• 제목/요약/키워드: 성장의 한계

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인공지능과 위험관리에 대한 사례 연구 - RAI Toolkit을 중심으로 (Case Study on Artificial Intelligence and Risk Management - Focusing on RAI Toolkit)

  • 신선영
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제24권1호
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    • pp.115-123
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    • 2024
  • 본 연구의 목적은 인공지능과 위험관리라는 2가지 키워드를 통해 어떻게 인공지능 서비스의 장점 활용과 한계요인을 동시에 극복하는데 기여 하고자 한다. 이를 위해 2가지 사례인 (1) 인공지능을 활용한 위험 모니터링 프로세스 제시와 (2) 인공지능 서비스의 개발 및 운영에서 등장하는 한계요인을 최소화하기 위한 운영 툴킷에 대해 소개 하였다. 이 사례 분석을 통해 다음과 같은 시사점이 제안하고자 한다. 첫째, 인공지능 서비스는 우리 삶에 깊숙이 관여하고 있으며 이로 인해 등장하는 한계 요인을 최소화하는 장치가 필요하다. 둘째, 인공지능을 활용한 위험관리 모니터링은 적합하고 신뢰성이 있는 데이터 확보가 우선적으로 고려되어야 한다. 셋째, 인공지능 서비스의 개발과 운영시 등장하는 한계를 극복하기 위해서는 업무 단계별로 위험관리 프로세스를 적용하여 상시 모니터링이 요구된다 라는 것이다. 본 연구는 발전하고 있는 인공지능이 제공하고 한계요인을 최소화 할 수 있는 방안에 대한 연구이며 향후 관련 시장의 성장과 발달에서 위험관리에 대한 연구에 기여 할 수 있다.

수정자발형성법을 통한 높은 균일도와 밀도를 갖는 InAs/GaAs 양자점 형성 및 특성평가

  • 조병구;황정우;오혜민;김진수;이동한;안성수;김종수;노삼규;오대곤;한원석
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.154-155
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    • 2010
  • 최근 Stranski-Krastanov (SK) 성장법을 이용한 자발형성 (Self-assembled) InAs/GaAs 양자점 (Quantum Dot) 연구가 기초 물리학뿐만 아니라 응용에 있어 활발하게 진행되고 있다. 그러나 기존 보고에 따르면 SK 성장법을 통한 InAs/GaAs 양자점은 크기, 균일도, 및 밀도 등의 성장거동 제어에 한계가 있다. 예로, 성장속도 및 증착양이 감소하더라도 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 클러스터 (Cluster)를 형성하여 크기분포의 불균일 및 결함을 야기하여 결과적으로 전기/광학적 특성을 저해하는 요인이 된다. 이를 개선하기 위한 방안으로 SK 성장법을 변형한 다양한 수정자발형성법이 제안되어 연구되고 있다. 본 논문에서는 기존 SK 성장법과 Arsenic-interruption Technique(AIT), In Pre-deposition (IPD)법을 각각 접목한 수정자발형성법을 이용하여 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 양자점 또는 클러스터 형성을 감소시켜 공간적 크기 균일도 및 밀도를 제어한 결과를 보고한다. 성장된 InAs/GaAs 양자점 시료의 구조 및 광학적 특성을 원자력간현미경 (Artomic Force Microscopy, AFM)과 Photoluminescence (PL) 분광법을 이용하여 분석하였다. 기존 SK 성장법을 이용하여 형성한 기준시료의 AFM 이미지에서 InAs/GaAs 양자점과 클러스터의 공간밀도는 각각 6.4*1010/cm2와 1.4*109/cm2로 관찰되었다. 그러나, AIT를 이용한 양자점 시료의 경우 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 클러스터는 관찰되어지지 않았고, 양자점 밀도는 8.4*1010/cm2로 SK 양자점에 비하여 30% 정도 개선되었다. 또한, InAs/GaAs 클러스터를 제외한 공간 균일도는 SK-InAs/GaAs 양자점의 15.6%에 비하여 8%로 크게 개선된 결과를 얻었다. AIT 성장법을 이용한 InAs/GaAs 양자점에서 원자의 이동거리 (Migration Length)의 제어로 양자점의 형성특성이 개선된 것으로 설명할 수 있으며, Arsenic 차단 시간이 임계점 이상으로 길어지면 다시 InAs/GaAs 클러스터들이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. InAs/GaAs 양자점과 클러스터 형성 특성이 초기 표면 조건에 어떻게 영향을 받는지 분석하기 위해, InAs 양자점 성장 이전에 V족 물질 공급 없이 Indium의 공급시간을 1초(IPDT1S 시료), 2초 (IPDT2S 시료), 3초 (IPDT1S 시료)로 변화시키면서 증착하고 기존 SK 성장법으로 양자점을 성장하였다 (IPD성장법). 그 결과 IDP1S 양자점 시료의 공간밀도가 10*1010/cm2로 SK InAs/GaAs 양자점 시료에 비해 약 60% 정도 증가하였고, 클러스터도 관찰 할 수 없었다. 그러나 IPD 시간이 증가할수록 다시 InAs/GaAs 클러스터들이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 InAs/GaAs 양자점 성장초기에 InAs 핵생성 사이트 (Nucleation site)의 크기 및 상태를 제어하는 것이 양자점의 밀도 및 균일도를 제어하는 중요한 요소임을 알 수 있다.

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운반자 구속 현상이 개선된 InAs/GaAs 양자점 성장 및 특성평가

  • 조병구;이광재;박동우;김현준;황정우;오혜민;이관재;김진수;김종수;노삼규;임재영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.154-154
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    • 2011
  • 자발형성법(Self-assembled)을 이용한 InAs 양자점(Quantum dots)은 성장법의 고유한 물리적 한계로 길이방향에 대한 수직방향 비율(Aspect ratio, AR)이 상대적으로 작은 값을 갖는다. 기존에 보고된 바에 따르면 GaAs 기판에 형성한 InAs 양자점은 일반적으로 AR이 0.3 정도를 보인다. 이러한 높이가 상대적으로 낮은 InAs 양자점은 수직방향으로 운반자(Carrier)의 파동함수 (Wave-function) 구속이 작게 되어 나노 양자점 구조의 0차원적 특성이 저하되게 된다. 본 논문에서는 Arsenic 차단법(Interruption technique)을 이용한 수정자발형성법(Modified self-assembled method, MSAM)으로 InAs 양자점(MSAM-InAs 양자점)을 형성하고 성장 변수에 따라 광 및 구조적 특성을 평가하여 0차원 순도를 분석하였다. MSAM InAs 양자점을 성장하고 12 nm 두께의 GaAs spacer 층을 증착한 후 $600^{\circ}C$에서 30초 동안 Arsenic 분위기에서 열처리(Annealing)를 수행 한 후 다시 InAs을 증착 하였다. 이러한 과정을 5번 반복하여 높이 방향으로 형상을 개선시킨 InAs 양자점을(Vetically-controlled MSAM, VCMSAM) 성장하였다. 기존 자발형성법을 이용한 InAs 양자점과 MSAM-InAs 양자점 단일층 구조를 기준시료로 성장하였다. 상온 포토루미네슨스(Photoluminescence, PL) 실험에서 단일 MSAM InAs 양자점 및 VCMSAM 양자점 시료의 발광에너지는 각각 1.10 eV와 1.13 eV를 나타내었다. VCMSAM InAs 양자점 시료의 PL세기는 단일 MSAM 양자점보다 3.4배 증가되어, 확연히 높게 나타나는 결과를 보였다. 이러한 결과는 높이 방향으로 운반자의 파동함수 구속력이 증가하여 구속준위 (Localized states)의 전자-정공의 파동함수중첩(Overlap integral)이 개선된 것으로 설명할 수 있다. 투과전자현미경(Transmission electron microscopy) 및 원자력간 현미경(Atomic force microscopy)을 이용하여 구조적 특성을 평가하고 이를 비교 분석한 결과를 보고한다.

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연구기반 스핀오프 벤처기업의 성장단계별 성공요인에 관한 탐색적 연구: 이론 및 사례 연구를 중심으로 (An Exploratory Study on the Success Factors of Research-based Spin-off Venture Across Stages of Growth: Pertaining to Theoretical and Case Study)

  • 정강옥
    • 기술혁신학회지
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    • 제9권4호
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    • pp.654-687
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    • 2006
  • 본 연구는 연구기관에서 개발한 기술을 기반으로 창업한 연구기반 스핀오프 벤처기업의 성장단계 및 단계별 성공요인에 관한 이론 및 사례연구이다. 이론연구를 통해 연구기반 스핀오프 벤처기업의 성장단계는 일반 벤처기업의 개념화와 개발기, 상업화기, 성장기, 안정기로 구성되는 4단계 성장단계에 대비되는 단계가 있는 것으로 밝혀졌다. 연구기반 스핀오프 벤처기업은 1단계인 개념화와 개발기에는 연구결과로부터 사업 아이디어를 도출, 2단계인 상업화기에는 사업 아이디어로부터 도출된 것을 신규 벤처 프로젝트로 완결, 3단계인 성장기에는 신규 프로젝트로부터 스핀오픈 벤처기업을 출범, 4단계인 안정기에는 스핀오프 벤처기업에 의한 경제적 부의 창출 강화라는 성장단계가 있으며 단계별로 고유한 과제가 있는 것으로 나타났다. 사례연구로 정부출연연구소를 모태기관으로 하여 스핀오프로 창업한 벤처기업에 대한 분석을 하였다. 사례분석을 통해 연구기반 스핀오프 벤처기업은 각 단계별 고유한 과제의 해결이 이루어져야 다음 단계로의 성공적인 이행이 되는 것으로 나타났다 후반부에 본 논문의 시사점과 연구의 한계 및 향후 연구 방향에 대해 제시하였다.

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인공지능산업 발전이 경제성장에 미치는 효과 분석 (The Effect of AI Development on the Economic Growth: The Case of South Korea)

  • 이동진
    • 분석과 대안
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    • 제8권1호
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    • pp.59-85
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    • 2024
  • 본고는 인공지능 산업의 발전이 우리나라 경제성장에 미치는 효과를 추정하여 최근의 4차 산업혁명 관련 기술혁신에 대한 경제적 시사점과 함께 관련 경제정책에 대한 함의를 얻고자 하였다. 인공지능 산업 발전 정도에 대한 대용변수로는 2018년~2020년 기간 소프트웨어 정책연구소가 조사한 '인공지능산업실태조사' 중 산업별 AI 관련업체의 매출액 및 특허출원 건수를 사용하였으며 경제성장 변수로는 산업별 총요소생산성과 산업별 GDP를 사용하였다. 추정 결과 AI 산업의 발전은 1년 정도의 시차를 두고 성장에 긍정적 영향을 끼치는 것으로 평가되었다. 특히 매출액 변수를 사용하였을 때 대정부 AI 매출이 GDP 성장에 미치는 효과가 민간 기업이나 소비자 대상 AI 매출에 비해 더 큰 큰 것으로 나타나 AI 산업 확산을 위한 정부의 정책적 노력이 다소 유의한 성과를 가져온 것으로 평가되었다. 다만 인공지능산업실태조사 자료의 기간이 다소 짧고 제조업에 대해서는 중분류 자료가 부재하다는 한계가 있어 관련 자료의 개선과 자료 축적이 진행될 경우 보다 강건한 결과를 도출할 것으로 기대된다.

중국 제3자 물류의 문제점에 관한 연구 (A Study on the Problems in Third-Party Logistics in China)

  • 최석범;박경희
    • 한국항만경제학회지
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    • 제25권1호
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    • pp.191-222
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    • 2009
  • 중국의 경우 급속한 경제성장과 무역규모 확대로 수출입물량이 증가할 뿐만 아니라 중국 내수시장의 화물량도 증가하고 있다. 따라서 중국의 물류시장이 매년 급성장하고 있으며, 제3자 물류시장 규모도 매년 20%이상의 성장률을 보이고 있는데 경제성장률을 물류시장이 따라가지 못해 상대적으로 물류비용이 많이 발생하고 있는 실정이다. 전체시장에서 차지하는 비중이 낮은 중국의 제3자 물류시장의 문제점을 하드웨어적, 소프트웨어적, 복합적인 측면으로 나누어 살펴보면 다음과 같다. 하드웨어적 중국 제3자 물류의 문제점으로 우선, 물류인프라의 열악으로 효율적인 제3자 서비스의 제공에 한계가 있으며 둘째, 중국 제3자 물류의 서비스지역이 장강삼각주, 주강삼각주, 환발해만경제구 등에 주로 분포되어 있어 지역적으로 매우 편중되어 있어 이러한 지역외에는 제3자 물류 서비스의 이용이 극히 제한적이며 셋째, 표준화의 미비로 표준화된 서비스 제공에 한계가 있다는 것과 넷째, 정보시스템의 미비로 체계적인 업무처리와 고객서비스에 한계가 있다는 점이다. 소프트웨어적 중국 제3자 물류의 문제점으로 첫째, 법적 체계가 복잡하여 제3자 물류의 발전을 저해하고 있으며 둘째, 물류관련 조직이 복잡하고 단일화된 정부조직이 운영되지 않고 있어 제3자 물류의 발전을 또한 저해하는 요인으로 작용하고 있다. 셋째, 물류관련 정책의 미흡하여 제3자 물류가 활성화되지 않고 있으며 넷째, 물류원구제도가 지역적 편중되어 있어 제3자 물류의 활성화에 장애가 되고 있다는 점이다. 복합적인 중국 제3자 물류의 문제점으로 우선, 높은 물류원가로 인하여 종합물류업자 육성이 지연되고 있으며 둘째, 자가물류위주의 기업관행으로 서비스 이음이 적고 셋째, 아웃소싱에 대한 낮은 인지도로 제3자 물류활성화가 저해되고 있다. 넷째, 협소한 물류시장과 영세업체 난립으로 제3자 물류시장 확대가 지연되고 있다는 점이다.

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실리콘 산화막 전류의 두께 의존성 (Thickness dependence of silicon oxide currents)

  • 강창수
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권3호
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    • pp.411-418
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    • 1998
  • LPCVD 방법으로 실리콘 산화막 두께 10nm에서 80nm인 MOS를 제작하였다. 그리고 스트레스 전계 산화막 전류의 두께 의존성을 조사하였다. 산화막 전류는 스트레스 전류와 전이전류로 구성되어 있음을 보여 주었다. 스트레스 전류는 스트레스 유기 누설전류와 직류전류로 이루어졌으며 산화막을 통하는 트립 어시스트 터널링으로 행해진다. 전이전류는 계면에서 트랩의 터널링 충전과 방전에 의해 이루어진다. 스트레스 전류는 산화막 전류의 두계 한계를 평가하는데 이용되고 전이전류는 기억소자에서 데이터 유지에 사용된다.

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Plasma를 통한 기판 전처리가 구리박막 성장에 미치는 영향

  • 진성언;최종문;이도한;이승무;변동진;정택모;김창균
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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    • pp.29.1-29.1
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    • 2009
  • 반도체 공정에서의 금속 배선 공정은 매우 중요한 공정 중 하나이다. 기존에 사용되던 알루미늄이 한계에 다다르면서, 대체 재료로 사용되고있는 구리는 낮은 비저항, 높은 열전도도, 우수한 electromigration(EM)저항특성 등을 바탕으로 차세대 nano-scale집적회로의 interconnect application에 적합한 금속재료로서 각광받고 있다. Electroplating을 위한 구리 seed layer CVD 공정은 타 공정에 비해 step coverage가 우수한 막을 증착할 수 있어 고집적 소자의 구현이 가능하다. 본 연구에 이용된 2가 전구체 Cu(dmamb)2는 높은 증기압과 높은 활성화 에너지를 가짐으로서 열적안정성 및 보관안정성이 우수하며, 플루오르를 함유하지 않아 친환경적이다. 구리 증착 전 기판에 plasma 처리를 하면 표면 morphology가 변함에 따라 표면 에너지가 변화하고, 이는 구리의 2차원 성장에 유리하게 작용할 것으로 여겨진다. Plasma의 조건변화에 따른 기판의 morphology 변화 및 성막된 구리의 특성 변화를 분석하였다.

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Al2024의 균열성장거동에 관한 연구 (A Study of Crack Growth Behavior of Al2024)

  • 이원석;이현우
    • 한국정밀공학회지
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    • 제17권10호
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    • pp.49-55
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    • 2000
  • This study describes the fatigue characteristics for Al2024 alloy, which is aircraft structure material. For this work, the plane-strain fracture toughness test, the plane-stress fracture toughness test and the crack growth rates test were conducted under the standard testing method. Test equipment is a computer-controlled closed-loop fatigue testing machine. The data of each test result is very important to aircraft structure reliability estimation, life prediction, design analysis, endurance analysis and damage tolerance analysis. In addition, the fatigue crack growth threshold($\DeltaKth$) value decreased as the stress ratio increased. Also, $\DeltaKth$ decreased as the thickness increased in LT, TL directions.

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무선인터넷 수익모델 분석과 발전방향 (Perspective and Analysis on Revenue Model of Mobile Internet)

  • 박종봉
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제1권1호
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    • pp.1-7
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    • 2001
  • 무선인터넷 도입 2년을 맞고 있는 국내 이동통신업계 가입자 수의 폭발적인 증가, 다양한 서비스의 제공, 벤쳐들의 모바일 분야 진출러쉬, 해외진출 등 외형적으로 괄목할 만한 성장을 보이고 있다. 하지만 시장참여자들은 하나같이 소문난 잔치에 먹을 것이 없다는 입장이다. 무엇이 문제인가\ulcorner 가장 큰 이유는 무선인터넷의 외적인 성장에 비해 각 player들이 만족할 만한 수익을 거두지 못한 데서 기인한 것이다. 인기에 영합해 모방지형의 단면적인 현행의 비즈니스 모델로는 지속적인 수익창출에 한계가 있기 때문이다. 일찍이 이러한 상황을 맞이한 일본의 경우, 비즈니스모델의 복합화를 통해 수익기반을 확대하거나 아예 바꾸는 등의 노력으로 이러한 상황을 타개해 나가고 있다. 현행 국내 무선인터넷 업계의 문제점 진단과 수익구조 확대를 위한 방안을 제시하고자 한다.

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