본 논문은 객체모델에서 표현되는 객체와 관련성을 형식명세의 상태와 오퍼레이션 도메인으로의 변환 규칙을 제시하였다. 즉 정보모델의 요소인 객체와 관련성을 형식명세 표현에서 상태영역으로 변환하였다. 동적모델의 상태, 이벤트, 행위를 오퍼레이션 영역으로 변환하였다. 비형식적인 객체모델을 형식 명세 언어로 변환하므로써 객체모델을 정형화된 방법으로 검증할 수 있다. 검증과정을 통해 소프트웨어 개말 초기단계에서 모델링 과정의 편리함과 신뢰성을 제공할 수 있다 또한 검증된 모델과 사용자 요구사항 사이의 일관성을 위해 시뮬레이션 도구를 구현하였다. 시뮬레이션 도구는 적합한 모델의 선택과 검증이 가능하도록 하므로 소프트웨어 개발비용과 노력, 개발 시간을 최소화할 수 있다.
Charge trap flash (CTF) 구조를 가진 플래시 메모리 소자는 기존의 플래시 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 데이터의 저장 기간이 길며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견디는 장점을 가지고 있다. 이러한 장점에도 불구하고 CTF 플래시 메모리에서도 수십 나노 이하로 소자의 셀 사이즈가 감소함에 따라 단 채널 효과, 펀치스루 현상 및 셀 사이의 간섭현상이 발생함에 따라 이러한 문제들을 해결해야 한다. 인접한 셀 사이에 발생하는 간섭 현상에 대해선 플로팅 게이트를 사용한 플래시 메모리 소자에 대하여 많은 연구가 진행되었으나, CTF 플래시 메모리 소자에서 나타나는 셀 사이의 간섭현상에 대한 연구는 만히 진행되어 있지 않다. 본 연구에서는 CTF 플래시 메모리 소자의 셀 사이의 간격이 작아짐에 따라 발생하는 인접한 셀 간의 간섭 현상에 대해 관찰하였다. CTF 플래시 메모리 소자의 셀 사이의 간격에 따른 비교를 위하여 각 소자의 셀을 구성하는 터널링 산화막, 질화막 및 블로킹 산화막의 두께를 동일하게 하였다. 각 셀 사이의 간격이 감소함에 따라 발생하는 소자의 전기적 특성을 TCAD 시뮬레이션 툴인 Sentaurus를 사용하여 계산하였다. 인접한 셀의 상태에 따라 발생하는 간섭 효과를 확인하기 위해 word line (WL)과 bit line (BL) 방향에 있는 주변 셀의 프로그램 상태에 따른 선택한 셀의 문턱전압이 변화 정도를 관찰하였다. 시뮬레이션 결과는 셀 사이의 간섭효과가 WL 방향에 의한 간섭 현상보다 BL 방향에 의한 간섭 현상보다 크다. 시뮬레이션한 전류-전압 특성 결과는 CTF 플래시 메모리 소자가 비례 축소할 때 인접하는 셀 사이에 간격이 15 nm 이하로 줄어들 경우에 간섭 현상이 급격히 증가하였다.
Silicon-oxide-silicon nitride-oxide silicon (SONOS) 구조를 가진 플래쉬 메모리 소자는 기존의 floating gate (FG)를 이용한 플래쉬 메모리 소자에 비해 구동 전압이 낮고, 공정 과정이 간단할 뿐만 아니라 비례 축소가 용이하다는 장점 때문에 차세대 플래쉬 메모리 소자로 많은 연구가 진행되고 있다. SONOS 구조를 가진 플래쉬 메모리에서 소자의 셀 사이즈가 감소함에 따라 발생하는 인접한 셀 간의 간섭 현상에 대한 연구가 소자의 성능 향상에 필요하다. 본 연구에서는 SONOS 구조를 가진 플래쉬 메모리에서 소자의 셀 사이즈가 작아짐에 따라 발생하는 인접한 셀 간의 간섭 현상에 대해 recess field 의 깊이에 따른 변화를 조사하였다. 게이트의 길이가 30nm 이하인 SONOS 구조를 가진 플래쉬 메모리 소자의 구조에서 recess field의 깊이의 변화에 따른 소자의 전기적 특성을 삼차원 시뮬레이션 툴인 sentaurus를 사용하여 계산하였다. 커플링 효과를 확인하기 위해 선택한 셀의 문턱전압이 주변 셀들의 프로그램 상태에 미치는 영향을 관찰하였다. 본 연구에서는 SONOS 구조를 가진 플래쉬 메모리에서 셀 사이에 recess field 를 삽입함으로 인접 셀 간 발생하는 간섭현상의 크기를 줄일 수 있음을 시뮬레이션 결과를 통하여 확인하였다. 시뮬레이션 결과는 recess field 깊이가 증가함에 따라 인접 셀 간 발생하는 간섭현상의 크기가 감소한 반면에 subthreshold leakage current가 같이 증가함을 보여주었다. SONOS 구조를 가진 플래쉬 메모리 소자의 성능향상을 위하여 recess field의 깊이를 최적화 할 필요가 있다.
현대의 산업공정에서 CAD(Computer-Aided Design)는 설계 및 생산에 관련된 다양한 분야에서 빠져서는 안 될 중요한 분야로 자리매김 하였다. 그러나 생산 설계의 복잡도가 증가 할수록, 그와 관련된 다양한 공학 기술들이 필요로 하게 되었다. 이 논문에서는 CAD기반의 그레이팅 설계 자동화 시스템에서 분할을 고려하는 배치에 대하여 다룬다. 그레이팅 설계 디자인에서 생산 비용 절감의 핵심은 분할을 최소로 하는 디자인을 설계하는 것이다. 이를 해결하기 위하여 그레이팅 분할 배치 문제에 유전 알고리즘을 적용하여 근사 해를 탐색한다. 각 제약 조건들에 우선순위를 두어 적합도를 측정하고, 분할 섹션들을 해 집합으로 구성하여 교배와 선택 연산을 수행함으로써 해를 구하고 시뮬레이션을 통해서 제안된 방법의 효율성을 평가한다.
차량의 증가에 따라 다양한 교통문제들이 발생하고 있다. 이러한 문제를 해결하고자 IT기술과 융합된 지능형 교통시스템(ITS)의 연구가 진행되고 있다. 하지만 기존 ITS기술들은 국가별로 도로의 특성이 다양하기 때문에 쉽게 적용하기 어렵다. 그러므로 기존ITS기술들을 실험 및 테스트하기 위한 시뮬레이션 환경이 필요하다. 본 논문에서는 ITS기술들을 한국도로에 적용 할 수 있도록 하는 교정방법을 제안한다. 실험 도로는 항상 정체 현상이 발생하는 서울외곽순환고속도로를 선택하였고 실험 환경은 PTV사의 VISSIM 시뮬레이터를 이용하였다. 실험 결과 실제 속도 등고선 그래프와 시뮬레이션 환경에서의 속도 등고선 그래프의 병목현상이 발생하는 구간이 동일한 것을 확인 하였다. 또한 스테이션별 통행량 그래프를 비교하여 실제 교통량과 유사함을 확인하였다.
본 논문에서는 프로토콜의 시뮬레이션 모델을 통하여 IEEE 802.4 토큰 패싱 버스 프로토콜의 성능을 분석하였다. 정상상태 뿐아니라 초기상태, 과도상태, fault recovery 상태에서 프로토콜의 성능을 분석하기위해 프로토콜의 기능을 다섯개의 프로세스로 나누어 구성하였으며 각 프로세스는 프로토콜에서 정의된 피라미터들에 따라 프로토콜의 동작을 실제적으로 수행한다. 프로토콜의 시뮬레이션을 통한 연구로부터 망의 성능을 좌우하는 프로토콜 피라미터들을 알 수 있었으며 priority가 구현된 경우 토큰에 대한 피라미터 값의 선택이 이 프로토콜의적절한 사용을 위하여 매우 중요함을 알 수 있었다.
플라즈마 시뮬레이션을 수행하기 전에 현 컴퓨터의 계산 능력범위 내에서 물리적으로 타당하게 설명할 수 있는 수치 해석 방법을 먼저 정한다. 예를 들면, 가스 반응이 많고 각 가스 반응 중에 중요가스 반응을 빠르고 선택적으로 선별하고자 할 때, 혹은 외부 입력 변화에 따른 플라즈마 종의 온도 또는 밀도를 대략적으로 파악하고자 할 때는 공간적인 분포를 고려하지 않는 0차원 global 모델링을 이용한다. 압력이 높고 충돌이 빈번한 경우에는 플라즈마를 유체적인 관점에서 기술이 가능하므로, 볼츠만 방정식에서 속도에 관한 0차, 1차, 2차 모멘텀을 이용하여 유도된 유체 방정식을 이용한다. 반대로 압력이 낮고 충돌이 거의 없는 경우에는 플라즈마 입자를 개별적으로 추적하는 입자 전산 모사 방법을 이용한다. 지금까지는 앞에서 언급한 예와 같이, 개별 플라즈마 상태에 맞는 시뮬레이션 코드를 각각 만들어야 했고, 각 코드를 개별적으로 유지 보수해야 했다. 하지만, 개별적으로 코드를 유지 보수를 해야 할 경우에는, 동일한 기능을 하는 함수를 반복적으로 각 코드에 입력해야 하는 불편함이 따르고, 각 수치해석 방법의 장점을 모은 하이브리드 방법과 같은 전사모사를 개발할 때 각 기능을 통합해야 하는 어려움이 따른다. 또한 지금까지 개발된 대부분의 플라즈마 코드는 외부 입력에 대해 유연하지 못한 대처로 새로운 가스 반응을 추가하거나 새로운 수치해석 방법을 추가할 경우에는 코드를 전체적으로 수정해야 하는 어려움이 있었다. 따라서 코드를 통합적으로 관리할 수 있고, 외부 입력에 대해 유연하게 대처할 수 있는 시뮬레이터가 필요했다. 여기에서는 객체 지향 언어인 C++ 언어를 이용하여, 사용자 입력에 대해 유연하게 대처할 수 있고, 복잡한 화학 반응을 특정 수치 해석 방법에 상관없이 통합적으로 관리할 수 있는 코드를 개발하였다.
본 논문에서는 선택형 중첩 파일럿 채 예측기 법을 적용하여 페이딩 채널환경에서의 OFDM기반 DSRC 시스템의 성능을 개선시킬 수 있는 통신 시스템 모델을 제안한다. OFDM기반의 DSRC에 대한 표준화 작업이 진행중인 IEEE802.11p의 물리 계층을 따르는 OFDM시스템에 대해서 AWGN 및 페이딩이 존재하는 채널을 고려하여 시스템 성능을 구해내고, 제안하는 선택형 파일럿 중첩 채널 예측기 법을 적용하는 OFDM기반 DSRC 시스템의 성능과 비교한다. 시뮬레이션을 통해 제안하는 시스템이 채널 예측 에러를 감소시켜 기존 방식에 비해 우수한 성능을 나타냄 보인다.
채널 선택용 필터의 전압오차를 보정하기 위해 전류비교 방식의 전압안정화 회로를 설계하였다. 제안된 전류비교 방식의 전압안정화 회로는 부속회로를 첨가 할 필요가 없어 칩 면적을 최소화 할 수 있고 저전압 저전력용 채널 선택용 필터 설계에 매우 유용하다. 제안된 안정화 회로의 응용 회로로써 블루투스 통신 시스템 채널을 포함한 3개의 통신채널을 이용하였다. $0.18{\mu}m$ CMOS 공정파라메터를 사용하여 HSPICE 시뮬레이션 한 결과, 제안된 안정화 회로는 3개의 통신 채널에서 각각 $12{\mu}s$, $13{\mu}s$, $15{\mu}s$이내에서 동작할 수 있음을 확인하였다.
본 논문에서는 이기종 통신 기반의 스마트 조명의 선택적 알고리즘을 제안한다. 스마트 조명은 조명의 역할뿐만 아니라 통신의 역할을 동시에 수행한다. 이기종 통신을 이용한 스마트 조명의 BER 성능을 높이기 위해, Line-of-Sight(LOS)/Non-LOS 채널에서 스마트 조명과 센서와의 거리, 조명사용시간, 사용자 요구를 위한 낮은 전력소모량에 따라 Optical Camera Communication(OCC), Wi-Fi, BLE 중 적합한 통신방식을 선택하도록 하였다. 그리하여 LOS/NLOS 채널에서 제안된 알고리즘의 성능과 기존의 방식과의 시뮬레이션 결과 비교를 통해 성능 향상을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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