평판형 고체산화물 연료전지(planar SOFC : Solid oxide Fuelcell)는 높은 전류 효율 및 출력밀도를 가지는 중,대형 발전용 전기소자이다. SOFC 스택을 600~800도에서 작동할 경우, 금속 분리판에서 휘발된 크롬에 의한 열화현상과 금속의 산화에 의한 표면 저항의 증가가 큰 문제점으로 알려져 있으며, 이를 개선하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 금속 분리판의 열화를 억제하기 위한 여러 보호코팅의 특성을 밝히고, 특성차이의 원인을 분석하고자 하였다. 모재는 상용 STS444합금 (Nisshin steel 생산) 2.0mmt 박판을 사용하였으며, 표면 상태를 균일하게 하기 위하여 표면은 동일한 #1200 번 사포로 연마후 코팅하였다. 적용한 코팅은 전기도금 Ni 코팅, (MnCo)3O4 wet powder spray 코팅, (MnCo)3O4 ADM코팅 3종이었으며, 코팅층의 두께는 최적 공정조건에 따라 달리 하였다. 산화후 형성되는 표면 산화물의 전기적 특성을 평가하기 위하여 시험편의 비면적 저항 (ASR : area specific resistance)을 장시간 측정하였다. 측정편의 크기는 가로 4cm ${\times}$ 세로 4cm였으며, 100시간 공기중 산화후 측정하였다. 표면 접촉을 높이기 위하여 Pt paste를 40~50um도포하였으며, 1~0.1A인가된 전류에 대한 저항을 4전극법 (4-probe)으로 측정하였다. 표면 코팅층이 크롬 휘발을 억제하는 정도를 평가하기 위하여 크롬 휘발량을 측정하였다. 시편은 가로 1.5cm ${\times}$ 세로 1cm 였으며, 공급된 공기와 수분의 혼합가스와 응축기 표면에 흡착된 크롬의 양을 ICP-MASS법으로 측정하였다.
본 연구에서는 Sr이 치환된 이중층 페로브스카이트($SmBa_{0.5}Sr_{0.5}Co_2O_{5+{\delta}}$, SBSCO)와 전해질 물질로 사용되는 $Ce_{0.9}Gd_{0.1}O_{2-{\delta}}$ (CGO91)을 기반으로 한 중 저온형 고체산화물 연료전지 (ITSOFC) 복합공기극의 분말 크기와 열 사이클에 대한 전기화학특성을 연구하였다. 복합공기극의 모체가 되는 SBSCO에 CGO91물질을 이용하여 면적비저항을 확인 한 결과 약 $0.54\sim9.04{\mu}m$의 분말 크기를 보이는 SBSCO와 $0.4\sim42{\mu}m$의 분말 크기를 보인 CGO91이 각각 50 wt%로 구성된 SBSCO : 50 복합공기극이 600 및 $700^{\circ}C$에서 약 0.102 및 $0.013{\Omega}cm^2$의 우수한 면적비 저항을 가지는 것을 확인 하였으며 상대적으로 분말 크기가 큰 CGO91 분말을 이용한 두 개의 공기극의 경우 $700^{\circ}C$에서 약 $0.260{\Omega}cm^2$와 $0.055{\Omega}cm^2$의 특성을 보여주었다. 10회에 걸친 열 사이클실험을 통하여 SBSCO : 50의 면적비저항은 $0.0193{\Omega}cm^2$에서 $0.094{\Omega}cm^2$로 증가하였으며 7회 이후의 면적비저항은 일정하게 유지됨을 확인하였다.
Bipolar pulsed dc magnetron sputtering을 이용하여 태양전지의 투명 전도막용으로 유리기판 위에 Al doped ZnO (AZO) 박막을 증착하였다. $400{\times}400\;mm$의 대면적 기판에 증착하기 위해서 $5{\times}25$ inch 대형 사각 AZO target (Al 2 wt%)을 사용했고, $50{\sim}250\;kHz$의 bipolar pulse를 인가하였다. 실제로는 $400{\times}400\;mm$ 면적의 기판에 slide glass 16개를 사용했으며, 약 700 nm 두께에서 두께와 투과도, 비저항의 균일도를 평가하였다. Bipolar pulse의 주파수 150 kHz일 때, 가장 우수한 특성을 갖는 AZO가 증착되었으며, $2.13{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$의 비저항에 가시광선 영역에서 82%의 투과율을 보였다. 또한, $400{\times}400\;mm$ 대면적 기판에서의 두께와 투과도, 비저항의 불균일도는 각각 5%, 1%, 9% 였다.
RF 및 고속 아날로그 특성 및 제조 공정의 용이성에 의하여 고속 유무선통신 및 초고주파 분야에서 많이 이용되고 있는 SiGe 집적회로에서, SiGe 박막 저항기의편차를 줄여 집적회로의 신뢰성을 높이는 것이 중요하다. 본 논문에서는 실리콘계 박막 저항기 제조 후 발생하는 불균일한 저항 값 분포의 원인 규명과 그 해결 방안에 대하여 고찰한다. SiGe 박막 저항기의 실리사이드가 존재하는 컨택 영역에서 Ti-B석출물의 영향으로 인하여 저항 값의 불균일성 발생하는데, 이를 최소화하기 위하여는 가능한 최대의 boron 이온을 주입할 필요가 있다. SiGe 저항기와 금속을 배선하기 위한 컨택 홀의 크기가 작을수록 SiGe 층 내에서 돌출부가 컨택 홀의 전체면적을 차지하게 될 확률이 커지게 되어 접촉저항이 비정상적으로 커질 확률 또한 높아지게 되므로, 돌출부가 생성되는 SiGe 저항기의 경우는 컨택 홀의 면적을 크게하여 SiGe 저항기의 편차를 개선하였다.
산사태 연구에서 풍화대 안에 분포하는 점토광물의 함유량은 매우 중요한 요소이다. 산사태 발생과 관련된 지하 구조를 파악하고 미끌림 면을 확인하기 위해 일반적으로 지구물리탐사를 수행하는데 특히 전기비저항 단면이 많이 사용된다. 이 연구에서는 풍화대에 분포하는 카올리나이트와 몬모릴로나이트와 같은 점토광물에 의한 전기전도도의 증가효과(전기비저항의 감소효과)를 해석하기 위해 병렬모델 아치의 방정식을 이용하였다. 점토의 전기전도도는 광물의 종류 및 그 비표면적과 양이온 교환능력에 따라 달라진다. 간극수의 전기비저항이 증가함에 따라 매질의 전체 비저항과 지층인자는 작아지는데 카올리나이트에 비해 몬모릴로나이트가 훨씬 작게 나타난다. 또한 공극률이 커지고, 고결인자가 작아질수록 지층인자가 감소하는 것으로 나타난다. 점토광물에 대한 병렬모델 아치의 방정식을 현장자료에 적용하기 위해 2014년 땅밀림 산사태가 일어난 충남 태안 신진도리에서 수집되어 처리·해석된 전기비저항자료를 사용하였다. 기존의 실험식에서 카올리나이트의 함유량에 따라 결정되는 계수들을 활용하여 풍화대의 전기비저항 값들을 계산하고 이들을 전기비저항 수치모델링에 포함시켰다. 점토 함유량을 변화시켜 만든 여러 개의 이론자료들 중에서 현장자료와 가장 근접하는 모델자료를 선택하여 이에 입력된 점토 함유량 10%를 이 지역의 풍화대에 대한 점토 함유량으로 추정하였다. 땅밀림 연구에서 처음 시도된 전기비저항 자료를 이용한 점토 함유량의 추정기법은 차후 점토 함유량 외에 전기비저항에 영향을 미치는 다른 인자(공극률, 포화도, 간극수의 전기비저항)들에 대한 자료를 확보하고 이들을 수치모델링에 먼저 포함시켜 수행할 때 더욱 그 신뢰성은 더욱 높아질 것으로 기대된다.
전기비저항 탐사 방법은 매질의 표면에 관입된 두 전극의 전위차와 전류와의 관계를 통해 전기 저항을 측정하고, 형상 계수를 이용하여 매질의 고유한 특성인 전기비저항을 계산한다. 현장 및 실대형 크기의 전기비저항 실험은 전극과 매질 사이의 접촉 면적이 적고, 전극 간 거리가 충분하기 때문에 계산상 편의를 위해서 동일한 표면적을 가진 반구형으로 치환하여 전기비저항을 산정한다. 하지만, 실내 소규모 크기의 전기비저항 실험은 전극의 지오메트리(전극의 관입 깊이, 전극사이의 거리, 전극의 길이와 반지름 크기)로 인해서, 등전위면과 전류 흐름이 달라지게 되므로, 궁극적으로 전기비저항값의 오차를 야기한다. 본 연구는 기존 연구에서 유도된 4가지 전극 형상(반구, 원기둥, 반구형 팁을 가진 원기둥, 콘형 팁을 가진 원기둥)에 따른 전기 저항 이론식을 정리하고, 전극 형상을 고려한 전기 저항 수치 해석을 실시하였으며, 이론식과 수치 해석 결과들의 비교를 통해서 개발된 수치 해석 모듈을 검증하였다. 또한, 각 전극 형상에 따른 전극 주변과 전극사이에 형성된 전기 저항 분포를 분석하였다. 추가적으로, 현장 전기비저항 탐사에서 주로 사용되는 콘형 팁을 가진 원기둥 전극의 전기적 특성에 따른 전류 흐름 분포를 고찰하였다.
벼 흰빛잎마름병에 대한 새로운 포장 저항성 검정법을 모색하기 위하여 검정 식물체 접종법과 인접 식물체 접종법을 비교 검토하였다. 새로운 검정법인 검정 식물체 접종법에서는 포장 저항성 검정 식물체를 전엽접종한 발병엽으로부터 새로 출엽된 잎에 이차전염된 발병 엽면적율을 측정하였다. 검정 식물체 접종으로 검정된 포장 저항성 정도는 인접 식물체 접종 결과와 높은 상관이 인정되었으나 포장 저항성 정도는 검정 식물체 접종법에서 명확히 구분되었다. 공시한 33품종 중에서는 밀양 42호, 삼강벼, 태백벼, 한강찰벼, 섬진벼, 70 X-46, 중국 45호 등이 강한 포장 저항성을 보였다. 새로운 포장 저항성 검정법은 품종의 질적 저항성 및 포장 저항성을 동시에 검정할 수 있을 뿐만 아니라 다른 검정법에 비하여 노력과 포장 면적이 적게 들기 때문에 유용한 검정법으로 이용될 수 있을 것으로 생각된다.
목 적 : 복부 비만은 고혈압, 인슐린 저항, 고인슐린혈증, 당뇨, 고지혈증과 같은 많은 심혈관계 질환의 위험 요인으로 제시되고 있다. 복부 비만을 측정하는 지표로 허리/둔부 비와 허리둘레가 사용되고 있으나, 관상동맥 질환의 예측인자로 복부 비만의 측정학적 cut-off 수치가 소아에서는 아직 제시되지 못하고 있다. 복부 전산화 단층촬영과 초음파를 이용하여 복부 지방을 측정하고, 여러 비만 지표들과의 상관관계를 연구함으로써 복부 비만의 합병증으로 초래되는 심혈관계 질환의 위험인자 평가 방법을 알아 보고자 본 연구를 실시하였다. 방 법 : 비만한 청소년 27명과 나이와 성별이 대등한 정상 체중을 가진 청소년 22명을 대상으로 하여 체질량 지수와 비만 지수, 상완둘레 및 삼각근에서 피부 두께를 비교하였다. 또한, 12시간 공복 상태에서 혈중 지질 및 혈당, 인슐린, 4가지 사이토카인을 측정하고, 인슐린 저항 지수를 구하였으며, 생체 전기저항법을 이용하여 체지방량, 체지방률, 복부지방률을 측정하여 비교하였다. 비만군에서는 복부 초음파로 배꼽부위 피하지방 두께와 복강 내 지방 두께를 측정하고, 복부 전산화 단층 촬영으로 얻은 횡단면 스캔에서 전체 지방 면적을 구하였고, 이 중 피하지방의 면적을 감산하여 복강 내 지방 면적을 구하였다. 결 과 : 소아에서 복부 CT로 측정한 총 지방 면적과 생체 전기 저항법으로 측정한 총지방량과 상관성이 매우 높았다(r=0.954, P<0.05). 복부 CT에서 측정한 복강 내 지방 면적은 상완둘레, 복부비만율, 초음파로 측정한 복부 내 지방 깊이 및 피하 지방량, 체질량 지수, 중성지방 등과 상관성이 높았다. 결 론 : 복부 CT는 복강 내 지방을 측정하는 가장 정확한 방법이지만 임상적으로 유용하지 못하므로, CT와 상관성이 높은 복부 초음파로 대치할 수 있다. 외래나 학교 신체검사에서 사용할 수 있는 선별 검사로는 생체 전기 저항법에 의한 체지방 측정, 상완 둘레, 체질량 지수, 허리/둔부 비 등이 있다. 소아 성인병의 심혈관 위험 예측 지표로는 공복시 leptin, 중성지방, 인슐린 농도 등을 사용할 수 있다.
저온 동시 소성용 후막 NTC 서미스터를 Mn1.5Ni0.4Co0.9Cu0.4O4 조성의 NTC 분말과 lead free frit 및 RuO2를 이용하여 제조한 페이스트를 96 % 알루미나 기판 위에 인쇄와 소결을 통해 제조한 후, 이 후막 NTC의 전기적 특성에 미치는 프릿트 및 RuO2의 영향을 연구하였다. 후막 NTC 서미스터의 저항은 동일한 온도에서 소결한 벌크 상에 비해 높게 나타났으나 저항-온도 특성에서 부 저항 온도 특성은 더 명확하게 직선적으로 나타남을 알 수 있었다. 한편, 소결온도 증가에 따라 면적저항은 감소하였고 프릿트 첨가량이 많을수록 면적저항은 높게 나타났다. 후막 NTC 서미스터의 B 정수는 3000 K 이상의 값 나타냈는데 그 중 프릿트를 5 wt% 첨가한 페이스트로 만든 후막 NTC를 900℃에서 소결한 시편의 B 정수가 가장 높게 나타남을 알 수 있었다. 또한, RuO2 첨가에 따라 면적저항의 감소가 나타남을 알 수 있었으며 RuO2를 5 wt% 첨가한 페이스트를 900℃에서 소결한 후막 NTC 서미스터의 면적저항 감소의 변화가 가장 뚜렷이 나타남을 알 수 있었다.
외래 저항성 유전자, Proteinase inhibitor II가 형질전환된 3계통의 벨기에 포플러를 대상으로 딱정벌레에 대한 유전자 발현정도가 기내에서 조사되었다. 포플러 계통은 선발 유전자로서 Nos-promoter와 Neomycin phosphotransferase gene에 의하여 조절되고 곤충에 대한 저항성 유전자로서 CaMV-35S와 Pin2(Proteinase inhibitor II)에 의한 형질전환체이다. 특히, 형질전환된 포플러의 내충성 저항력을 조기검정하기 위하여, 조직배양을 응용한 새로운 방법으로서 곤충의 알을 표면 살균하여 기내의 조직배양묘와 배양하는 동시배양 방법이 이용되었다. 형질전환된 포플러의 저항성은 기내에서 유충에 의해 섭취된 잎면적, 잎 섭취에 의한 유충의 무게 증감, 유충의 성장단계 등에 의하여 조사되었다. 특히, 잎면적은 각각의 LPI(Leaf plastochron index)별로 측정되었고, 잎면적, 유충의 무게, 곤충의 성장 속도는 형질전환체와 비형질전환체 간에 큰 차이를 보였다. 기내에서 무병상태로 배양된 알들이 부화된 후, 유충의 잎 섭취도는 LPI 4와 5사이에서 가장 높았다. 본 실험의 기내 배양법은 외래유전자를 삽입한 이후에 곧바로 발현을 빠른 시간내에 조기검정 할 수 있는 새로운 방법의 개발이라 할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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