• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.181-181
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• 2007

PTCR 세라믹스를 적층형 부품으로 제조할 경우 소형화, 저 저항화 및 과전류 유입 시 빠른 응답특성을 갖는다는 장점을 가지고 있으며, 이러한 적층형 부품제조시에는 내부전극재가 부품소자의 물성에 중요한 영향을 미친다. 특히 우수한 옴성 접촉(Ohmic Contact)을 갖는 Zn, Fe, Sn, Ni 등의 적층 PTC용 전극재는 높은 산화특성으로 인해 재산화 과정에서의 비옴성 접촉(Non-ohmic contact)을 갖게 되어 PTC 특성을 저하시킬 우려가 있다. 따라서 본 연구에서는 적층형 PTCR 세라믹스의 내부전극재와 반도체 세라믹층의 동시소성거동 및 적층 PTCR 세라믹스의 전기적 특성을 평가하였다. 본 연구에 적용된 내부전극재로는 Ni 전극을 사용하였고, Ni 전극용 paste로는 무공제 paste, 반도체 세라믹공제 paste, $BaTiO_3$ 공제 paste의 3종 전극재가 이용되었다. 적층형 PTCR 세라믹스의 제조공정은 테이프 캐스팅(Tape casting), 내부전극인쇄, 적층 및 동시소성을 포함하는 적층화공정을 적용하였다. 각각의 전극 paste를 적용하여 제조된 chip은 미세구조관찰, I-V특성, R-T특성 등을 평가하여 내부전극내 세라믹공제의 영향을 고찰하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제50권1호
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• pp.63-69
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• 2013

Negative-temperature coefficient (NTC) thermistors based on nickel manganite spinel ($NiMn_2O_4$) are widely used for many applications, such as sensors and temperature compensators, due to their good thermistor characteristics and stabilities. However, to achieve thermistors with a high NTC B constant, which is an important figure of merit pertaining to the degree of temperature sensitivity, the activation energy should be high such that high resistivity at ambient temperatures results. To obtain a high B constant and low resistivity, Al and Si modified spinel structured $Ni_{0.6}Si_{0.2}Al_{0.6}Mn_{1.6}O_4$ hybrid thick films with the conducting metal oxide of $LaNiO_3$ were fabricated on a glass substrate by aerosol deposition at room temperature (RT). The NTC-$LaNiO_3$ hybrid thick films showed resistivity as low as < $100k{\Omega}\;cm$ at $90^{\circ}C$, which is one or two orders of magnitude lower than that of the monolithic NTC films, while retaining a high B constant of $NiMn_2O_4$ of over 5500 K when 20 wt% $LaNiO_3$ was added without a post-thermal treatment. These phenomena are explained by the percolation threshold mechanism.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권2호
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• pp.164-168
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• 2024

(La_0.7Sr_0.3)(Mn_1-xFe_x)O₃ (LSMFO) (x = 0.03, 0.06, 0.09, 0.12) precursor solution are prepared by sol-gel method. LSMFO thin films are fabricated by the spin-coating method on Pt/Ti/SiO₂/Si substrate, and the sintering temperature and time are 800℃ and 1 hr, respectively. The average thickness of the 6-times coated LSMFO films is about 181 to 190 nm and average grain size is about 18 to 20 nm. As the amount of Fe added in the LSMFO thin film increased, the resistivity decreased, and the TCR and B_25/65-value increased. Electrical resistivity, TCR and B_25/65-value of the (La_0.7Sr_0.3)(Mn_0.88Fe_0.12)O₃ thin film are 0.0136 mΩ-cm, 0.358%/℃, and 328 K at room temperature, respectively. The resistivity properties of LSMFO thin films matched well with Mott's VRH model.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권12호
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• pp.8306-8313
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• 2015

개방형 전류측정기는 DC 모터 콘트롤러, AC 가변 콘트롤러, UPS(Uninterruptible Power System)에 주로 사용되며 최근 신재생 에너지의 성장과 전력망의 스마트 그리드화로 인하여 활용성이 점차 확대되고 있다. 이러한 신재생 에너지의 성장으로 관련 핵심기술의 보유여부가 중요해지고 있으며 대부분 수입에 의존하고 있는 개방형 전류측정기의 국산화 및 관련 기술의 확보를 필요로 한다. 본 논문에서는 일반 산업용 개방형 전류측정기의 제작과정과 특성을 측정한 결과를 기술하였다. 개방형 전류측정기를 구성하는 C형 철심의 공극자장분포 해석 및 형상 설계, 홀센서의 선정 및 특성시험, 정전류 전원공급회로와 신호처리회로의 회로설계 과정을 기술하며 DIP(Dual In-line Package) type과 SMD (Surface Mount Device) type의 100A급 개방형 전류측정기를 제작하고 특성을 측정했다. 제작된 전류측정기로 0~100A 범위에서 통전 실험을 실시한 했고 직류전류와 60Hz의 교류전류에서 특성을 측정한 결과 정밀도 오차 2% 이내, 선형도 오차 2% 이내의 성능을 만족하였다. 또한 부 특성 온도계수를 갖는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터를 이용한 온도보상회로를 사용하여 $-35{\sim}100^{\circ}C$의 범위에서 온도보상 효과를 확인하였다.

• 대한음성학회지:말소리
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• 제31_32호
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• pp.173-193
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• 1996

불어의 "묵음 e(e muet)"에 대한 정의를 내리기는 매우 까다롭다. 불어에서 "e"가 "묵음 e(e muet)"로 불리우는 이유는 "e"가 흔히 탈락되기 때문이다. 현재 "e muet"는 다음 발화체에서 볼 수 있듯이 열린음절에서만 나타난다. "Je/le/re/de/man/de/ce/re/por/ta/ge/." [omitted](나는 그 리포트를 다시 요구한다. : 이 경우 실제 발화시 schwa 삭제 규칙이 적용된다.) 둘째, 접두사에 나타나는 "e muet"는 s의 중자음 앞에서 s가 유성음, [z]로 발음되는 것을 막기 위해 쓰인다. "ressembler[omitted](닮다); ressentir[omitted](느끼다)" 같은 경우, 셋째, 몇몇 낱말의 경우 고어의 철자가 약화되어 "e muet"로 발음이 되고 있다. "monsieur[$m{\partial}sj{\emptyset}$](미스터), faisan[$f{\partial}z{\tilde{a}}$](꿩), faisait[$f{\partial}z{\varepsilon}$]("하다"동사의 3인칭 단수 반과거형)"등. 또 과거 문법학자들은 이를 "여성형의 E"로 불렀는데, 이는 형태론적으로 낱말의 여성형을 남성형과 구분짓기 위해 사용되고 있기 때문이기도 하다. 예를 들어, "$aim{\acute{e}}-aim{\acute{e}}e$"(발음은 둘 다 [${\varepsilon}me$]로 동일하다 : 사랑받다)의 경우. 현대불어의 구어체어서 "e muet"는 어말자음을 발음하기 위해 쓰이고 있다. 예를 들어, "pote[pot](단짝)-pot[po](항아리)". 이러한 "e muet"는 발음상으로 지역적, 개인적 및 문맥적 상황에 따라 그 음색 자체가 매우 불안정하며 여러 가지 음가(열린 ${\ae}$ 또는 닫힌 ${\O}$)로 나타난다. 예를 들어 "seul[$s{\ae}l$](홀로), ceux[$s{\O}$](이것들)"에서와 같이 발음되며, 또한 원칙적으로 schwa, [${\partial}$]로 발음이 되는 "Je[$\Im\partial$]"와 "le[$l{\partial}$]"의 경우, Paris 지역에서는 "Je sais[${\Im}{\ae}{\;}s{\Im}$](나는 안다); Prends-le[$pr{\tilde{a}}{\;}l{\ae}$](그것을 집어라)"로 발음을 하는 한편, 프랑스 북부 지방세서는 동일한 발화체를 [${\ae}$]대신에 [${\o}$]로 발음한다. 실제로 언어학적 측면에서 고려되는 "e muet"는 schwa로 나타나는 "Je[$\Im\partial$]"와 "le[$l{\partial}$]"의 경우인데, 불어 음운론에서는 schwa에 의해 대립되는 낱말짝이 없기 때문에 schwa를 음소로 인정할 것인가에 대해 논란이 있다. 그러나 불어에서 schwark 음운론적 역할을 한다는 사실은 다음과 같은 예에서 찾아 볼 수 있다. 첫째, 발음상으로 동사의 변화형에서 "porte[$p{\jmath}rte$](들다: 현재형), porte[$p{\jmath}rte$](과거분사형), porta[$p{\jmath}rte$](단순과거형)"등이 대립되며, 이휘 "Porto[$p{\jmath}rte$](포르토)"와도 대립된다. 둘째, 어휘적 대립 "le haut[$l{\partial}o$](위)/l'eau[lo](물)"와 형태론적 대립 "le[$l{\partial}$](정관사, 남성단수)/les[le](정관사, 복수)"등에서 "묵음 e"는 분명히 음운론적 역할을 하고 있다. 본 논문에서는 이와 같이 음색이 복잡하게 나타나는 "e muet"의 문제를 리듬단위, 문맥적 분포 및 음절모형 측면, 즉 음성학 및 음운론적 측면에서 다양하게 분석하여 그 본질을 규명해 보고 "e muet"탈락현상을 TCG(Theorie de Charme et de Gouvernement) 측면에서 새롭게 해석해 보았다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.2549-2558
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• 2010

무선 체온 모니터기는 무선으로 체온을 모니터 하기 위해 설계된 건강관리 시스템이다. 무선 체온 모니터기는 낮은 가격과 손쉬운 사용방법으로 병원 장치와 비교할만한 정확도와 몇몇 특성들을 제공한다. 무선 체온 모니터기는 밴드 파트와 모니터 파트로 구성되어 있다. 밴드 파트와 모니터 파트 모두 2.4GHz 직접 시퀀스 확산 스펙트럼 라디오가 내장되어 있는 칩콘2430, 일명 CC2430라는 마이크로 칩으로 사용한다. 이 CC2430은 무선 체온 모니터기가 집안 100피트 반경까지 상호 작동할 수 있게 해준다. 간단한 사용자 환경은 사용자로 하여금 손쉽게 고온과 저온의 한계점을 세팅할 수 있게 되어있다. 만약 사용자의 체온이 고온과 저온의 한계점을 넘어섰을 때 알람이 울리게 되어 있다. 알람은 저전압 오디오 증폭기와 스피커에 연결되어 작동되게 되어있다. 정확한 체온을 계산하기 위해 무선 체온 모니터기는 반드시 정확한 온도 검출장치를 사용해야만 한다. GE Sensing에서 선택된 서미스터는 온도 측정의 예민함과 정확함을 모두 만족시킨다. LCD 화면은 길이 64.5mm 폭 16.4mm의 백라이트 기능을 가추고 있으며 이 기능은 사용자가 어두운 환경이나 밝은 환경에서도 적어도 3피트 거리에서 화면을 모니터 할 수 있게 해준다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권5호
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• pp.499-503
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• 2022

La_0.7Sr_0.3MnO₃ precursor solution were prepared by a sol-gel method. La_0.7Sr_0.3MnO₃ thin films were fabricated by a spin-coating method on a Pt/Ti/SiO₂/Si substrate. Structural and electrical properties with the variation of sintering temperature were measured. All specimens exhibited a polycrystalline orthorhombic crystal structure, and the average thickness of the specimens coated 6 times decreased from about 427 nm to 383 nm as the sintering temperature increased from 740℃ to 830℃. Electrical resistance decreased as the sintering temperature increased. In the La_0.7Sr_0.3MnO₃ thin films sintered at 830℃, electrical resistivity, TCR, B-value, and activation energy were 0.0374 mΩ·cm, 0.316%/℃, 296 K and 0.023 eV, respectively.