• The Transactions of the Korea Information Processing Society
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• v.7 no.1
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• pp.115-125
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• 2000

In this paper, we suggest the basic components of monitoring system for the semiconductor wafer cleaning equipment and a monitoring system model based on these components. Basic component is defined as a mandatory function which consists of communication with the control system, user interface, communication with the remote monitoring system, management of monitoring data and inter-task communication. We have defined the function of each component and the relation among them, and designed each component as a task. To evaluate the validity of the suggested model, we have implemented the basic components using the Visual C++ on Windows NT and applied them to the Monitoring System for the semiconductor wafer cleaning equipment.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.05a
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• pp.73-78
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• 2005

반도체 약액 공급 시스템의 데이터베이스가 공정간의 상호관계가 효율적이지 않으면 데이터들의 중복현상으로 나타날 수 있으며 이로 인해 저장 공간의 낭비뿐 아니라 시스템 공정 전반에 걸쳐 프로세스 시간에 좋지 않은 영향을 줄 수 있다. 본 논문에서는 약액 공급 제어 장치의 보편적 속성인 CHEMICAL 엔티티와 SUPPLY_PROCESS_UNIT 엔티티, NOZZLE 엔티티를 주요 엔티티로 설정하고, 데이터베이스 설계 시공정 흐름에 맞추어 간략화 함으로써 대부분의 필요한 정규화가 자연스럽게 이루어졌다. 향후 본 연구의 데이터베이스는 약액 공급 제어 장치를 이용한 SWP 3004 세정 장비 및 KDNS에서 생산하는 다른 세정 장비의 실시간 모니터링 시스템을 구축하는데 활용될 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.39-39
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• 2011

반도체 생산의 주요 공정 중 하나인 세정 공정은 공정 중 발생하는 여러 가지 부산물에 의한오염을 효과적으로 제거하여 수율 향상에 큰 영향을 미친다. 현재 주로 쓰이는 세정 공정은 습식 세정 공정으로 화학 약품을 이용하지만 패턴 손상 및 웨이퍼 대구경화에 따른 문제 등이 대두되어 이를 대체할 세정 공정의 도입이 요구되고 있다. 이에 따라 건식 세정에 대한 관심이 증가하고 있으며 에어로졸 세정이 대표적 공정으로 개발 되었으나 마이크로 단위의 발생 에어로졸 입경으로 인해 패턴 손상 문제를 해결하지 못하였다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 응축에 의해 형성되는 입자 크기를 줄이는 것에 관한 연구가 진행되어 왔고, 대응 방안으로 개발된 것이 가스 클러스터 세정이다. 가스 클러스터란 작동 기체의 분자가 수십, 수백 개 뭉쳐있는 형태 (cluster)를 뜻하며 이 때 형성된 클러스터는 수 nm 크기를 가진다. 그리고 짧은 시간의 응축에 의해 수십 nm 크기까지 성장하게 된다. 즉, 입자로 성장할 수 있는 시간과 환경을 형성하지 않음으로써 작은 크기의 클러스터에 의해 패턴 사이의 오염물질을 물리적으로 제거하고 다시 기체상 물질로 환원되어 부산물을 남기지 않는 공정이다. 이러한 작동 환경을 조성하기 위해서는 진공도와 노즐 출구 속도에 대한 설계 단계부터의 이론적 연구를 통한 입자 크기 예측과 세정 조건에 따라서 발생하는 클러스터의 크기 분포 특성을 측정하는 것이 필수적이다. 따라서 본 연구에서는 실시간 저압 환경에서의 측정이 가능하며, 다양한 크기의 입자를 실시간으로 측정할 수 있는 particle beam mass spectrometer (PBMS)를 이용하여 세정 공정 중 발생하는 클러스터의 크기 분포를 측정하는 연구를 수행하였다. 클러스터의 측정은 노즐에 유입되는 유량과 냉매 온도를 변수로 하여 수행하였다. 각각의 조건에 따라서 최빈값은 오차범위 내에서 일정한 것을 확인하였으며, 50 nm 이하의 값으로 가스 클러스터 공정이 패턴 손상 없이 오염입자를 제거할 수 있음을 실험적으로 확인할 수 있었다. 또한 유량의 증가에 따라 세정에 사용되는 클러스터의 입경이 증가하며, 냉매 온도가 낮아질수록 클러스터 입경이 증가하는 경향을 확인할 수 있었다. 클러스터 크기는 오염 입자와의 충돌에 의해 작용하는 힘으로 오염입자를 제거하는 메커니즘을 사용하는 가스 클러스터 세정 장치에 있어 중요성이 크다 할 수 있으며 추후 지속적 연구에 의한 세정 기술의 최적화가 기대된다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.35-51
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• 2004

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2001.05a
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• pp.79-81
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• 2001

저압 기상 영역에서 Anhydrous HF 가스와 Methanol vapor를 사용하는 산화막 식각공정을 수행하기 위하여 (1) 반응기 부피의 최소화, (B) 공정압력의 최소화, (3) 고순도 알루미나 Reactor 적용, (4) Cluster화의 개념을 적용한 VPC 장치를 제작하였다. Wafer의 온도, HF의 분압 및 Working Pressure 등의 공정변수에 따른 Oxide Wafer의 식각특성의 변화를 확인하였다. 또한 Etch Uniformity를 향상시키기 위하여 Shower Head 구조를 변경시켜서 실험하였으며, CFD Simulation을 이용하여 Reactor내에서의 HF gas 및 Methanol vapor의 분율을 예측하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.19-22
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• 2007

반도체 산업은 회로의 고밀도화, 고집적화에 따라 웨이퍼 표면의 입자, 금속, 금속 이온, 유기물 등 오염물의 크기가 미세해 지고 세정에 대한 요구 조건이 더욱 엄격해지고 있다. 현재 세정 공정은 반도체 제조공정 전체에서 약 30%를 차지하고 있으며, 습식 세정 방식이 주로 사용되고 있다.[1] 습식 세정방식은 탈이온수로 린스하고 건조하는 공정이 필연적으로 따르며, 기판 표면에 건조과정에서 물반점이 남는 문제가 가장 큰 이슈로 남아 있다. 본 연구는 웨이퍼의 습식 세정 공정에 사용되는 DHF Final Clean Process후 IPA Vapor를 이용한 건조 방법을 기술 하였다. Single wafer spin process를 이용하였으며, 웨이퍼 Process 공간을 밀폐 후 N2가스를 충진하여 대기중의 산소 오염원 유입을 차단하고 수세 및 건조 가스를 이용하여 건조시킴으로써 SiFx의 SiOx로의 치환을 방지 하여 건조 효율 향상을 목적으로 한다. Bare 웨이퍼에서 65nm 이상 오염 발생 증가량을 측정 하였으며, 공정 후 웨이퍼 오염 발생량을 35개 이하로 확보 하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.3
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• pp.795-801
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• 2010

As the fabrication technology of LCDs (Liquid Crystal Displays) advances, the size of mother glass substrates is getting larger, and the fabrication process is becoming finer. Accordingly, the importance of cleaning processes grows in the fabrication process of LCDs. In this study, we have compared and evaluated the particle removal efficiency for three different methods of physical cleaning, which are brush, bubble jet, and aqua/air cleaning. Using the seventh generation glass substrate, the particle removal efficiency has been investigated by changing operation conditions such as a flow rate of deionized water, pressure, contact depth between a brush bristle and a glass substrate, and so forth. In the case of brush cleaning, the cleaning efficiency barely changes after a critical point when the contact depth is varied. While the cleaning efficiency of bubble jet cleaning is almost independent of pressure, that of aqua/air cleaning is affected by pressure up to a critical point, but is not changed after it. We note the brush cleaning is the most effective among the three cleaning methods under our experimental conditions.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.240.1-240.1
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• 2003

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.6 no.5
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• pp.394-399
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• 2001

In this Paper, the development of the power supply for dry scrubber is discussed. 1500w, 100kHz power supply Is designed and tested. The main power stage is used for the FB PWM inverter with an LC filter in the secondary circuit. The operation characteristics of power supply are verified by simulation and experimental results.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.4 no.8
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• pp.921-926
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• 1994

The characteristics of gate oxide significantly depend on the last chemical solution used in cleaning process. The standard RCA, HF-last, SC1-last, and HF-only processes are the pre-gate oxide cleaning processes utilized in this experiment. Cleaning process was followed by thermal oxidation in oxidation furnace at $900^{\circ}C$. A 100$\AA$ gate oxide was grown and characterized with using lifetime detector, VPD AAS, SIMS, TEM, and AFM. The results of HF-last and HF-only were shown to be very effective to remove the metallic impurities. And these two splits also showed long minority carrier lifetimes. The surface and interface morphologies of the oxide were examined with AFM and TEM. The rough surface morphologies were observed with the cleaning splits containing the SC1 solution. The smooth surface and interface was observed with the HF-only cleaning process.