• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.117-117
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• 1998

• 대한화학회지
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• 제60권4호
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• pp.239-244
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• 2016

안정된 구조로 알려진 산화구리 클러스터(Cu_nO_n, n = 1 - 8)를 이용하여 구리 원자를 규소 원자로 치환하여 Cu_mSiO_m+1 (m = 0 - 7)의 안정된 구조를 최적화하였다. B3LYP/LANL2DZ의 이론수준에서 계산하였으며 중성과 하전된 안정된 구조를 계산하였다. 구리원자를 규소 원자로 치환으로 인한 구조적 변화를 위해 결합길이, 결합각, 그리고 Mulliken 전하를 계산하였다. 클러스터의 상대적 안정성을 구하기 위해 second differences in energy를 계산하였고 전기적 특성을 연구하기 위해 이온화 에너지와 전자친화도 계산을 수행하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.433.2-433.2
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• 2014

그래핀(graphene)은 탄소나노튜브(CNTs)에 비해 가격 경쟁력이 있고 우수한 광투과성과 전기 및 열 전도성을 갖고 있어 반도체 소재, 방열 소재, 접점 소재 등에 적용 가능성이 높은 재료로 주목받고 있다. 특히 모바일 디바이스의 소형화, 고집적화 등의 이슈로 인해 그래핀 소재의 방열 소재 적용을 위해 다양한 연구가 진행되고 있다. 한편 산화 구리 나노선(CuO Nanowire)은 전기 및 열전도도가 우수하고 1차원 나노 구조는 부피대비 큰 표면적, 종횡비가 커서 뛰어난 열전도 구조로서 방열 소재로 응용되기 좋은 조건을 갖고 있다. 본 연구에서는 2차원 구조의 그래핀 나노플레이트(Graphene Nanoplatelet)와 1차원 구조의 CuO NW를 하이브리드화를 통해 열전도도 향상를 개선시키고자 하였다. 소재 합성은 GNP에 Cu 무전해 도금을 진행한 후 열산화 방식을 적용하여 CuO NW를 직접 성장시키는 방식으로 진행하였다. 합성된 GNP-CuONWs 다차원 나노구조체의 열전도도 측정은 에폭시에 분산시켜 레이져 플레쉬법을 이용하였다. 미세 구조 관찰 결과, CuO NW 성장 거동은 열처리 온도 및 시간 그리고 O2 가스의 순환 환경이 주요인자로 작용하는 것을 확인하였다. 열전도도 향상은 다차원 구조의 특성으로 인해 면접촉과 선접촉이 동시에 이루어졌기 때문인 것으로 분석되었으며, 이러한 CuO NWs morphology와 열전도도 향상과의 상관 관계에 대해 논의할 것이다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제21권1호
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• pp.45-50
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• 2014

반도체 미세구리배선 적용을 위하여 구리배선의 습식 표면처리 및 열 사이클에 따른 구리 박막과 실리콘질화막 도포층 사이의 계면접착에너지를 4점굽힘시험을 통해 정량적으로 평가하였다. 구리배선을 화학적 기계적 연마한 후 습식 표면처리를 통하여 구리 박막과 실리콘질화막의 계면접착에너지는 $10.57J/m^2$에서 $14.87J/m^2$로 증가하였다. $-45{\sim}175^{\circ}C$범위에서 250사이클 후, 표면처리를 하지 않은 시편의 계면접착에너지는 $5.64J/m^2$으로, 표면처리를 한 시편은 $7.34J/m^2$으로 감소하였으며, 모든 시편의 박리계면은 구리 박막과 실리콘질화막 계면으로 확인되었다. X-선 광전자 분광법으로 계면 결합 상태를 분석한 결과, 화학적 기계적 연마 공정 후 구리배선의 표면 산화물이 습식표면처리에 의해 효과적으로 제거된 것을 확인하였다. 또한, 열 사이클 처리동안, 구리 박막과 실리콘질화막의 큰 열 팽창 계수 차이로 인한 열응력으로 인하여 구리 박막과 실리콘질화막 계면이 취약해지고, 계면을 통한 산소유입에 따른 구리 산화층이 증가하여 계면접착에너지가 저하된 것으로 판단된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권3호
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• pp.55-60
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• 2020

최근 참단 반도체 패키징 기술은 고성능 SIP(system in packaging) 구조로 발전해 가고 있고, 이를 실현시키기 위해서 구리 대 구리 접합은 가장 핵심적인 기술로 대두되고 있다. 구리 대 구리 접합 기술은 아직 구리의 산화 특성과 고온 및 고압력 공정 조건, 등 해결해야 할 문제점들이 남아 있다. 본 연구에서는 아르곤과 질소를 이용한 2단계 플라즈마 공정을 이용한 저온 구리 접합 공정의 접합 계면 품질을 정량적 접합 강도 측정을 통하여 확인하였다. 2단계 플라즈마 공정은 구리 표면에 구리 질화막을 형성하여 저온 구리 접합을 가능하게 한다. 구리 접합 후 접합 강도 측정은 4점 굽힘 시험법과 전단 시험법으로 수행하였으며, 평균 접합 전단 강도는 30.40 MPa로 우수한 접합 강도를 보였다.

• 대한화학회지
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• 제36권1호
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• pp.24-27
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• 1992

구리나 아연 막대에 의하여 은 졸의 응결이 일어난다. 은 졸의 표면에 있는 은 이온이 구리 혹은 아연 금속과의 산화-환원 반응에 의하여 은 금속으로 환원되면서 응결이 일어난다고 여겨진다. 구리 막대로 응결시킨 은 졸의 라만 스펙트럼을 연구하였다. 은 콜로이드 표면에 붕산과 질산 이온이 흡착되어 있다는 증거를 발견하였다. 은 콜로이드 표면에 흡착된 이들 이온들은 첨가된 흡착제에 의하여 쉽게 치환된다는 사실 또한 발견하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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• pp.157-157
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• 2015

전기화학 성능이 우수하고 고내구성 고속 구리 전해도금용 DSE를 개발하기 위해 전기화학적 특성이 좋은 백금족 산화물의 조성비, 전처리 등의 공정으로 전극을 제조한 후, 고 전류밀도 조건에서 구리 전해도금을 실시하여 유기첨가제 소모율을 측정하여 최적의 전극제조 공정 조건을 확보하였다. 최적조건의 전극과 시제품 전극들을 비교분석한 결과, 상용 DSE와 비슷하거나 상회하는 내구수명을 가지는 것을 확인하였다.

• 한국대기환경학회지
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• 제10권2호
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• pp.83-89
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• 1994

The reaction of sulfur dioxide with cupric oxide was investigated over a temperature range of 300-50$0^{\circ}C$, and the regenaration reaction was studied using cupric sulfate and hydrogen over a temperature range of 240-35$0^{\circ}C$ in a fixed bed reactor. The experimental results showed that the efficiencies for elimination and regenaration reactions were maximum at 45$0^{\circ}C$ and at 30$0^{\circ}C$ respectively. In both cases the experimental data could be interpreted properly by shrinking unreacted core model while the chemical reaction is rate controlling step. The reaction rate constants were determined to be 24.88 exp(-6724/RT) (cm/min) for elimination reaction, and 0.0165 exp(-2047/RT)(cm/min ) for regeneration reaction.

• 대한지역사회영양학회:학술대회논문집
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• 대한지역사회영양학회 2003년도 춘계학술대회 및 비만ㆍ다이어트 박람회
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• pp.138-138
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• 2003

흡연은 각종 암의 발병율을 높이고 동맥경화증, 혈전증과 같은 관상심장질환의 주요 발병요인이 되는 것으로 알려져 있다. 흡연자에게 보여지는 지질과산화작용에 의한 LDL의 산화는 구리나 철과 같은 항산과 관련 무기질에 의해 촉진되며, 특히 구리는 매우 연관성이 높은 물질로 보고되었다. 따라서 흡연자의 혈중 무기질 함량의 측정은 항산화 능력과 심혈관계 질병의 진단 및 예후 판정에 민감한 지표로 사용할 수 있을 것으로 사료된다. (중략)

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 1998년도 가을 학술발표회논문집
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• pp.497-500
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• 1998

고분자 물질에 처리하는 전자기파 차폐처리 방법으로서 무전해 도금법은 차폐 처리하고자 하는 매트릭스 표면에 균일한 금속 필름을 형성할 수 있으며 차폐효과가 크고 시료의 형태가 복잡하여도 응용 가능한 가공방법으로 알려져 있다. [1,2] 무전해 구리 도금의 경우, 도금용액 중에 포함되는 환원제의 산화반응에 의해 유리되는 전자에 의하여 금속이온을 환원함으로써 금속 피막을 석출시키며 이때 일어나는 반응 메카니즘은 다음과 같다. [3] (중략)