• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.144-145
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• 2002

Al$_2$O$_3$층을 터널 장벽으로 사용하는 Magnetic Tunnel Junction(MTJ)시료의 특성에 가장 크게 작용하는 요인 중에 한 가지는 양질의 Al산화막 형성에 있다. Al산화막이 터널 장벽으로 제대로 된 역할을 하기 위해서는 Al층에 인접한 자성층에 영향을 미치지 않으면서 Al층을 균일하게 산화시킬 수 있는 조건이 만족되어야 하며, 이러한 $Al_2$O$_3$층의 제작에 가장 적합한 실험적 조건은 Al층의 산화에 Low power plasma를 사용하며, 산화 Chamber내부를 되도록 높은 분압의 산소 분위기로 유지시켜서 조금씩 장시간 동안 Al을 산화시키는 것이다. (중략)

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.8
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• pp.660-667
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• 1997

AI-Mg-합금의 용융산화에 의해 생성되는 AlO$_{2}$O$_{3}$-복합재료의 미세구조에 미치는 합금원소의 영향을 연구하였다. AI-1Mg 합금과 AI-3Mg 합금을 기본으로하여 Si, Zn, Sn, Cu, Ni, Ca, Ce를 1, 3, 5 %를 무게비로 첨가하였다. 각 합금을 1473K에서 20시간 유지하여 산화시킨 후 산화층의 거시적 형상과 미세구조를 광학현미경으로 관찰하였다. 각 미세구조의 상분율을 상분석기로 측정하였다. 산화층의 최첨단면은 SEM과 EDX로 관찰하고 분석하였다. Cu나 Ni를 첨가한 합금으로부터 성장한 산화층의 미세구조가 가장 치밀하였다. Zn이 포함된 합금으로부터 성장한 산화층 최첨단 성장면에는 ZnO가 관찰되었다. Zn이 포함되지 않은 다른 합금의 성장 전면에는 항상 MgAi$_{2}$O$_{4}$상이 관찰되었다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• v.19 no.2
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• pp.122-129
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• 1987

Experiments and numerical analysis have been performed to investigate the effect of preoxidation by oxidizing Zircaloy-4 specimens at a higher temperature after a period of exposure at a lower temperature. The oxidation experiments were performed between $700^{\circ}C$ and 85$0^{\circ}C$ after Preoxidation at $650^{\circ}C$ in a steam and water mixture for 600 seconds and 1,800 seconds. As the thickness of preoxidized layer increased, the oxidation rate of preoxidized specimens at higher temperature became lower than that of as-received claddings. A transition region of oxidation rate exist in the preoxidized specimens, and the region disappeared rapidly as the oxidation temperature increased. This effect appeared more clearly at lower temperatures. According to the results of numerical analysis performed in this study, the growth rate of oxide layer thickness and weight gains were similarly affected by the thickness of preoxidized layer.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.133-133
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• 2017

[서론] Pure Ti 및 Ti합금의 양극산화법에 의해 만들 수 있는 자기조직화된 나노튜브피막은 광촉매, 태양전지 등 다양한 분야에서 많은 연구가 되고 있다. 양극산화법에 의해 생성되는 산화피막층의 성장거동에 대해서 지금까지 용액의 pH, 온도 및 인가전압 등 양극산화조건의 영향에 대해 많은 연구가 보고 되었다. 하지만, 양극산화에 사용되는 기판의 특성에 대해서는 많은 연구가 이루어지지 않고 있다. 본 연구에서는 pure Ti 및 Ti-Ni합금에 양극산화법에 의해 생성하는 나노튜브 피막층의 성장거동에 대해 기판의 특성(Ni농도 변화 및 phase변화)이 피막층의 형태 및 성장거동에 미치는 영향에 대해서 조사 하였다. [실험방법] Sample은 pure Ti 및 Ti-xNi(x=49.0, 51.1, 52.2, 52.5 at.%)를 이용하였다. Ti-Ni합금은 아크용해로 제작 후 $1000^{\circ}C$ 에서 24시간 균질화 처리 후 20% 냉간압연을 하였다. 합금의 조성 및 결정구조 분석은 EPMA 및 XRD를 통해 조사 하였고, 양극산화는 미량의 물 및 불화암모늄을 포함한 에틸렌글리콜 용액에서 20, 35, 50V 20분간 실시하였다. 양극산화법에 의해 형성한 산화피막층은 FE-SEM 및 TEM을 통해 관찰 하였다. [결론] Pure Ti의 경우 모든 조건에서 나노튜브형태의 산화막이 형성되는 것을 알 수 있었다. 하지만, Ti-Ni 합금의 경우 20V, 35V에서는 sponge 형태의 산화막이 형성되고, 50V에서만 나노튜브형태의 산화막이 형성 되었다. 또한, 모든 시편에서 양극산화 시간이 증가함에 따라 나노튜브형태의 산화막은 sponge 형태로 구조적 변화가 일어나는 것을 알 수 있었다. 그리고, 기판 Ni농도가 증가 함에 따라 형성되는 산화막의 형태 변화는 가속화 되는 것을 알 수 있었다. 이러한 결과는 양극산화 초기 Ti의 우선적 산화에 의해 Ti과잉의 나노튜브층이 생성되고, 동시에 산화막과 합금계면에 Ni과잉층이 형성되는 것을 알 수 있었다. 산화막과 합금계면에 생성된 Ni과잉층에 의해 양극산화 시간이 증가함에 따라 sponge형태의 산화막이 생성되는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.275.1-275.1
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• 2016

반전형 폴리머 태양전지는 그 구조에 의하여 훌륭한 안정성을 가질 뿐만 아니라 roll-to-roll 공정을 통한 대량생산이 가능하여 각광받고 있는 구조이다. 이런 반전형 구조에서, 금속 산화물 나노파티클에 의해 만들어지는 금속 산화물 층은 전자수송층으로서 사용된다. 이 연구에서는 표면개질 물질인 PEIE (Polyethyleneimine-ethoxylate)와 화학적으로 기능화된 산화아연/그래핀 핵/껍질 양자점을 이용하여 전기수송층의 역할을 하는 기능화된 산화아연/그래핀 단분자층을 가지는 태양전지를 제작하였다. 이는 기능화된 산화아연/그래핀 단분자층이 표면개질, 광센서, 전기수송층의 역할을 동시에 수행하는 효과로 인해 제작된 태양전지는 향상된 전자 수집능력을 보였다. 단분자층이 잘 형성되어 있는지 확인하기 위하여 집속 이온 빔 장비를 이용하여 태양전지의 내부 구조를 확인하였으며, density functional theory (DFT)을 이용한 모델링을 통하여 기능화된 산화아연/그래핀 양자점의 전자상태밀도를 분석하였다. 기능화된 산화아연 단분자층에 의한 효과적인 계면 제어 및 전하수송에 의해 약 10.3%의 높은 효율을 가지는 반전형 폴리머 태양전지를 제작할 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.22 no.1
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• pp.117-124
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• 2018

Junctionless amorphous InGaZnO thin film transistors with different film thickness have been fabricated. Their device performance parameters were extracted and gate oxide breakdown voltages were analyzed with different film thickness. The device performances were enhanced with increase of film thickness but the gate oxide breakdown voltages were decreased. The device performances were enhanced with increase of temperatures but the gate oxide breakdown voltages were decreased due to the increased drain current. The drain current under illumination was increased due to photo-excited electron-hole pair generation but the gate oxide breakdown voltages were decreased. The reason for decreased breakdown voltage with increase of film thickness, operation temperature and light intensity was due to the increased number of channel electrons and more injection into the gate oxide layer. One should decide the gate oxide thickness with considering the film thickness and operating temperature when one decides to replace the junctionless amorphous InGaZnO thin film transistors as BEOL transistors.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2004.05b
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• pp.658-660
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• 2004

In this paper, we have investigated electrical characteristics about doble gate MOSFET with changed oxide layer thickness of nam Sate and side gate, main gate and Si-substrate. We have known that optimum thickness of nam gate and side gate at 4nm, gate and Si-substrate at 3nm. We have applied for side gate voltage 3V, and drain voltage 1.5V. finally, we have known that importance of oxide layer thickness between main gate and Si-substrate better than main gate and side Sate.

• Analytical Science and Technology
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• v.8 no.3
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• pp.351-358
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• 1995

Oxidation behavior on the surface of Nd-Fe-B ribbon alloy has been studied by X-ray Photoelectron Spectroscopy. In the incipient stage of oxidation on the surface of "as-received" ribbon Nd-oxide film was formed from the fast oxidation of Nd and Fe was metal state in bulk. In process of oxidation time Fe was more abundant in the outmost surface of ribbon from the defused Fe through Nd-oxide film and layer structure of oxidation film was formed.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.329-329
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• 2012

알루미늄 합금은 기존에는 경량소재로써 각광을 받아왔지만, 최근에는 다양한 전자 및 기계 부품에서 방열이 크게 대두 됨에 따라 방열 소재로써의 관심이 증가하고 있다. 알루미늄 합금의 고유한 표면처리법인 양극산화에의해 생성되는 산화층의 열전도도에 대한 연구를 실시하였다. 또한, 이들 산화층은 실리이라는 후처리에 의해서 기공구조의 변화가 일어나는데, 이 실링 처리가 열전도도에 미치는 영향에 대해서 확인해 보았다. 양극 산화피막의 미세 기공층이 비어있는 경우에 비해서 실링에 의해서 기공이 산화물 및 수산화물로 채워진 경우 열전도도가 증가하였다. 또한, 산화층의 기공률에 따라서 열전도도가 증가되는 비율의 차이가 발생하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.265-265
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• 2010

고분자 소재(polycarbonate; PC)의 표면을 보호하고 광학적 특성을 유지하기 위해 산화물 다층 박막과 비정질 탄소 박막(diamond-like carbon; DLC)을 전자빔 증착(e-beam evaporation)과 이온빔 증착(ion-beam deposition)을 이용하여 고분자 소재에 코팅하였다. 전자빔 증착으로 코팅된 실리콘과 티타늄 산화물 다층 박막은 소재 표면에서 가시광선의 반사율을 낮추는 효과를 가지고 있어 다양한 광학 코팅분야에서 이용되고 있다. 비정질 탄소 박막은 경도가 높고 마찰계수가 낮기 때문에 기계부품의 수명향상을 향상하기 위해 주로 사용되며, 본 연구에서는 고분자 소재의 최상층에 코팅하여 보호막으로 이용하였다. 고분자 윈도우에 산화물 다층 박막을 코팅하면 코팅되지 않은 기판과 비교하여 투과율이 향상되었으며 보호막으로 코팅된 비정질 탄소 박막에 의해서 일어나는 투과율 저하를 부분적으로 상쇄하는 효과를 보였다. 산화물 다층 박막의 수는 광학 분야에서는 주로 5-7층을 이용하지만 고분자 소재는 코팅 공정이 길어지면 열 변형이 일어날 수 있기 때문에 산화막의 층수를 낮추는데 초점이 맞춰졌다. 5층과 3층으로 코팅된 산화물 박막 모두 투과율이 향상되었으며 3층에 비해서 5층의 투과율 향상효과가 큰 것으로 나타났다. 고분자 소재의 투과율은 평균 약 90%이었으며 산화물 다층 박막과 비정질 탄소 박막을 코팅한 후 투과율이 약 81%로 측정되었다. 비정질 탄소 박막과 산화물 다층 박막을 적절하게 설계하고 코팅한다면 고분자 소재의 보호막으로 이용될 수 있을 것으로 판단된다.