• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.9 no.3
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• pp.273-279
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• 1999

The home-made hot wall epitaxy (HWE) system was utilized for GaN epitaxial layer growth on the Si(001) substrate. It was appeared that GaN epilayer grow with mixed phase of Zinc blende and Wurtzite structure from photoluminescence (PL) and x-ray diffraction (XRD) analysis at the room temperature. We found that intial growth layer has Wurtzite structure from photoluminescence (PL) and x-ray diffractio (XRD) analyses at the room temperature. Wefound that initial growth layer has Wurtzite structure when initial deposition time, the temperature of substrate and source are 4 min, $720^{\circ}C$ and $860^{\circ}C$ respectively, and at the epi growth process GaN, epilayer was grown with relatively stable Wurtzite structure when the temperature of substrate and source are $1020^{\circ}C$ and $910^{\circ}C$ respectively.

• Journal of Acupuncture Research
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• v.28 no.3
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• pp.111-119
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• 2011

목적 : 이 연구는 봉독이 세포자멸사 관련 단백질의 발현 조절을 통하여 세포자멸사를 유도하고 전립선 암세포주인 DU-145 세포의 성장을 억제하는지를 확인하고 해당 기전을 살펴보고자 하였다. 방법 : 봉독을 처리한 후 DU-145의 세포자멸사를 관찰하기 위해 TUNEL staining assay를 시행하였으며, 세포자멸사 조절단백질의 변동 관찰에는 western blot analysis를 시행하였다. 결과 : DU-145 세포에 봉독을 처리한 후, 세포자멸사의 유발, 세포자멸사 관련 단백질의 발현에 미치는 영향을 관찰하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. DU-145 세포에서 봉독을 처리한 후 세포자멸사가 유도되어 세포성장이 억제되었다. 2. 세포자멸사 관련 단백질 중 분리된 pro-apoptotic proteins인 PARP, caspase-3, caspase-9은 유의한 증가를 나타내었다. 3. 세포자멸사 관련 단백질 중 분리된 anti-apoptotic proteins인 Bcl-2, p-AKT, XIAP, cIAP2는 유의한 감소를, MMP2, MMP13은 유의한 증가를 나타내었다. 결론 : 이상의 결과는 봉독이 인간 전립선 암세포주인 DU-145의 세포자멸사를 유발함으로써 전립선암세포 증식억제 효과가 있음을 입증한 것으로 전립선암의 예방과 치료에 대한 효과적인 치료제 개발에 도움이 될 것으로 기대된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.4
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• pp.581-586
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• 1998

We investigated the effect of mechanical back side damage in Czochralski grown silicon wafer. The intensity of mechanical damage was evaluated by minority carrier recombination lifetime by laser excitation/microwave reflection photoconductivity decay method, degree of X-ray diffuse scattering, X-ray section topography, and wet oxidation/preferential etching methods. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and the magnitude of diffuse scattering and X-ray excess intensity increased proportionally, and it was at Grade 1:Grade 2:Grade 3=1:7:18.4 that the normalized relative quantization ratio of excess intensity in damaged wafer was calculated, which are normalized to the excess intensity from sample Grade 1.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.20 no.1
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• pp.77-84
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• 2006

For a fire cause judgement this paper describes the heating characteristics of electric bare wire melted by AC current. The cower wires prepared for the experiment were 1.2[mm], 1.6[mm], and 2.0[mm] in diameter. Through the cross section analysis(CSA), it was confirmed that the dendrite structure grew at the angle of about 40[$^{\circ}$] or 60[$^{\circ}$] when the fusing current was applied to the wires. The larger the fusing current is, the more decreased the growth angle of the dendrite structure is. It was confirmed that the dendrite structure was arranged like the columnar structure.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.433.2-433.2
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• 2014

그래핀(graphene)은 탄소나노튜브(CNTs)에 비해 가격 경쟁력이 있고 우수한 광투과성과 전기 및 열 전도성을 갖고 있어 반도체 소재, 방열 소재, 접점 소재 등에 적용 가능성이 높은 재료로 주목받고 있다. 특히 모바일 디바이스의 소형화, 고집적화 등의 이슈로 인해 그래핀 소재의 방열 소재 적용을 위해 다양한 연구가 진행되고 있다. 한편 산화 구리 나노선(CuO Nanowire)은 전기 및 열전도도가 우수하고 1차원 나노 구조는 부피대비 큰 표면적, 종횡비가 커서 뛰어난 열전도 구조로서 방열 소재로 응용되기 좋은 조건을 갖고 있다. 본 연구에서는 2차원 구조의 그래핀 나노플레이트(Graphene Nanoplatelet)와 1차원 구조의 CuO NW를 하이브리드화를 통해 열전도도 향상를 개선시키고자 하였다. 소재 합성은 GNP에 Cu 무전해 도금을 진행한 후 열산화 방식을 적용하여 CuO NW를 직접 성장시키는 방식으로 진행하였다. 합성된 GNP-CuONWs 다차원 나노구조체의 열전도도 측정은 에폭시에 분산시켜 레이져 플레쉬법을 이용하였다. 미세 구조 관찰 결과, CuO NW 성장 거동은 열처리 온도 및 시간 그리고 O2 가스의 순환 환경이 주요인자로 작용하는 것을 확인하였다. 열전도도 향상은 다차원 구조의 특성으로 인해 면접촉과 선접촉이 동시에 이루어졌기 때문인 것으로 분석되었으며, 이러한 CuO NWs morphology와 열전도도 향상과의 상관 관계에 대해 논의할 것이다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.25 no.6
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• pp.71-82
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• 2010

유선과 무선은 각각의 사업영역에서 개별적으로 성장해 왔으나 최근 유선분야와 무선분야를 통합하여 이용자에게 편리하고 저렴한 새로운 통신서비스를 찾아내고자 하는 유무선 통합이 새로운 화두로 떠오르고 있다. 차세대 유무선통합망은 단순히 유선과 무선을 통합하는 의미를 넘어 IP 기반의 All-IP 망으로서 다양한 접속방법에 제약을 받지 않지 않으며, 유무선의 구별없이 다양한 콘텐츠와 애플리케이션을 통합망을 통해 이용자에게 전달할 수 있는 망이 될 것으로 기대되고 있다. 이러한 통합망의 백홀을 구축하는 기반 기술로 투자비용 및 운용비용에 많은 장점을 가지고 있고, 기존 캐리어급의 견고함, 품질 및 운용관리 기능 등을 제공할 수 있는 패킷 기반의 전달망 기술이 유력한 기술로 부각되고 있다. 본 기고에서는 All-IP 유무선통합망을 위한 패킷 기반의 백홀 전달망 기술에 대한 동향을 소개하고, 최근 많은 관심을 받고 있는 무선 백홀망을 통합하기 위한 필요조건들을 살펴보고자 한다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.17 no.1
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• pp.14-18
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• 2006

MOCVD 공정방법에 의해 수직정렬된 ZnO 나노선을 합성하고 공정조건 제어에 의해 합성되는 나노선의 물리적, 광학적 특성이 어떻게 변화하는지를 고찰하고자 하였다. 온도 및 산소분압제어 등의 공전변수 제어를 통하여 ZnO 나노 구조체는 나노선, 나노로드 뿐만 아니라 나노바늘 (nano-needle) 등 다양한 구조로 변화되었으며 그 직경 및 길이도 제어가 가능하였다. 전체적으로 양호한 특성의 wurzite 구조를 나타내었으며 기판에 수직인 방향으로 [0001] 방향으로 성장하였다. 광학특성에서는 나노선 직경이 작아질수록 주방출 피크의 천이현상이 관찰되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.206-206
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• 2010

1차원 나노 소재 중 ZnO 나노선은 우수한 전기적, 광학적 특성으로 최근 센서, 디스플레이등 다양한 정보전자 소자에 활용 가능성이 높아지고 있다. 현재 보고된 ZnO 나노선 소자는 주로 단일선이나 랜덤 네트워크 형태로 제작되어 소자의 공정성, 재현성 및 균일성 확보가 매우 중요한 이슈가 된다. 본 연구에서는 화학기상증착법으로 성장한 ZnO 나노선을 슬라이딩 트랜스퍼 공정을 통하여 원하는 기판에 정렬된 형태로 전이하여 전계방출소자 (field effect transistor) 어레이를 제작하고 그 특성을 분석하였다. 또한, p-형으로 도핑된 Si 기판을 패터닝하여 정렬된 ZnO 나노선과 pn-정션 소자를 제작하여 정류특성과 electroluminescence 특성을 분석, 설명하였다.

• Journal of Aquaculture
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• v.19 no.2
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• pp.119-124
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• 2006

We investigated appearance tidal time and line of spats blood cockle, Tegillarca granosa. And we observed appearance individual numbers and shell growth of spats blood cockle, T. granosa on the several tidal lines and time for the highly valued aquaculture business. Most of the blood cockle spats distributed on the $2{\sim}3 $ hours tidal line. The shell growth was high on the $1{\sim}3$ hours tidal line. But we found small amount of spats on the $5{\sim}6$ hours tidal line. The shell length of spats became $4.7{\pm}1.0 mm$ in December, $5.2{\pm}1.2 mm$ in January, $5.4{\pm}0.9 mm$ in May, $8.5{\pm}0.8mm$ in June, $12.6{\pm}1.1 mm$ in July, $16.0{\pm}2.1 mm$ in August, $18.6{\pm}1.4 mm$ in September and $20.3{\pm}1.3 mm$ in October. As well, we could reconfirm of newly appearance blood cockle spats in the next October.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.5
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• pp.371-376
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• 2010

The GaAs epitaxial layers were grown on Si(100) substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using the two-step method. The Si(100) substrates were cleaned with three different surface cleaning methods of vacuum heating, As-beam exposure, and Ga-beam deposition at the substrate temperature of $800^{\circ}C$ in the MBE growth chamber. Growth temperature and thickness of the GaAs epitaxial layer were $800^{\circ}C$ and $1{\mu}m$, respectively. The surface structure and properties were investigated by reflection high-energy electron diffraction (RHEED), AFM (Atomic force microscope), DXRD (Double crystal x-ray diffraction), PL (Photoluminescence), and PR (Photoreflectance). From RHEED, the surface structure of GaAs epitaxial layer grown on Si(100) substrate with Ga-beam deposition is ($2{\times}4$). The GaAs epitaxial layer grown on Si(100) substrate with Ga-beam deposition has a high quality.