보 소고에서는 1T cell을 이용한 DRAM 집적도의 향상에 따른 몇가지의 한계요인을 생각해 보았다. 특별한 물질의 획기적 방법이 없는한, Cell의 수직대 수평 Aspect Ratio가 2이상 되고, 스위칭 소자의 채널 도평이 5 * $10^{17}$/$cm^{3}$ 이상이 되는 64M DRAM에 필요한 최소 선폭은 0.3-0.4.mu.m정도로 예측되는데 실제로 최소 선폭에 관한한 한계는 이보다 훨씬 더 작아질 것이다.다.
Direct writing technology on the silicon wafer surface is used to reduce the size of the chip as the miniature trend in electronic circuit. In order to improve the productivity and efficiency, the real time quality estimation is very important in each semiconductor process. In laser marking, marking quality is determined by readability which is dependant on the contrast of surface, the line width, and the melting depth. Many researchers have tried to find theoretical and numerical estimation models fur groove geometry. However, these models are limited to be applied to the real system. In this study, the estimation system for the line width during the laser marking was proposed by process monitoring method. The light intensity emitted by plasma which is produced when irradiating the laser to the silicon wafer was measured using the optical sensor. Because the laser marking is too fast to measure with external sensor, we build up the coaxial monitoring system. Analysis for the correlation between the acquired signals and the line width according to the change of laser power was carried out. Also, we developed the models enabling the estimation of line width of the laser marking through the statistical regression models and may see that their estimating performances were excellent.
본 논문에서는 결함접지구조와 가유전체 기판구조를 이용하여 새로운 초고주파 대역 전송선로 구조가 제안된다. 결함접지구조는 전송선로의 단위길이당 등가의 인덕턴스를 증가시켜 동일한 선폭일 때 전송선로의 특성 임피던스를 키우면서 선로의 길이를 줄여준다. 가유전체 기판구조는 전송선로의 단위길이당 등가의 커패시턴스를 증가시켜, 동일한 선폭일 때 전송선로의 특성 임피던스를 낮추면서 선로의 길이를 줄여준다. 따라서 결함접지구조와 가유전체 기판구조는 모두 전송선로의 길이를 줄이면서 선폭에 대해서는 상보적인 역할을 한다. 그러므로 두 구조가 결합되면 전송선로의 특성 임피던스는 크게 변하지 않은 채 길이만 더욱 줄일 수 있으므로, 초고주파 회로의 소형화에 크게 유리하다. 본 논문에서는 결함접지구조와 가유전체 기판구조를 모두 결합시킨 $35{\sim}100{\Omega}$ 전송선로를 설계하고, 실제로 제작 및 측정하여 그 결과를 제시하는데, 특성 임피던스의 예측값과 측정값이 잘 일치함을 보인다. 동일한 전기적 길이에 대하여 제안한 전송선로는 Fig.준형 마이크로스트립 전송선로에 비하여 불과 55.4~76.9% 물리적 길이를 갖는다.
Direct Write Technologies are being utilized in various industrial fields such as antennas, engineered structures, sensors and tissue engineering. With Direct Write Technologies, producing features have the mesoscale range, from 1 to 100 microns. One form of the Direct Write Technologies is based on aerosol dynamics. The shape of deposited aerosols determine the form of products in the Direct Write Technology based on aerosol dynamics. To predict shape of deposited aerosol, a prediction model is created. In this study, we estimated Line-Width and Line-Thickness from the prediction model. Results of prediction model is valid from comparison with experimental results.
대형 컨테이너 선박의 주요 제원 예측에 관한 과거 연구는 단순 회귀분석에 기반한 결과로 제시되었으며, 이를 현재 운항 중인 24,000TEU급 선박의 제원과 과거의 연구 결과를 비교할 경우, 선박의 전장이 과대 예측한 경향이 있었다. 본 연구에서는 선형회귀분석 및 box plot의 통계 분석기법을 활용하여 최근 20년의 신조 컨테이너선을 대상으로 연도별 주요제원의 변화량을 통해 선박의 대형화 추세를 분석하였다. 그 결과, 컨테이너선의 대형화는 시간의 흐름에 따라 점점 폭이 넓어지는 형태로 변화하고 있는 것으로 분석되었다. 그러나 선폭 위주의 대형화는 선박 운항의 측면에서 조종성능의 감소로 인해 운항난이도가 증대된다는 단점이 있다. 즉, 미래 대형화 선박을 안전하게 운항하기 위해서는 적절한 항만 인프라 구축 및 선박길이와 폭의 조화를 이루는 대형화가 필요할 것으로 판단된다.
Erbium 첨가 광섬유를 이용하여 광섬유 자이로스코프용 광대역폭 광원을 구성하였다. 광원의 구성방식을 달리하며 펌프 power에 따른 광원의 출력 power, 파장선폭, 중심파장을 측정하여 방식간에 이를 비교하였다. 시도된 4가지의 구성방식 중에서 'double pass'방식의 경우에 25 mW의 비교적 낮은 펌핑(파장 1.48.mu.m)으로 5.5 mW의 가장 큰 출력 power를 얻었으며, 충분히 펌핑하는 경우에 펌프 power 변화에 대한 중심파장 변화율이 거의 0에 가까운 안정된 특성을 얻을 수 있었다. 'Amplifier/source'방식은 광원의 출력은 가장 작았으나, 자이로 검출기에 입사되는 power면에서 다른 방식에 비해 최소한 100배 이상 큰 결과를 얻었다. 광원으로의 귀환 수준이 증가함에 따라 파장선폭은 증가했으나 출력 power는 감소했으며 귀환 수준 변화에 따른 중심파장의 변화가 크게 나타나서 귀환광이 자이로의 scale factor에 큰 영향을 미칠 것임을 예측할 수 있었다.
반도체 성능 향상으로 신호를 전달하는 회로의 단위가 마이크로 미터에서 나노미터로 미세화되어 선폭(linewidth)이 점점 좁아지고 있다. 이러한 변화는 검출해야 할 불량의 크기가 작아지고, 정상 공정상태와 비정상 공정상태의 차이도 상대적으로 감소되어, 공정오차 및 공정조건의 허용범위가 축소되었음을 의미한다. 따라서 검출해야 할 이상징후 탐지가 더욱 어렵게 되어, 높은 정밀도와 해상도를 갖는 검사공정이 요구되고 있다. 이러한 이유로, 미세 공정변화를 파악할 수 있는 신규 검사 및 계측 공정이 추가되어 TAT(Turn-around Time)가 증가하게 되었고, 웨이퍼가 가공되어 완제품까지 도달하는데 필요한 공정시간이 증가하여 제조원가 상승의 원인으로 작용한다. 본 논문에서는 웨이퍼의 검계측 데이터가 아닌, 제조공정 과정에서 발생하는 다양한 센서 및 장비 데이터를 기반으로 웨이퍼 제조 결과가 양품인지 그렇지 않으면 불량인지 구별할 수 있는 가상계측 모델을 제안한다. 기계학습의 여러 알고리즘 중에서 다양한 장점을 갖는 XGBoost 알고리즘을 이용하여 예측모델을 구축하였고, 데이터 전처리(data-preprocessing), 주요변수 추출(feature selection), 모델 구축(model design), 모델 평가(model evaluation)의 순서로 연구를 수행하였다. 결과적으로 약 94% 이상의 정확성을 갖는 모형을 구축하는데 성공하였으나 더욱 높은 정확성을 확보하기 위해서는 반도체 공정과 관련된 Domain Knowledge 를 반영한 모델구축과 같은 추가적인 연구가 필요하다.
본 논문에서는 주변의 간섭 잡음의 변화가 큰 RFID 환경에서 입력 신호를 구형파로 복원할 때 히스테리시스의 문턱전압을 디지털적으로 제어하여 신호 수신 신뢰도를 높이기 위한 비교기 회로를 0.35 마이크론 선폭의 CMOS IC 로 제안 하고 분석, 설계 후 제작하여 전기적 특성을 측정, 비교, 분석하였다. 이론에서 예측한 디지털 제어 비트의 변화에 대한 히스테리시스의 문턱전압의 가변성이 실험에서 잘 일치함을 입증하였다.
본 논문에서는 결함 접지 구조(Defected Ground Structure, DGS)를 이용하여 설계한, 전송 선로의 폭이 매우 넓어진 새로운 형태의 5-단 저역 통과 여파기(5-pole Low Pass Filters, LPF)를 제시한다. 이를 위하여 종래에 제시 되었던 3-단 DGS LPF설계 방법을 임의의 N-단 LPF설계에도 적용할 수 있도록 일반화 시키고$(N\geq5)$, 한 예로써 5-단 LPF를 설계 및 측정 결과가 제시된다. LPF원형 회로로부터 필요한 소자값들을 갖는 서로 다른 크기의 DGS를 결정하기 위하여, 매우 정확한 인덕턴스 값을 예측해 주는 곡선 맞춤(curve-fitting) 방법도 제시되었다. 제안하는 5-단 LPF는 병렬 캐패시턴스 구현을 위해 개방 스터브 대신 선폭이 크게 보상된 낮은 임피던스의 전송 선로를 갖는다. 따라서 개방 스터브를 사용할 때 필수적으로 요구되는 T-나 Cross-불연속 접합 소자가 없고, 또한 기존의 LPF에서 직렬 인덕턴스 때문에 필요했던 높은 임피던스 전송 선로가 없다.
리버스 옵셋 인쇄는 인쇄전자를 위한 미세 패터닝기술 중 하나로서 수 ${\mu}m$ 이하의 선폭을 구현할 수 있다. 옵셋 인쇄의 특성상 잉크는 PDMS 재질의 블랑켓에 전사된 후 음각으로 패턴된 클리쉐에 접촉하여 불필요한 패턴을 제거하게 되는데, 이 때 블랑켓은 압력에 의하여 음각 패턴 내부로 침투하는 변형이 발생한다. 이러한 변형은 인쇄 압력에 비례하며, 과도한 인쇄 압력은 넓은 면적의 패턴을 인쇄할 때 클리쉐 패턴의 바닥에 블랑켓이 닿는 불량을 일으키게 된다. 이 논문에서는 리버스 옵셋 인쇄에서 가압변위에 따른 PDMS 블랑켓의 변형을 유한요소기법을 이용하여 모델링하고 접촉압력 대비 변형량을 예측함으로써 실제 인쇄 장비의 실험 결과와 비교하여 인쇄결함이 발생하지 않도록 하는 클리쉐의 제작조건을 제시하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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