• Proceedings of the Korean Association of Geographic Inforamtion Studies Conference
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• 2003.04a
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• pp.537-543
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• 2003

도시의 물리적 성장을 분석하기Hl 원격탐사 자료는 매우 유용한 도구를 제공한다 할 수 있다. 도시의 물리적 성장은 도시의 토지이용과 밀접하게 관련되어 있으며 지속 가능한 도시성장을 위하여서는 토지이용을 중심으로 한 성장관리가 필수적이다. 그러나 위성영상을 이용한 도시 토지이용의 분류는 우선 그 기준이 사용자의 관점에 따라 다르고 영상의 해상도 등에 따라 달리 그 기준이 정해질 수 있다. 도시의 성장 분석을 위해서는 다중시기의 위성영상 및 항공사진을 이용하여 토지이용 분류를 수행하고 시기별 토지이용 변화와 양상을 분석함으로써 성장요인을 추출하고 이를 기반으로 향후의 도시 성장을 예측할 수 있는 성장모델 개발이 가능해 진다. 따라서 본 연구에서는 도시성장 예측모델 개발의 전 단계로써 도시의 성장관리를 위해 사용되는 다양한 공간 해상도를 지닌 원격탐사 자료의 국내외 다양한 분류기준의 검토를 통해 토지이용 분류 기준을 도시 성장관리의 측면에서 설정하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1998.05b
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• pp.330-335
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• 1998

국내 전자력 발전소 J-1호기의 증기발생기 전열관에 발생한 1차측 응력부식균열(PWSCC) 결함 데이터를 기초로하여, PWSCC 발생률 및 성장률에 대한 Shot-Peening 효과를 조사하였다. 이를 위하여, (i) Weibull 기울기, (ⅱ) 주기별 성장률 및 (ⅲ) 평균 결함길이 등을 분석하였다. Shot-Peening에 의해 PWSCC 결함 발생틀 및 성장틀은 전반적으로 감소하였으나, Shot-Peening 직후에는 급격한 증가 양상물 보인 후 다시 감소하였다. 한편 Shot-Peening의 PWSCC 절함 성장에 대한 감소 효과는 새로운 결함에 국한되며, 기존의 결함에 대해서는 영향이 거의 없는 것으로 나타났다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.1
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• pp.1-5
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• 2001

SiC single crystals were grown in the various condition of growth pressure and temperature in the sublimation growth. We observed the growth step morphology and the shapes on the surface of as-grown crystals using an optical microscope, and characterized the co-relations among the growth parameters by adapting the Burton, Carbera and Frank theory(BCF theory)for nucleation and crystal growth.

• The Korean Journal of Malacology
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• v.32 no.3
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• pp.189-195
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• 2016

The growth of manila clam Ruditapes philippinarum inhabiting culturing ground was studied in west coast Gomso tidal flat of Korea, from August 2000 to July 2001. The density of the clam was the highest in November 2000, showing a monotonic decrease afterwards over the study period. Mean density was $1,224ind./m^2$ during the study period. Size frequencies of the clam showed a unimodal distribution, and its mode increased with shell growth over time. Although the growth of shell length of manila clam was monotonic, the growth rates decreased between July 2001 and February 2002 and increased from March 2002. The biomass of the clam also increased with time, in which the increments becoming larger since March 2002. The clam shell length had linear relationship to shell height, and had logarithmic relationship to total weight, meat wet weight, dry meat weight, and AFDW. Condition index of the clam increased continuously until April, decreasing afterwards in 2001. The pattern was similar in 2002. Based on fluctuations in condition index, the spawning time of manila clam in Gomso tidal flat is inferred to be between May and October. These results suggested that optimal harvests can be made before summer season when growth decreased and mass mortality occurred, after 24 months of seed shell release.

• The Journal of the Korean dental association
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• v.47 no.10
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• pp.637-646
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• 2009

양성 종양(benign tumor)을 언급하기에 앞서 과오종(hamartoma) 및 과다 형성(hyperplasia)과의 차이를 구분할 필요가 있다. 양성 종양은 기원조직과 유사한 조직이 이상 증식하는 것으로 서서히 성장하지만 일반적으로 치료하기 전까지 이상 증식을 지속하는 진성 신생물을 일컫는다. 이에 비해 과오종은 정상 조직이 무질서하게 과증식하는 것으로 일정기간 후에는 성장을 멈추기 때문에 진성 신생물로 간주하지 않는다. 그러나 일부 과오종이 양성 종양에 포함되기도 하는데, 예를 들어 치아종은 정상적인 치성 조직의 성장이 완료되는 시기와 거의 동일한 시기에 성장을 멈추지만 양성 종양으로 분류된다. 과다 형성은 조직의 세포가 정상적인 배열 양상을 보이면서 세포의 수가 증가하는 것으로 지속적인 성장 양상을 보이지만 그 성장이 제한적이므로 양성 종양과는 구별된다. 양성 종양은 일반적으로 무통성으로 서서히 성장하기 때문에 종양의 크기가 증가하여 안면 종창이나 동통 등을 유발하는 경우에 발견될 수 있으며, 방사선검사에서 우연히 발견되기도 한다. 방사선검사는 병소의 위치, 범위, 특징 및 병소와 인접 해부학적 구조와의 관계 등 많은 방사선학적 진단 정보를 제공한다. 일부 종양은 방사선사진에서 매우 특징적인 소견을 나타내기 때문에 방사선학적 소견으로 예비 진단을 할 수 있을 정도의 진단정보를 제공하기도 하는 반면 어떤 종양들은 방사선사진에서 관찰되는 소견이 매우 유사하여 진단에 어려움을 주기도 한다. 따라서 종양의 확진을 위해서는 생검이 필수적이며, 방사선검사는 반드시 생검에 앞서 진행되어야만 정확한 방사선학적 진단을 할 수 있다. 양성 종양은 각각의 특징적인 방사선학적인 소견을 나타내지만 일반적으로 관찰되는 양성 종양의 특징이 존재하므로 이러한 일반적인 특징을 관찰하여 병소가 양성인지 악성인지를 감별할 수 있다. 첫째, 양성 종양은 대개 호발하는 부위가 있으므로 종양의 발생부위는 감별 진단을 하는 데 매우 중요하다. 일반적으로 치성 병소는 치아가 형성되는 하악관 상방의 치조돌기에서, 혈관성 및 신경성 병소는 하악관 내에서, 연골성 종양은 하악과두와 같이 연골세포가 잔존되어 있는 부위에서 발생하는 경우가 많다. 둘째, 양성 종양은 대체로 명확한 경계와 피질골성 변연을 보이며, 종종 병소가 결체조직으로 둘러싸여 있어 병소 주위에 방사선투과성 띠가 관찰되기도 한다. 셋째, 양성 종양은 일반적으로 인접 주위 조직에 압력을 가하면서 서서히 성장하기 때문에 인접 치아의 변위 또는 흡수, 피질골의 비박, 팽융 등의 소견을 보이며 피질골의 천공은 드물다. 방사선학적으로 양성 종양의 병소 내부는 방사선투과상으로 관찰되거나, 방사선불투과상으로 관찰되거나, 방사선투과상과 방사선불투과상이 혼재된 상으로 관찰된다. 저자는 이 지면에서 이러한 방사선학적 특징을 기초로 하여 구강악안면영역에 발생하는 양성 종양을 분류하고 각각의 특징에 대해 살펴보고자 한다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.26 no.2
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• pp.53-57
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• 2016

6H-SiC single crystals were grown by using a resistance heating system. It was recognized that the growth behavior was different according to the different growth temperatures. It was revealed that the temperatures at the source feeding and at the crystal growth position had to be controlled independently. In this report, the effect of growth temperature on the SiC crystal growth was discussed.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.05c
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• pp.73-78
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• 1996

Type 316L 스테인레스강에 대한 질소첨가의 효과를 분석하기 위해 질소를 소량(0.024%)첨가한 합금과 적정량(0.15%) 첨가한 합금을 용해하여 입계부식특성 평가를 하였다. Oxalic시험 및 DL-EPR 시험 결과 적정량의 질소를 첨가한 합금이 소량 첨가한 금보다 우수한 예민화 특성을 보였다. TEM에 의한 미세구조 분석 결과 저질소 합금의 경우 비교적 짧은 열처리 시간에 M$_{23}$C$_{6}$ type의 석출물이 입계를 따라 형성되고 시효시간이 경과 할수록 그양이 급격히 증가하는 양상을 보인 반면에 적정 질소 첨가 합금의 경우 탄화물 생성이 비교적 긴 시효시간으로 늦추어져 예민화 실험 결과와 일치된 결과를 보였다. 두 합금 모두에서 탄화물 이외에 Mo의 함량이 매우 높은 석출물이 관찰되었는데 적정질소 첨가강의 경우 시효 시간의 경과에 따라 초기의 작은 cluster들의 형태에서 시작하여 얇은 박막의 형태로 입계면을 따라 성장하는 양상을 보였고, 반면에 저질소합금의 경우 입계를 따른 작은 석출물들이 cluster들로는 성장하였으나 장시간 시효가 진행됨에 따라 탄화물의 성장에 의해 박막 형태로는 성장하지 못하였다. Mo-rich 박막형상 석출물에 대한 분석 결과 20-면체 준결정상의 형태에 매우 가까운 결정구조를 보였으며 때로 η상과 매우 밀접한 회절 패턴도 관찰되었다. 이러한 상은 적정 질소첨가 합금에서의 탄화물 생성 지연과도 관련이 있을 것으로 추정되었다.

• Korean Journal of Poultry Science
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• v.14 no.2
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• pp.89-96
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• 1987

The purpose of this paper to present morphological normal chick chromosomes and develope avian cytogenetic techniques including chromosome preparation and banding technique. The early chick embryos provide a consistent source of material with hish mitotic cells. Although chick embryo tissue gives excellent preparations, the 4-5 days embryo is somewhat incovenient materials, Most imp of ant for avian Chromosome analysis are the technical protocols to achieve adequate preservation, spreading, and staining of the full chromosome complement. To precise chromosome analysis, pro-metaphase states are required. Best results of banding will be obtained from air dried slides prepared from early chick embryos that have been aged at least 1 week. Good G-banding differentiation is achieved by adequate trypsin digestion fellowed by staining in Goe,sa dye. The results of C-banding is influenced by many factors including the conditions of Ba(OH)$_2$, HCl treatment, and state of rinsing. In addition to precisely interprets banding patterns, the densitometric analysis is recommended.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.125-125
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• 2010

극성 [0001] 방향으로 성장된 질화물 기반의 LED (light emitting diode) 는 분극현상에 의해 발생하는 강한 내부 전기장의 영향을 받게 된다. 이러한 내부 전기장은 양자우물 내의 전자와 정공의 공간적 분리를 야기하고 quantum confined Stark effect (QCSE)에 의한 발광 파장의 적색 편이가 발생하며 양자효율의 저하를 가져오게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 InGaN/GaN이나 AlGaN/GaN 양자 우물구조를 GaN의 m-plane (1$\bar{1}$00) 이나 a-plane (11$\bar{2}$0) 등 비극성면 위에 성장하려는 시도를 하고 있다. 그러나 비극성 면의 비등방성 (anisotropy) 으로 인하여 결정성이 높은 비극성 GaN을 성장하는 데에는 많은 어려움이 있다. GaN 층의 표면을 평탄화하고 결정성을 향상시키기 위해서 저온 GaN 또는 AlN 버퍼층을 성장하는 2단계 방법이나 고온 버퍼층을 이용하여 성장하는 연구들이 많이 진행되고 있다. 본 연구에서는 고온 GaN 버퍼층을 이용하여 기존의 2단계 성장과정을 단순화한 비극성 a-plane GaN을 r-plane 사파이어 기판위에 유기금속 화학증착법 (MOCVD)으로 성장하였다. 사파이어 기판위에 AlN 층을 형성하기 위한 nitridation 과정 후 1030 도에서 두께 45 ~ 800 nm의 고온 GaN 버퍼층을 성장하고 총 박막 두께가 2.7 ~ 3 um 가 되도록 a-plane GaN을 성장하여 표면 양상의 변화와 결정성을 확인하였다. 또한 a-plane GaN 박막 성장 시에 성장 압력을 100 ~ 300 torr 로 조절하며 박막 성장의 변화 양상을 관찰하였다. 고온 GaN 버퍼층 성장 두께가 감소함에 따라 결정성은 증가하였으나 표면의 삼각형 형태의 pit 밀도가 증가함을 확인하였다. 또한 성장 압력이 감소함에 따라 표면 pit은 감소하였으나 결정성도 감소하는 것을 확인하였다. 성장 압력과 버퍼층 성장 두께를 조절하여 표면에 삼각형 형태의 pit이 존재하지 않는 RMS roughness 0.99 nm, 관통전위밀도 $1.78\;{\times}\;10^{10}/cm^2$, XRD 반가폭이 [0001], [1$\bar{1}$00] 방향으로 각 798, 1909 arcsec 인 a-plane GaN을 성장하였다. 이 연구를 통해 고온 GaN 버퍼 성장방법을 이용하여 간소화된 공정으로 LED 소자 제작에 사용할 수 있는 결정성 높은 a-plane GaN을 성장할 수 있는 가능성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.4 no.3
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• pp.19-27
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• 1987

부재가 피로하중을 받을 경우에는 피로하중의 변동과 균열의 성장에 인한 균열크기의 변동때문에 각순간에서의 응력확대계수가 변화하게 된다. 피로균열성장을 모델링할때 응력확대계수를 이용할 수 있는 타당성은 균열성장속도가 매우 느리므로 순간순간에서의 형상계수의 변화가 거의 무시할 수 있다는 사실에 근거하고 있다. 즉 균열의 길이는 순간순간에 일정하다고 생각하는 즉 준-정적인 문제로 귀착되며, 이 경우 에는 순간순간에 대응하는 단지 변동하는 하중에 대한 응력확대계수의 변동양상을 검토하면 되는 것이다.