• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• s.408
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• pp.69-76
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• 2010

'Smart Grid 선도 기업', '국내 최고의 전력 자동화 기업' 등이 최근 LS산전을 인식하는 대표적인 상징어로 각인되고 있다. 이 가운데 스마트 그리드 분야의 선도 이미지는 LS산전이 지난 10여 년간 투자해온 전력IT 분야의 결실로 평가되고 있다. 1974년 설립된 LS산전(대표 구자균)은 과거의 생존게임을 탈피, 대단위 투자를 통한 그린 비지니스 전략 및 비전을 구체화 하고 있다. 국가적 차원의 아젠더로 추진되면서 일상생활의 패러다임을 변화시킬 원천기술인 스마트 그리드와 HVDC, 전력선 통신, 연료전지 등의 상용화 기술개발에도 박차를 가하고 있다. 품질경영과 혁신활동을 중시하면서도 창조적이고 역동적인 소통의 기업문화를 자랑하는 LS산전의 미래성장을 위한 글로벌 열정은 여전히 진행 중이다.

• Proceedings of the Korean Society of Marine Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.229-230
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• 2006

해상플랫폼설치가 불가능한 심해지역이나 파도가 심한 해상에서 원유를 발굴하는 선박형태의 시추설비인데, 심해에서의 시추능력은 물론 기동성까지 겸비한 고부가치선으로서 최근 고(高)유가에 따라 발주가 늘어나고 있는 해양분야의 대표적인 성장엔진으로, 파도와 바람이 심한 해상에서도 안정적 시추가 가능한 최첨단 자동위치 제어시스템, 드릴링장비, 통합제어시스템 등, 드릴쉽이 갖추고 있는 시스템에 대해 간단히 설명한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.19 no.1 s.85
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• pp.109-115
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• 2004

최근 들어 통신시장이 성숙단계에 도달하여 성장이 한계를 보임에 따라 선진 각국의 통신사업자들은 유무선 결합서비스 제공을 통해 새로운 돌파구를 찾고자 노력하고 있다. 본 고에서는 이러한 유무선 결합서비스와 관련된 최근동향을 위주로 하여 미국내 3개 장거리통신사업자 및 4개 지역통신사업자(RBOC)의 유무선 결합서비스 제공현황을 분석하고, 미국 정부의 결합서비스에 대한 규제정책을 살펴본 다음 결론으로서 시사점을 제시하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.269-269
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• 2010

$SnO_2$ 나노선은 n-type의 전기적 특성과 우수한 광 특성을 보이며, 전자소자, 광소자 뿐 아니라 다양한 종류의 가스 센서 등에 응용되고 있다. 그러나 $SnO_2$ 나노선은 공기중에서 전기적으로 불안정한 특성을 보이며, 도핑을 하지 않은 나노선 소자에서는 전자의 모빌러티가 높지 않다는 단점을 갖고 있다. 이를 개선하고자 본 연구에서는 화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition)으로 Sb을 도핑한 $SnO_2$ 나노선을 성장하여 전계방출효과 트랜지스터 (field effect transistor: FET)를 제작하여 전기적 특성과 UV 반응성의 변화를 측정하였다. Sb 도핑 양을 늘려감에 따라 전기적 특성이 반도체 특성에서 점점 금속 특성으로 변하는 것과 게이트 전압의 영향을 적게 받는 것을 확인하였다. 또한 도핑을 해준 $SnO_2$ 나노선의 경우 UV 반응과 회복 시간이 기존에 비하여 크게 감소하여 UV 센서에 더욱 적합해진 것을 확인하였다. 또한, 슬라이딩 트랜스퍼 공정을 이용하여 나노선을 원하는 기판에 정렬된 상태로 전이할 때 도핑한 나노선은 표면특성의 변화로 정렬도가 크게 감소하는 것을 확인하였고, 기판에 윤활제를 사용하여 정렬도를 높일 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.65-65
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• 2010

pn 접합 소자는 반도체 소자의 매우 중요한 기본 구조이다. 최근 들어 나노선과 반도체 기판으로 구성된 pn 접합소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으나, 나노선을 이용한 대부분의 접합소자는 나노선을 분산하여 소자를 제작하기 때문에 어레이 구조의 소자를 만들기에는 어려움이 있다. 본 연구에서는 성장된 나노선을 슬라이딩 전이하는 방법으로 정렬된 n-$SnO_2$ 나노선과 도핑이 된 p-Si 기판으로 이루어진 pn 접합 소자 어레이 구조를 제작하였다. 제작된 소자의 전류-전압 측정을 통해 정류 (rectification) 작용을 확인하였고 rectification ratio은 수천~수만으로 측정되었다. 소자에 UV (254nm) 빛을 조사하여 광전류의 증가를 확인할 수 있었다. 또한 소자에 15V이상의 전압을 걸어주면 접합 부분에서 EL(electroluminescence) 효과인 발광을 확인 할 수 있었다. 이처럼 나노선과 기판으로 구성된 pn 접합 소자는 다이오드, 태양전지 뿐 아니라 레이저와 LED등으로도 응용될 것으로 예상된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.2
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• pp.168-172
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• 2006

GaN nucleation layers were grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) and the effect of growth temperature on the structural properties of GaN nucleation layers for nanorods was investigated by synchrotron x-ray scattering and Atomic Force Microscopy (AFM). For the samples grown at different temperatures, two-component rocking profiles of (002) GaN Bragg peaks for the GaN nucleation layers were observed with one very sharp and the other broad. It was shown that the two-component rocking profile could be qualitatively explained by surface morphology, which was in good agreement with AFM result, from which we could conclude that relatively low temperature is favorable for GaN nanorods formation.

• Korean Journal of Social Welfare
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• v.63 no.4
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• pp.225-251
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• 2011

This study analyzed the growth process types of social welfare corporations that have operated social welfare facilities after the Korean War and studied the methods of their organizational management. A number of 20 participants composed of the original founders, directors, and chief directors of social welfare corporations that have been established for more than 40 years were selected for in-depth interviews. The researcher had procedures of in-depth interviews with 20 participants, relevant literature reviews, conformation of the research results by participants and peer reviews. There were 169 concepts, 49 sub-categories, and 21 categories revealed by applying the grounded theory method of Strauss and Corbin. The organizational growth types were categorized into the three patterns: familism practicing type, community changing guidance type and the realization of a just society leading types. The results from the research work will provide understanding the original characteristics of social welfare corporations in Korea, building the theory for the growth process types of social welfare corporations and implicating the practice of social welfare organizational management.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.5
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• pp.450-456
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• 1998

후막 GaN성장에 있어서 uniformity와 controllability를 향상시키기 위해 $GaCI_{3}$를 이용한 수직형 HVPE(Hyderide Vapor Phase Epitaxy)를 자체 제작하여 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도를 $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$까지 변화시키면서 성장된 GaN의 특성을 분석한 결과 온도가 증가할수록 표면특성과 광학적 특성은 향상되었으나 DCXRD( Double Crystal X-Ray diffractometer)의 FWHM(Full width of Half Maximum)은 온도와 무관하게 500-1000arcsec을 나타내었다. GaN의 성장이 1x1cm의 시편에 걸쳐 균일하게 이루어 졌으며, 또한 반응기 내부의 기하학적 특성이 시편의 표면특성과 성장속도에 많은 영향을 끼침을 알 수 있었다. 성장속도는 $GaCI_{3}$의 유량에 비례하였으나, $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$로 온도를 증가조건하에서 최대 28$\mu\textrm{m}$/hr의 GaN성장을 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.17 no.4
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• pp.166-171
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• 2007

We report the magneto-transport properties of an individual single crystalline Bi nanowire grown by a spontaneous growth method. We have successfully fabricated a four-terminal device based on an individual 400-nm-diameter nanowire using plasma etching technique to remove an oxide layer forming on the outer surface of the nanowire. The transverse MR (2496% at 110 K) and longitudinal MR ratios (38% at 2 K) for the Bi nanowire were found to be the largest known values in Bi nanowires. This result demonstrates that the Bi nanowires grown by the spontaneous growth method are the highest-quality single crystalline in the literatures ever reported. We find that temperature dependence of Fermi energy ($E_F$) and band overlap (${\triangle}_0$) leads to the imbalance between electron concentration ($n_e$) and hole concentration ($n_h$) in the Bi nanowire, which is good agreement with the calculated $n_e\;and\;n_h$ from the respective density of states, N(E), for electrons and holes. We also find that the imbalance of $n_e\;and\;n_h$ plays a crucial role in determining magnetoresistance (MR) at T<75 K for $R_T$ and at T<205 K for $R_L$, while mean-free path is responsible for MR at T>75 K for $R_T$ and T>205 K for $R_L$.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.18 no.1
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• pp.94-97
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• 2007

Carbon nanotubes and nanowires were prepared by methane pyrolysis over Pd(5)/SPK catalyst by changing oxygen molar ratio in a fixed bed flow reactor under atmospheric condition and also analyzed by SEM and TEM. When the $CH_4/O_2$ molar ratio was 1, carbons were not almost deposited on the catalyst bed support, but when it was 2, carbons were deposited as much as plugging reactor. TEM and SEM images for the deposited carbons showed a number of single-walled carbon nanotubes and carbon nanowires. The growth mechanism of carbon nanotubes produced on the catalyst surface was the tip growth mode. It should be played an important role in carbon nanotubes and nanowires produced on the catalyst bed support to formate the carbon growth velocity vectors and nuclei of ring structure of carbon nanowires. SPK carrier was $N_2$ isotherm of IV type with mesopores, and excellent in the thermal stability.