• 한국세라믹학회지
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• 제34권3호
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• pp.281-288
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• 1997

유전율이 높고 온도안정성이 우수하다고 알려져 있는 40Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-30PbTiO3-30Pb(Mg1/2W1/2)O3계 세라믹스에 소결온도를 낮추기 위하여 저온에서 액상을 형성하는 91PbO-9WO3를 과잉첨가하여 소결성, 미세구조 및 유전성의 변화에 대하여 조사하였다. 91PbO-9WO3의 첨가량이 증가함에 따라 소결온도가 저하하였으며 6 mol%첨가시는 875$^{\circ}C$에서 소결이 가능하였다. 유전율은 기본조성에서 16,400이었고, 첨가제가 1 mol% 과잉첨가된 경우 18,500으로 최대값을 나타냈으며 이후 첨가량이 증가함에 따라 감소하였다. 첨가제의 첨가량이 2~4mol%인 시편의 온도에 따른 유전율 변화곡선에서 double peak maxima가 나타났으나, 첨가량이 5 mol% 이상인 시편에서는 입계에 텅스텐을 많이 포함하고 있는 결정상이 생성되었고 double peak maxima는 나타나지 않았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.310-310
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• 2010

ZnO 바리스터는 정전기 (ESD) 및 순간적인 써지(surge)로부터 전자기기 및 전자회로 등을 보호하기 위해 개발된 전자 세라믹스 소재이다. 최근 전자기기 등의 고속통신 추세에 따라 ZnO 바리스터는 높은 비선형 특성과 함께 보다 낮은 유전율 및 유전손실 특성이 특별히 요구되고 있다. 본 연구에서는 현재 양산되고 있는 Bi-계와 Pr-계 ZnO 바리스터가 아닌 새로운 조성계에 $Mn_3O_4$를 0.0~3.0 at% 첨가하여 소결 및 전기적 특성들 살펴보았다. 시편은 일반적인 세라믹 공정에 따라 제조하여 $1200^{\circ}C$에서 1 시간 공기 중에서 소결하였으며, 소결 및 전기적 특성과 유전 특성(밀도, 미세구조, I-V 특성, 유전율, 유전손실, ZnO 비저항)은 FE-SEM, Keithley237, Agilent 4294a 및 Agilent 4991a 장비를 사용하여 첨가제에 따른 ZnO 바리스터의 특성 변화를 관찰하였다. 그 결과 Mn이 0.2 at% 첨가한 계의 바리스터의 상대밀도는 95%, 비선형계수는 14, 유전율은 140 (at 1MHz), 손실값은 0.147 (at 1 MHz)를 나타내었다. 이를 통하여 새로운 바리스터 조성계에서 Mn의 첨가에 따른 효과에 대하여 논하였다.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권9호
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• pp.97-103
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• 2005

본 연구에서는 소형 동-소결윅 히트파이프를 대상으로 소결윅의 구조적 인자들이 히트파이프의 열수송 한계에 미치는 영향을 이론적으로 분석하였다. 소결윅의 입자 크기의 균일성과 소결 조건이 전체적인 기공분포와 기공률을 포함한 물리적 특성에 지배적인 요소로 작용했으며, 윅 두께 및 기공의 작은 편차가 히트파이프의 열수송 한계에 대체로 큰 영향을 미치는 것으로 나타났다. 특히, 증기온도와 경사각에 따라서 윅 두께와 평균 입자 반경, 그리고 모세관반경의 미세한 변화가 히트파이프의 모세관한계를 현저하게 변화시켰다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.280-281
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• 2006

Cordierite 결정상을 LTCC공정 적용온도에서 소결하기 위한 glass 조성을 조사하였다. 상용의 glass중 Pb-B-Si-O계, Na-Zn-B-O계 glass를 선택하였고 LTCC용 기판소재로서의 가능성을 확인하기 위하여 저온 동시소성이 가능한 소결온도인 $850^{\circ}C$와 $1000^{\circ}C$ 사이에서 소재의 소결실험을 진행하였다. 소결조건에 따른 상변화, 유전특성을 확인한 결과 glass상, 결정상, 용융에 의한 glass상으로 상의 변화가 있음을 확인 할 수 있었으며, LTCC 소결 조건에서 Pb-B-Si-O계 glass의 경우 2.9~3.7의 낮은 유전율과 0.0027의 우수한 dielectric loss, 내전압 특성을 가지고 있음을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 전문대학교육위원 P
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• pp.20-23
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• 1999

본 연구에서는 $SrBi_xTa_2O_9$ 세라믹스에서 Bi 몰비 변화에 대한 x를 2.4, 2.6, 2.8, 3.0, 3.2로 변화시키면서 소결 온도도 변화하여 각각에 대한 구조 및 전기적 특성을 조사하였다. Bi 부족과 이상과잉에 따라 이상의 결정구조를 보였으며 소결온도가 높아질수록 Bi 휘발이 많아져 정방성이 떨어졌다. Sr/Bi/Ta=1/2.8/2 조성에서 가장 큰 정방성과 그레인 크기를 나타내었으며 그 조성에서 1000[$^{\circ}C$]로 소결한 시료에서 유전율 132를 보였고 1050[$^{\circ}C$]로 소결한 시료에서 잔류분극 1.134[${\mu}C/cm^2$]을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권1호
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• pp.23-26
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• 1998

알루미나와 하소된 귤껍질의 소결반응에 의해 A $I_{2}$ $O_{3}$-CaO내화물이 제조되었다. 치밀화과정에서의 CaO의 영향과 A $I_{2}$ $O_{3}$-CaO 소결체의 특성을 고찰하였다. 소결체의 미세구조와 EDS 결과로 A $I_{2}$ $O_{3}$-CaO화합물을 확인하였다. 145$0^{\circ}C$에서 열처리한 소결체는 2.87/㎤의 부피비중과 12.03%의 겉보기 기공율을 가지며 압축강도는 312kg/$\textrm{cm}^2$이였다. 140$0^{\circ}C$에서 서결체의 열팽창 계수는 6.55Kx10$_{-6}$ $K_{-1}$이였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.73-76
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• 2009

ZnBo이 첨가된 (Ba,Sr)$TiO_3$ 후막을 이용한 planner capacitor의 전기적 특성을 조사하였다. 후막은 알루미나 기판에 스크린 프린팅기법에 의해서 제작되었고 $1200^{\circ}C$의 온도에서 소결하였다. 출발 물질인 BST의 저온 소결을 위해서 ZnBO를 첨가하였다. ZnBO가 1, 3, 5 wt% 첨가된 경우 소결온도가 $1200^{\circ}C$의 낮은 온도에서 소결되는 것을 확인했으며 ZnBO의 첨가랑이 증가함에 따라서 유전율은 감소하고 유전손실는 증가 하는 현상이 나타났다. 1, 3, 5 wt%의 ZnBO가 첨가된 (Ba,Sr)$TiO_3$는 각각 756, 624, 554의 유전율를 보였다. 또한 ZnBO의 양이 증가함에 따라서 누설전류가 감소되는 것을 확인하였고, ZnBO의 첨가가 grain의 성장과 density가 증가되어 누설전류의 양이 감소하게 되는 것으로 분석되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권11호
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• pp.1065-1070
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• 2000

TiO$_2$의 첨가가 Mn-Zn ferrites의 전자기적 물성에 미치는 효과에 대해 연구하였다. TiO$_2$의 첨가량이 증가함에 따라 밀도와 전기비저항이 증가된 반면 초기투자율은 감소하였다. TiO$_2$의 첨가에 따라 Fe$^{2+}$ ion의 증가에 기인하여 전력손실의 최소 값을 나타내는 온도가 저온으로 이동하였다. TiO$_2$를 0.12wt% 첨가한 시편의 경우, 100 kHz, 200 mT, 8$0^{\circ}C$ 측정 조건에서는 소결온도가 증가함에 따라 전력손실이 감소하였으며 125$0^{\circ}C$ 소결한 시편이 340 mW/㎤으로 가장 낮은 값을 보였다. 500 kHz, 50 mT, 8$0^{\circ}C$의 측정 조건에서는 소결 온도가 감소함에 따라 전력손실이 감소하였으며 115$0^{\circ}C$ 소결한 시편이 105 mW/㎤으로 가장 낮은 전력손실 값이 관찰되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권10호
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• pp.948-954
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• 2002

차세대 발전 시스템에서 사용되는 고온 가스 필터용 지지층 소재를 제조하기 위하여 용융 Si 침윤 방법으로 기공율이 32∼36%, 주기공 크기가 37∼90 ${\mu}m$ 범위를 갖는 고강도 다공질 반응소결 탄화규소(RBSC)를 개발하였다. 반응소결 탄화규소 다공체의, 최대 파괴강도는 120MPa이었으며, 용융 Si 침윤 방법으로 제조된 반응소결 탄화규소 다공체에서는 SiC 입자 사이에 SiC/Si로 이루어진 기지상이 형성되어 있기 때문에 파괴 강도 및 열충격 특성이 점토 결합 탄화규소 다공체 보다 우수하였다. 반응소결 탄화규소 다공체의 기공율 및 기공 크기는 잔류 Si의 양 및 성형체에 사용한 SiC 입자 크기에 따라 다르게 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.274-274
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• 2007

LTCC 소재로 응용을 위해 Mg-Si-O계 세라믹스에 glass frit을 첨가하여 소결 및 마이크로파 유전특성에 관한 연구를 진행하였다. $Mg_2SiO_4$를 기본조성으로 하고 $B_2O_3-ZnO-Na_2O-SiO_2-Al_2O_3$계 glass를 20~40wt%로 첨가하여 $900^{\circ}C$에서 1시간 소결하였을 때 glass 함량이 증가함에 따라 밀도$(g/cm^3)$ 및 유전율$(\varepsilon_r)$은 증가하였고 품질계수$(Q{\times}f_0)$ 값은 감소하는 경향을 보였다. $900^{\circ}C$에서 1시간 소결한 소결체의 유전특성은 유전율 $(\varepsilon_r)$ = 6.5, 품질계수 $(Q{\times}f_0)$ = 4,000(GHz), 온도계수 $({\tau}_f)={\pm}10ppm/^{\circ}C$로 우수한 특성을 확인하였다. 그리고 Glass Milling 효과에 따른 glass-ceramics 소결체의 미세구조, 마이크로파 유전특성을 비교 고찰하였다.