• 한국수산과학회지
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• 제44권6호
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• pp.658-664
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• 2011

Rotifers of the genus Brachionus are commonly used as a live food for larval fish, and rotifers of different sizes are preferred according the mouth size of the fish. Rotifer species vary in size, and individual size can depend on the temperature and salinity of the rearing environment. We investigated the effects of temperature and salinity for two species, B. plicatilis (250-300 ${\mu}m$) and B. rotundiformis (100-220 ${\mu}m$). Two strains of B. plicatilis (CCUMP 36 and 48) and two strains of B. rotundiformis (CCUMP 51 and 56) were received from the Culture Collection of Useful Marine Plankton (CCUMP) at Pukyong National University and cultured with the green alga, Nannochloris oculata (KMMCC 16) from the Korea Marine Microalgal Culture Center (KMMCC). The growth and size of rotifers were examined at three water temperatures ($16^{\circ}C$, $24^{\circ}C$, $32^{\circ}C$) and four salinities (20 psu, 25 psu, 30 psu, 35 psu) under continuous light (40 ${\mu}molm^{-2}s^{-1}$). The maximum density and growth rate of B. rotundiformis were greater than those of B. plicatilis. The lorica length of B. plicatilis ranged from 215.4 to 269.7 ${\mu}m$ and from 154.9 to 206.6 ${\mu}m$ for B. rotundiformis, depending on strain, temperature and salinity. Rotifers were smaller when cultured at high temperatures, regardless of salinity. B. rotundiformis preferred higher salinity than B. plicatilis. The results demonstrated that the size of rotifers could be controlled to some extent by temperature and salinity.

• 한국식품영양과학회지
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• 제13권1호
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• pp.1-8
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• 1984

식품이 가지고 있는 고유한 색깔은 소비자의 기호성 또는 영양학적 가치의 지표가 될 수 있으며 가공 및 저장처리조건에 따른 식품의 중요한 인자로 작용 할 수 있다. 따라서, 본 실험에서는 식물성 식품재료의 품종, 성숙도, 성장조건(온도, 수분. 제조공정 별)에 따른 Surface color change를 color & color difference meter와 Munsell disc 색도계(色度計)로 X, Y, Z값을 측정하고 공식에 의하여 Y(one of variation in luminous reflectance), x, y(chromaticity)를 구하여 이로부터 작성한 색도좌표상에서 식품의 색상(hue) 및 강도(chroma)를 산출하여 식품의 색도 변화를 검토하였다. 이와 같이 color & color difference meter와 같은 reflectometer를 이용하여 얻은 data를 중심으로 각각의 chromaticity diagram을 작성, 식품의 저장 및 가공처리별 색도변화를 측정하여 이것을 토대로 식품 품질의 특성을 판정할 수 있는 좋은 기초자료를 얻을 수 있었다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제34권6호
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• pp.55-61
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• 2016

Recently developed ferritic heat resistance steel, T24 was used to evaluate microstructure characteristics of simulated heat affected zone. Also, correlation between the prior austenite grain size and amount of $M_{23}C_6$ carbide dissolution was discussed. With the increasing of peak temperature, Grain size steadily increased up to $1050^{\circ}C$ and then rapidly increased at $1150^{\circ}C$. Of the peak temperature $950{\sim}1050^{\circ}C$, amounts of $M_{23}C_6$carbide dissolution are low. But Most of $M_{23}C_6$ carbide that is inhibited grain growth were dissolved above $1050^{\circ}C$ and decreased volume fraction of carbide. This indicates that grain growth may be achieved through dissolution of carbide in the base material. As of welding, due to very rapid heating rate, $M_{23}C_6$ carbide exists above equilibrium solution temperature that is $800^{\circ}C$, even at $1050^{\circ}C$. So, It was confirmed that close correlation between carbide dissolution in the base material and grain growth. Calculated grain size has a linear relationship with peak temperature, on the other hand, measured grain size discontinuously increased between $950{\sim}1050^{\circ}C$ and above $1050^{\circ}C$. Grain size of heat affected zone at $1350^{\circ}C$ peak temperature showed maximum 67um and minimum 4um. Also, The number of side showed 3 to 10.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.202-202
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• 2008

실리콘 기판 위에 성장된 세륨 산화막(CeO2)은 고품질의 SOI(Silicon on Insulator)나 혹은 안정한 캐패시터 소자와 같은 반도체 소자에 대한 응용 가능성이 높아 여러 연구가 진행되어 왔다. 세륨 산화막은 형석 구조, 다시 말해서 대칭적인 큐빅 구조이며 화학적으로 안정한 물질이다. 또한, 세륨 산화막의 격자상수 (a = $5.411\AA$)는 실리콘의 격자상수 (a = $5.430\AA$) 와 비슷하며 큰 밴드갭(6eV) 및 높은 유전상수 ($\varepsilon$ = 26), 높은 열적 안전성을 지니고 있어 실리콘 기판에 사용된 기존 절연막인 사파이어나 질코늄 산화막보다 우수한 특성을 지니고 있다. 본 논문에서는 스퍼터링을 이용하여 세륨 산화막을 실리콘 기판 위에 형성하면서 기판가열 온도 조건을 각각 상온, $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$로 설정하였으며, 세륨 산화막의 증착 두께 조건을 각각 80nm, 120nm로 설정한 다음 퍼니스를 이용하여 $1100^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리를 거친 세륨 산화막의 결정화 형태 및 박막의 막질 상태를 각각 X선 회절 장치 (XRD) 및 주사전자현미경 (SEM)으로 관찰하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권4호
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• pp.819-823
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• 2008

유류 오염 토양으로부터 항공유 JP-8을 분해하는 능력이 우수한 균주를 분리하여 16S rDNA 염기서열 분석한 결과 Rhodococcus fascians로 확인되었다. 분리된 R. fascians를 MSM 배지에 JP-8을 탄소원으로 배양하여 그 성장특성과 JP-8 분해 특성을 고찰하였다. 분리된 R. fascians는 2% JP-8을 포함하는 배지에서 5일 이내에 JP-8 대부분을 분해하였다. 16% JP-8을 포함하는 배지에서는 10일 동안 배양액 내 JP-8의 농도를 초기 농도의 14%까지 낮출 수 있었다. $17^{\circ}C$ 부터 $32^{\circ}C$ 까지 JP-8의 분해에 미치는 영향을 살펴본 결과 5일 후에는 모든 시료에서 JP-8의 대부분이 제거되었으며 온도가 낮을수록 R. fascians에 의하여 분해되는 JP-8의 양이 많은 것으로 나타났다. 배지의 초기 pH는 pH5에서 초기 분해속도가 비교적 낮았으나 pH8 까지 모두 5일만에 JP-8의 대부분이 제거되었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제43권2호
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• pp.215-221
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• 2005

실리카계 메조 물질인 MCM-41의 합성시 $Fe^{3+}$ 염을 합성 기질에 직접 도입하여 구조 내의 Si를 Fe로 일부 치환시킨 Fe-MCM-41(4 mol% Fe)을 합성하였다. XRD, $N_2$ 흡착법, TEM 등으로 합성한 메조 세공 물질의 구조적 특성을 조사하였으며, UV-Vis 및 FT-IR 등의 분광분석을 통하여 철의 상태를 확인하였다. 촉매적 활성 연구를 위하여 과산화수소를 산화제로 이용한 phenol hydroxylation을 수행하였으며, 물을용매로 반응 온도 $50^{\circ}C$, phenol:$H_2O_2$=1:1 조건에서 ca. 60%의 전화율을 얻었다. 또한, 구조 중 Fe 활성점을 이용한 탄소 나노 튜브의 성장 가능성을 확인하기 위하여, 아세틸렌가스를 탄소원으로 사용한 thermal-CVD 반응기를 이용하였으며, 다중벽 탄소 나노 튜브를 제조할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.340-344
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• 2011

Thermoelectric bismuth telluride ($Bi_2Te_3$) films were deposited on $4^{\circ}$ off oriented (001) GaAs substrates using a modified metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) system. The effects of substrate temperature on surface morphologies, crystallinity, electrical properties and thermoelctric properties were investigated. Two dimensional growth mode (2D) was observed at substrate temperature lower than $400^{\circ}C$. However, three dimensional growth mode (3D) was observed at substrate temperature higher than $400^{\circ}C$. Change of growth mechanism from 2D to 3D was confirmed with environmental scanning electron microscope (E-SEM) and X-ray diffraction analysis. Seebeck coefficients of all samples have negative values. This result indicates that $Bi_2Te_3$ films grown by modified MOCVD are n-type. The maximum value of Seebeck coefficient was -225 ${\mu}V/K$ and the power factor was $1.86{\times}10^{-3}\;W/mK^2$ at the substrate temperature of $400^{\circ}C$. $Bi_2Te_3$ films deposited using modified MOCVD can be used to fabricate high-performance thermoelectric devices.

• 한국자기학회지
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• 제11권3호
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• pp.129-133
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• 2001

본 연구에서는 TiO$_2$ 하지층이 첨가된 hexagonal barium-ferrite(BaM) 박막을 RF/DC magnetron sputtering system을 이용하여 상온에서 증착한 후, 여러 온도에서 열처리하여 결정화하였다. BaM박막에 TiO$_2$ 하지층을 첨가하여 열처리한 경우 Si와 BaM의 (006), (106), (114), (217), (2011) peak들이 사라지고 (008)의 intensity가 낮아졌으며 SiO$_2$와 (116), (302)의 peak들이 성장하였음을 XRD pattern을 통하여 알 수 있었다. BaM 박막의 자기적 특성을 VSM을 통하여 알아본 결과, 보자력, 잔류자화, 각형비 등의 자기적인 특성들은 수직에 비해 수평이 더 좋게 나타났는데, 이러한 결과로 박막면에 평행한 방향으로의 자화용이축이 존재하고 있다는 것을 알 수 있었다. SEM을 통하여 증착압력 및 열처리 시간에 따른 결정화 정도와 자기적 특성을 알아본 결과 5 mTor 보다 10 mTrr에서 더 좋게 나타났으며, 열처리를 시작한 뒤 10분 이내에 750 $^{\circ}C$ 이상에서 대부분의 특성변화가 일어났음을 알 수 있었다.

• Elastomers and Composites
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• 제37권2호
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• pp.86-98
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• 2002

본 연구에서는 실리카/카본블랙 혼합사용과 카본블랙 단독 사용의 경우 상온 또는 고온에서의 인장강도(modulus) 및 인열저항성, 내cutting성, 내crack성을 비교 평가하였다. 실리카와 카본블랙의 함량비 및 단계배합 방법을 통해 NR 가황물을 제조하였으며, 충전제의 함량은 60phr로 고정하였고, semi-EV 가황시스템을 적용하여 실험을 실시하였다. 실리카의 분산은 25phr이하일 때 양호하였으며, 실리카/카본블랙의 함량비가 25/35인 경우 인열에너지, 내crack특성, 내cutting특성이 가장 우수하였다. 충전제로써 카본블랙 단독사용과 실리카/카본블랙(25/35) 혼합사용의 경우를 비교해 보면, 열화에 따른 modulus 및 인장강도, 인열에너지는 실리카/카본블랙(25/35)을 사용한 시편이 더 낮은 감소율을 나타내었다. Cutting특성에서는 카본블랙 단독 사용보다는 실리카/카본블랙(25/35) 혼합사용의 경우가 더 높은 cutting 저항성을 나타내었다. 내crack 특성 또한 실리카/카본블랙(25/35)을 혼합사용한 경우가 온도에 따른 더 높은 변형에너지 완화율(Gp)에도 불구하고 더 낮은 크랙성장속도를 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권2호
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• pp.51-61
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• 1999

R.f. magnetron sputtering법에 의해 $SrBi_2Ta_2O_9$ 박막을 $Pt/SiO_2$/Si p-tyPp (100) 기판 위에 제조하였다. 제조된 박막을 $800^{\circ}C$에서 열처리한 후 증착 조건에 따라 미세구조와 전기적 특성을 측정하였다. $800^{\circ}C$에서 열처리된 박막은 (006), (111), (200) 및 이차상인 BiPt 피크가 XRD 분석 결과 나타났으며, 가스 압력의 감소와 기판 온도의 증가에 따라 결정입자는 성장하였다. 50mtorr, $100^{\circ}C$에서 증착 후 $800^{\circ}C$에서 열처리한 박막의 두께는 200nm이었다. 이 박막의 잔류분극과 항전계 값은 각각 20.07 $\mu$C/$\textrm {cm}^2$, 79kV/cm이었다.