This paper presents a proper condition to achieve high conversion efficiency using PC1D simulator on sri-crystalline Si solar cells. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer, BSF thickness and doping concentration were investigated. Optimized cell parameters were given as rear surface recombination of 1000 cm/s, minority carrier diffusion length in the base region 200 $\mu\textrm{m}$, front surface recombination velocity 100 cm/s, sheet resistivity of emitter layer 100 Ω/$\square$, BSF thickness 5 $\mu\textrm{m}$, doping concentration 5${\times}$10$\^$19/ cm$\^$-3/. Among the investigated variables, we learn that a diffusion length of base layer acts as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 19 %.
이트리아 안정화 지르코니아(Y-TZP)에 5가 산화물$(Ta_2O_5,\;Nb_2O_5)$을 첨가하여 $1500^{\circ}C$온도에서 상압소결한 삼성분계중 quasi-binary system인 $ZrO_2-YTa(Nb)O_4$의 조성영역안에서 상 안정성을 관찰하기 위해 상태도를 작성하였으며, 결정립 크기나 annealing 온도에 상관없이 상 안정성을 유지하는 non-transformable $t-ZrO_2$ solid solution$(NT_{ss}$ )영역을 확인하고 안정화 mechanism을 조사하였다. $NT_{ss}$ 의 상 안정성은 정방정 fergusonite 구조를 갖는 $YTa(Nb)O_4$의 안정화로 상 변태를 억제하여 우수한 상 안정성을 유지하는 것으로 추정되었다. 기계적 특성을 향상시키기 위해 상 변태율이 가장 좋은 transformable-TZP $(T_{ss/})$ 를 에 첨가하여 조사한 결과 mixture의 조성이 $NT_{ss}$ 영역밖의 $NT_{ss}$영역에 위치하여도 상 안정성과 우수한 기계적 특성을 갖는다는 것이 발견되었다.
인터넷을 통한 온라인 구매에 소비자들은 현 탐색엔진 및 웹 구조의 한계와 의사결정 도구의 부족으로 많은 어려움을 겪는다. 이 논문은 인터넷 쇼핑의 상황에서 소비자가 결정해야 하는 의사결정 문제를 상정하고 지능형 에이전트 구축을 통하여 그 의사결정 과정을 돕는 의사결정의 틀을 제시한다. 이 에이전트는 의미 웹 환경에서 한정도메인 제약식 프로그래밍을 추론엔진으로 삼아 의사결정을 돕는다. 이를 통해 의미웹과 제약식 프로그래밍의 두 기술의 결합이 인터넷 쇼핑 시 소비자가 겪게 되는 어려움을 어떻게 해결하는지를 제시한다.
62 %$SiO_2-19%ZrO_2-9%Na_2O-10%B_2O_3$(wt%) 조성의 결정화 유리를 제조하여 열처리 온도에 따른 경도와 파괴인성의 변화를 조사하였다. 결정화 온도는 DTA 분석의 발열곡선으로 측정하였으며, 핵행성 온도와 결정성장 온도는 XRD 분석을 통하여 결정하였다. 결정화 온도는 $820^{\circ}C$ 부근이며, 결정상은 t-ZrO2이었다. 최적의 핵행성 온도는 $650^{\circ}C$, 결정성장 온도는 $840^{\circ}C$이며, 석출된 결정상은 t-ZrO2 단일상 이었다. 결정화 유리의 경도와 파괴인성은 비이커스 압자 압입법에 의하여 측정하였으며, 결정화를 위한 열처리 온도 증가에 따른 경도변화는 거의 관찰되지 않았으며, 파괴인성값은 열처리 온도상승에 따라 증가되었으며, $840^{\circ}C$에서 1.8MPa . m1/2이었다.
"과학기술 연구활동은 인적 의존도가 매우 높은 특성을 가지고 있고, 연구자들이 능력을 극도로 발현할 수 있는 문화적 바탕이 필요합니다. '강하고 활기찬 한국과학기술연구원(KIST)'을 만들어 '세계 10대 연구기관으로 발전을 이루는 문화적 토대로 삼아 나가겠습니다" 지난 4월 8일 제 19대 KST 원장으로 취임한 김유승(53) 원장은 과학기술자 개개인의 능력이 최고로 발휘될 수 있는 연구문화 형성에 대한 의지와 함께 우리나라의 과학기술 진흥을 위한 방편으로 "국가 중요정책의 의사결정과정에 과학 기술자들의 의견이 잘 반영될 수 있는 시스템의 확립이 필요하다"고 거듭 강조했다. 김 원장을 만나 KIST 발전계획과 우리나라 과학기술 현안에 대한 견해를 들어 봤다.
연구 부정행위는 우리나라뿐만 아니라 다른 나라에서도 심심치 않게 일어난다. 연구 선진국이라 일컬어지는 미국은 물론이고 유럽의 여러 나라에서도 연구 부정행위가 발생한 사례는 비일비재하다. 중요한 것은 우리보다 앞섰던 선진 외국의 사례를 타산지석으로 삼아 현재 우리나라의 실정에 맞는 연구윤리를 제정하는 것이다. 부정행위가 벌어졌을 때 단순히 질책을 행하고 책임을 추궁하는 차원이 아니라 '바람직한 연구 실천'을 권고하는 방향으로 연구윤리 정책이 제정되어야 하며, 또한 우리나라 과학자 사회와 흐름을 같이 하고 정책 시행상의 저항을 방지하는 차원에서 연구윤리 정책의 구체적 내용을 시행 과정에서 결정해야 할 필요성이 있다.
1438년 장영실은 경복궁 흠경각(欽敬閣) 내부에 자동물시계인 옥루(玉漏)를 제작하였다. 흠경각루(欽敬閣漏)는 수격식(水激式, 물의 흐름을 이용하여 수차를 운행하는 동력방식)으로 운영되는 것으로 중국의 수운의상대(水運儀象臺, 1092년경 제작)의 수격방식과 유사하다. 하지만 동력 방식을 제외한 내부 구조에 대한 것은 흠경각루의 외형모습인 가산 형태, 시보인형의 구성과 배치, 작동구조 등에 의해 결정된다. 장영실은 흠경각루의 내부 기어장치의 구성과 연결 등에 대해서 새로운 제작기술을 사용하였다. 우리는 수격식 동력 방식에서 내부 공간에 따른 각각 운행 장치들의 구성과 동력전달체계에 대하여 분석하였다. 또한 수차가 일정한 회전력을 갖도록 제어하는 천형(天衡) 장치에 대하여 고찰하였다.
콜 센터에서 CTI(Computer Telephony Integration)서버틀 통해 호(Call)를 제어할 때, 무한 입선 대기식 모델에서는 과잉호에 대한 지연확률이 발생한다. 이 지연 확률이 폴 센터에서 기준으로 삼은 시간 이후에는 호의 손실로 판단하게 되므로 호 접속 실패율을 최소로 하기 위한 노력이 필요하다. 본 논문에서는 AVAYA의 트래픽 계산기를 이용한 모의 실험을 통해 시간당 호 량과 대기시간 변화에 따른 호접속 실패를 최소로 하기 위한 trunk 수와 인원수에 대해 제시하였다.
본 고에서는 현재 중국에서 추진되고 있는 고등교육 부문에 대한 진흥시책을 "211공정(工程)"을 중심으로 조망해보았다. 등소평의 중점대학 육성 구상에 따라 중국 국내의 제반 여건을 고려하여 "구오(九五)"기간 중에 개시된 "211공정(工程)"의 주요내용은 국가중점대학(國家重點大學)과 국가중점학과(國家重點學科) 건설 사업이다. 강역민(江澤民) 집권 후에는 "과교흥국(科敎興國)"을 기본국책으로 설정하여 교육부(敎育部)내의 과학기술사(科學技術司)에서 기지건설과 인재양성을 중점적으로 담당하면서 과학기술교육을 고등교육 발전의 기본축으로 삼아 적극적으로 추진하고 있다. 중국의 경우 이와 같은 국가 주도적인 진흥책을 중국공산당중앙위원회(중공중앙(中共中央))와 국무원의 방침 결정에 따라 집중육성(중점(中点)) 항목 결정 및 관리를 국무원 산하 유관부문이 상호 협조 하에 분담하여 지원하고 있다.
이차원 결정인 그래핀(graphene)은 전하도핑(charge doping)과 기계적 변형에 민감하기 때문에 기판의 물리 및 화학적 구조 및 특성에 따라 그래핀의 물성이 크게 영향을 받는다고 알려져 있다. 특히 널리 사용되고 있는 산화실리콘($SiO_2$/Si) 기판에 존재하는 나노미터 크기의 굴곡과 전하 트랩(charge trap)은 전하 이동도 및 화학적 안정성 등의 면에서 그래핀 고유의 뛰어난 물성을 제한하는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 비정질 산화실리콘 기판을 대조군으로 삼아 편평도가 높은 결정성 h-BN (hexagonal boron nitride) 기판이 그래핀에 미치는 영향을 관찰하였다. 화학기상증착법(chemical vapor deposition 또는 CVD)으로 성장시킨 그래핀을 각 기판에 전사시킨 후 라만 분광법을 통해 전하 도핑 및 기계적 변형 정도를 측정하였다. h-BN 위에서는 외부 환경에서 기인하는 전하 도핑 정도가 산화실리콘 기판보다 적게 관찰되었다. 또한 h-BN 위에 고착된 그래핀 시료에서는 기판-그래핀 상호작용에서 기인하는 것으로 보이는 새로운 라만 분광 특성이 관찰되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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