• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.28-33
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• 2001

WC-6%Co 소결체를 열처리할 때 발생하는, 시편 표면에서의 급격한 입자 성장 거동을 열처리 분위기를 변수로 하여 관찰하였다. 열처리 분위기로 수소와 메탄을 각각 사용하였고, 온도는 1400~145$0^{\circ}C$, 압력은 1~3 Torr, 그리고 시간은 100분까지 변화시켰다. 표면에서의 입자 성장은 수소 분위기보다 메탄 분위기를 사용하는 경우 훨씬 빠르게 일어났다. 그리고 열처리 온도가 증가할수록, 압력이 감소할수록 입자 성장 속도가 증가하였다. 이때 성장한 입자의 크기 분포는 비정규 분포를 보였다. 한편, 입자 성장은 열처리시 증발하는 시편의 Co 무게 감소와 밀접한 관계를 보였다. 이러한 표면에서의 입자 성장 현상을 열처리한 조건과 관련되어 WC-Co 상태도에서 예측할 수 있는, 탈탄-탄화 반응 및 비정상 입자 성장 현상 관점으로 설명하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.1
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• pp.34-40
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• 1993

새로운 단결정 박막 성장방법으로 최근에 많은 관심을 끌고 있는 초고진공 화학기상증착법(Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 AlGaAs에 에피탁시 박막을 성장시켰다. AlGaAs 에피탁시층의 성장은 2。 경사진 GaAs(100) 기판을 사용하였다. 반응 기체로는 Trimethylgallium(TMGa), Trimethylaluminum(TMAl)과 arsine을 사용하였고, 성장온도는 $580~700^{\circ}C$, 기체 압력은 10-5~10-4Torr를 유지하였다. 특히 본 연구에서는 arsine을 사전에 열분해 하는 통상의 Chemical Beam Epitaxy(CBE) 성장법과는 달리, arsine이 표면에서 분해되는 화학 반응만을 사용하여도 AlGaAs 에피탁시를 성장할 수 있음은 물론 박막내의 탄소 불순물의 농도가 크게 낮아짐을 관찰하였다. 또한 성장 온도의 변화에 따른 AlGaAs 에피탁시층의 Al 함유 과정에 대하여도 고찰하였다.

• Proceedings of the Korea Institute of Fire Science and Engineering Conference
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• 2011.04a
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• pp.112-115
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• 2011

본 연구는 고체가연물의 초기 점화 및 화재성장과정에서의 발열량을 대형화재발열량계(large scale fire calorimeter)를 이용하여 정량적으로 측정하고 화재발생 초기에 화재성장특성 파악하고자 한다. 실험에 적용된 고체가연물 화재는 단일/이중 목재화재, 폴리프로필렌 소재의 쿠션화재, 목재 및 폴리프로필렌 소재의 카페트 화재이며 화재발달 단계에서의 화재성장특성을 시간 제곱 화재성장 시나리오와 비교분석하고 고체 기본가연물의 화재성장과정을 이해한다. 구획조건이 화재발열량에 미치는 영향을 파악하기 위하여 자유연소상태와 ISO-9705 화재실 내부에서 화재실험이 수행되었으며 화재성장특성과 최대발열량등을 비교하였다. 본 연구는 설계화재와 화재시나리오를 설정하는데 있어서 고체가연물의 발열량 데이터 및 화재성장에 대한 정보를 제공하고 공간조건에 따른 발열량 측정데이터의 신뢰성 분석을 위한 기초연구로 활용될 수 있다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• v.15 no.4
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• pp.69-112
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• 1993

최근 한국(韓國)을 비롯한 동(東)아시아지역(地域) 몇 나라들의 성공적인 성장업적(成長業績)에 자극되어 이들 국가들의 성공사례를 모형내(模型內)에서 이론적으로 설명해 보려는 노력이 활발히 진행되고 있다. 이 글에서는 최근의 이러한 노력의 일환으로 개발되고 있는 '내생적(內生的) 성장이론(成長理論)'을 개관하고 그 함의(含意)와 한계점(限界點)을 정리해 보았다. 먼저 내생적(內生的) 성장모형(成長模型)의 비판대상이 되고 있는 신고전파(新古典派) 성장모형(成長模型)의 한계점(限界點)을 요약하고 대체모형(代替模型)으로 제시되고 있는 몇 가지의 대표적인 신성장모형(新成長模型)을 그 특성별로 구분하여 정리하였다. 성장(成長)의 기본적 동인(動因)이라고 할 수 있는 기술진보(技術進步)나 인적자본(人的資本)의 축적(蓄積)을 내생화시키고 이를 통해 국가간(國家間) 성장률(成長率) 격차(隔差)를 모형내(模型內)에서 설명하려고 시도하는 등 여러 가지 새로운 이론적(理論的) 혁신(革新)이 이루어지고 있으나, 아직 비현실적인 수학적(數學的) 가정에 의존하고 있고 모형(模型)의 경직성으로 인하여 성장과정(成長過程)의 설명에 필수적인 주요 이슈들이 간과되어 있다는 점 등을 지적하였다.

• The Optical Journal
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• s.128
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• pp.17-20
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• 2010

장비 효율화와 복합기와 프린터의 적어진 가격 격차에 따라 전체 출력기기 시장에서 복합기의 비중은 지속적으로 높아져 2009년 73%에서 2012년 82%까지 늘어날 전망이다. 특히 A3 컬러 디지털 복합기의 성장폭이 매우 클 전망이다. 전년 대비 약 40% 늘어난 규모의 시장이 형성될 것으로 보여 A4 레이저 시장이 11% 성장하는 한편, A3 레이저 시장은 무려 21% 이상의 두배 가까운 성장률을 보일 것으로 전망된다. 전 세계적으로 A4 성장률이 높은 반면, 한국 시장의 경우 금액기준 A4는 4.7%, A3는 7.1%의 연평균 성장률을 보이며 A3 시장이 시장 성장을 주도할 것으로 예측된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.3 no.2
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• pp.149-156
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• 1993

Polycrystalline silicon was produced from metallurgical-grade Si by unidirectional solidification. Variations of impurity concentration and resistivity in the ingots have been investigated. X-ray diffraction analysis has also been performed to examine the crystal orientation. According to the X-ray diffraction analysis on the polycrystalline silicon, preferential orientation was changed from ( 220) into ( III ) with decreasing growth rate. Also, with increasing growth rate and fraction solidified, the resistivity tends to decrease.

• 월간 기계설비
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• s.250
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• pp.28-43
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• 2011

정부가 대 중소기업간 상생협력을 본격 추진하기 위해 지난해 말 동반성장위원회를 구성하면서 동반성장 정책이 활기를 띄고 있다. 올해 말에는 56개 대기업(건설사 12개 업체)의 동반성장 및 공정거래 협약 실적이 평가 된다. 이에 따라 대기업은 동반성장 협력 방안을 잇달아 내놓고 있다. 지난 4월 15일 10대 대형건설사가 공정거래 및 동반성장 협약을 체결한 것도 정부의 이러한 정책을 반영하기 위함이다. 서울시 등 일부 지자체도 상생을 위한 하도급 정책을 속속 내놓고 있다. 서울시는 하도급 문화 개선 을 위해 ${\Delta}$하도급 직불제 ${\Delta}$표준계약서 사용 ${\Delta}$주계약자 공동도급제 등 3가지 분야를 확대시행 정책 과제로 삼고 올해부터 집중 추진하기로 했다. 인천시 종합건설본부도 4월부터 하도급 대금 직불제 시행에 들어갔다. 본지는 핫이슈로 떠오르고 있는 정부의 동반성장 정책 방향 및 제도개선 현황과 서울시의 하도급 정책, 동반성장지수 평가 대상업체인 12개 건설사의 상생협력 방안에 대해 알아본다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.3
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• pp.295-300
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• 1999

액상의 Ga으로부터 공급되느 기체상태의 Ga과 $NH _3$를 $1050~1150^{\circ}C$의 온도범위에서 직접 반응시켜 사파이어 기판위에 직경이 5~27$\mu\textrm{m}$이고, 높이가 $2~27\mu\textrm{m}$인 육각기둥 형태의 GaN 결정을 성장하였다. GaN 결정의 성장 초기에는 c-축 방향으로 우선 성장된 후 성장시간과 성장온도 및 $NH_3$의 유량이 증가함에 따라 기체상태의 Ga공급이 제한됨으로써 성장률이 둔화됨과 동시에 $\alpha$-축 방향으로 우선 성장되었다. GaN 결정의 크기가 증가함에 따라 결정의 품질이 개선되어 X-선 회절강도와 중성도너에 구속된 엑시톤 관력 발광밴드 (I\ulcorner)의 강도가 증가하고, I\ulcorner 발광밴드의 반치폭이 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.66-66
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• 2010

알루미나는 높은 온도에서 열적으로 안정되고 경도가 높으며 내화학, 내마모 특성이 우수하며 또한 강도대비 비중이 낮아 무게를 줄일 수 있다는 장점을 가지고 있다. 이러한 특성으로 인하여 우주항공, 국방, 원자력등 극한의 온도를 견뎌야 하는 고도의 신뢰성이 요구되는 고온구 조물로서 응용이 되고 있다. 특히 알루미나를 휘스커 형태로 만들어 세라믹 복합체에 결합 할 경우 복합체의 기지 내에서 강화재의 역할을 함으로써 취성 파괴를 억제하고 열 전도율 저하등의 이점을 가져올 수 있다. 그리하여 본 연구에서는 알루미나 휘스커를 성장을 위하여 Al-triisoproxide계를 이용하여 화학기상증착법으로 가장 안정된 열적 특성을 가지고 온도의 변화에 따라 상 변화가 일어 나지 않는 알파 알루미나 상을 가지는 알루미나 휘스커를 성장시키기 위한 연구를 하였다. 또한 증착 온도, 압력, 입력기체비등 증착 조건을 변화시켜가면서 알파 알루미나 휘스커의 성장 거동을 살펴 보았다. 증착 조건 변화에 따라 알파 알루미나는 막이 증착되는 부분과 휘스커가 성장되는 부분이 있으며 휘스커의 밀집도와 길이방향, 직경방향 성장등 여러 가지 성장 특성을 달리하였다. 이러한 결과를 바탕으로 증착조건에 따른 알파 알루미나 휘스커 성장영역을 도식화하였다.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2017.05a
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• pp.539-543
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• 2017

본 연구에서는 2차원 수치모형을 이용하여 하도식생의 성장과 소멸 고려한 교호사주의 거동을 분석하였다. 식생의 성장과 소멸은 식생의 밀도에 영향을 준다. 식생이 성장하면 식생밀도가 증가하고 식생이 소멸하면 식생의 밀도 감소한다. 식생이 성장하면서, 교호사주의 이동은 정지되고, 식생대에서 퇴적이 발생하며, 사주의 파고가 증가하였다. 식생의 성장률이 증가하면서 식생대에서 유사는 퇴적되어 사주의 면적은 증가하였으며, 식생이 성장과 사주의 변화과정은 일치하였다. 첨두유출시간의 변화에 따른 사주의 변화와 식생성장률의 변화를 분석하였다. 첨두유출 시간이 짧아서 첨두홍수가 일찍 도달하는 조건에서 사주의 파장은 상대적으로 작고, 하상고의 변화가 작은 특성을 보여주었다. 첨두유출 시간이 길어서 첨두홍수가 늦게 도달하는 조건에서 사주의 파장은 길고, 유사의 퇴적 면적이 증가하였다.