패시턴스의 선형 특성을 개선함으로써 VCO의 이득을 선형화하고 PLL의 안정도를 크게 개선하였다. VCO 코어의 소모 전류는 2mA, 면적은 $570{\mu}m{\times}600{\mu}m$이며, 3가지 주파수 대역 모두 1MHz 옵셋에서 -110dBc/Hz 이하의 잡음 특성이 가능함을 확인하였다.

전력 품질 및 전력 고조파 측정 장치에 관한 연구 (A Research into a Device for Measuring the Electric Power Quality and the Harmonic Frequency)

  • 오규태;유영길
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권10호
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    • pp.233-239
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    • 2012
  • 전력 계통에서 발생하는 고조파는 전동기 등 기기 오동작 및 고장, 불필요한 전력 소모 등을 야기시킨다. 고조파 발생에 대한 근본적인 대책은 고조파 발생 원인을 찾아 제거하는 것이며 본 논문에서는 아날로그 디바이스사의 ADE7880을 이용하여 고조파 발생 원인을 실시간으로 파악할 수 있는 전력품질 측정장치를 제작하고 동작을 검증하여 다양한 전력 품질 측정 분야에 활용할 수 있도록 하였다. 전력은 일반적으로 45Hz에서 66Hz까지의 라인 주파수를 가지고 있는데, 본 연구에서 사용한 ADE7880 필터대역인 2.8kHz 밴드 내에서 분석될 수 있는 고조파의 수는 2800/f로 최대 2800/45 = 63차 고조파까지 가능하며, 라인주파수가 60Hz인 한국에서의 최대 고조파차수는 2800/60 = 46차까지 측정할 수 있었다. 또한 전압, 전류, 전력 측정의 정확도는 0.1%이내의 오차를 가져 매우 정밀한 수준임을 확인하였다.

HF/UHF 멀티밴드 RFID 리더의 SiP 설계 및 구현 (Design and Implementation of System in Package for a HF/UHF Multi-band RFID Reader)

  • 안광덕;이경일;김지곤;조정현;김시호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권10호
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    • pp.59-65
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    • 2008
  • UHF 대역과 13.56MHz를 동시에 지원하는 단일 패키지의 Multi band RFID 리더를 설계하고 SIP (System in Package)로 구현하였다. 제안된 리더 시스템은 UHF 대역에서 많이 사용되는 EPC Class1 Gen.2 표준과 HF대역인 13.56MHz에서 사용하는 ISO14443 A/B, ISO15693 프로토콜을 지원하고, RISC 코어에 탑재된 내장형 S/W에 의하여 동작 모드를 선택하도록 설계되었다. 제작된 시스템은 $40mm{\times}40mm$, 4 layer의 SiP 위에 구성되어 있으며 3.3V의 단일 공급전압으로 최대 210mA의 전류소모를 통해 13.56MHz의 경우 최대 5cm, UHF 대역의 경우 최대 20cm 인식거리를 실현하였다.

UV 젤 네일을 위한 LED 램프 회로 설계 (Design of LED Lamp Circuits for UV Gel Nail)

  • 김필중
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권10호
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    • pp.133-137
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    • 2016
  • 손발톱 관리를 위해 UV 젤의 이용이 점차 증가하고 있다. UV 젤에 필요한 UV 램프를 개발하기 위해 본 연구에서는 UV LED 램프 구성 회로를 설계하였다. 여러 개의 UV LED들에 일정한 전원을 공급하는 전원부는 DC-DC 컨버터 방식의 회로로 설계를 하였다. 그리고 엄지손톱의 방향과 소지손톱의 위치를 고려하여 UV LED들을 배치하였다. 전원부의 입력전원은 3.8[V]의 전지전압을 사용하였다. 전원부의 출력전압은 약 3.1[V]로 나타났으며, UV LED들이 소모하는 전류량에 따른 출력전압의 변화 상태를 알아보기 위해 부하저항을 삽입한 후 부하저항을 변화시켜 가면서 시뮬레이션 한 결과에서도 출력전압은 약 3.0[V] 이상으로 나타났다.

경로 손실 변화의 보상이 가능한 77 GHz 차량용 레이더 시스템을 위한 65 nm CMOS 베이스밴드 필터 (65 nm CMOS Base Band Filter for 77 GHz Automotive Radar Compensating Path Loss Difference)

  • 김영식;이승준;어윤성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권10호
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    • pp.1151-1156
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    • 2012
  • 본 논문에서는 77 GHz 자동차 레이더 시스템에서 거리가 달라도 일정한 감도를 유지할 수 있도록 하는 베이스밴드 필터를 제안하였다. 기존의 DCOC(DC Offset Cancellation) loop 회로를 이용하여 DC offset을 제거함과 동시에 거리에 따른 수신 전력의 크기 차이를 이득으로 상쇄시킬 수 있도록 하였다. 측정 결과, 이득은 최대 51 dB의 크기를 가지며, 고역 통과 차단 주파수는 5 kHz에서 15 kHz까지 가변 가능하게 하였다. 거리에 따른 손실을 보상하기 위한 고역 통과 필터의 기울기는 거리 보상 범위를 위해 -10~-40 dB/decade로 가변이 가능하게 설계되었다. 1 V의 전압에서 전류 소모는 4.3 mA이며, 측정된 NF는 26 dB이고, IIP3는 +4.5 dBm을 가진다. 칩은 65 nm CMOS 공정을 사용하였으며, 입출력 패드를 제외한 크기는 $500{\mu}m{\times}1,050{\mu}m$이다.