• 한국통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국통신학회 1996년도 하계종합학술발표회 논문집(상)
• /
• pp.597-600
• /
• 1996

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.353-353
• /
• 2012

채널 도핑이 다른 비대칭 구조를 갖는 NMOSFET의 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), maximum transconductance (GM) 및 threshold voltage (VT)와 같은 다양한 변수를 측정하였고 DAHC (Drain avalanche hot carriers) 스트레스에 따른 특성을 추출하였다. 전기적 특성은 반도체 파라미터 분석기를 사용하여 Probe system에서 진행되었다. 문턱전압은 Normal channel dopoing의 경우 0.67 V, High channel doping의 경우 0.74 V로 High channel doping된 소자가 상대적으로 높은 문턱전압을 보였다. Swing의 경우 Normal channel doping의 경우 87 mV/decade, high channel doping의 경우 92 mV/decade으로 High channel doping된 소자가 더 높은 Swing값을 보였다. 스트레스 인가 후 두 소자 모두 문턱전압이 증가하고 ON-current가 감소하였다. High channel doing된 소자의 경우 Normal channel doping된 소자보다 문턱전압의 증가율과 Current 감소율 측면 모두 스트레스에 더 민감하게 반응하였다. 문턱전압이 서로 다른 비대칭 NMOSFET의 핫 캐리어 특성을 비교, 분석결과 스트레스 인가에 따라 채널 도핑이 높아질수록 드레인과 게이트간의 더 높은 전계가 생겨 게이트 산화막과 Si/SiO2 계면의 손상이 더 발생하였다. 따라서 채널 도핑이 상대적으로 높은 트랜지스터가 핫 캐리어에 의한 계면 트랩 생성 비율이 더 높다는 것을 알 수 있다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제15권7호
• /
• pp.602-617
• /
• 1990

본 논문에서는 CCITT에서 권고된 종합 정보 통신망(Integrated Service Digital Network:ISDN)에서의 가입자와 망간의 접속에 있어 S-기준점에서의 D-채널 엑세스 프로토콜의 성능을 분석하였다. 먼저 여러대의 단말이 멀티 포인트로 D-채널을 액세스하는 경우의 D-채널 엑세스 프로토콜의 queueing 모델을 세웠다. 그리고 지연 요소를 waiting queue지연과 경쟁 지연으로 구분하고, 다시 경쟁 지연을 모효 경쟁 지연과 순수 경쟁 지연으로 자누어 해석하므로서 대칭 또는 비대칭의 평균 도착률을 가진 우선도 서비스의 queueing시스템에 모두 적용할 수 있도록 하였다. 또한 대칭 시스템과 비대칭 시스템에 대한 수치 결과를 얻어, 한 단말에서 모든 정보가 지선제 우선도로 서비스되는 queueing 시스템과 비교하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제25권5B호
• /
• pp.797-808
• /
• 2000

이 논문에서는 강우 페이딩 환경하에서 Ka 밴드 위성을 사용하는 비대칭 8PSK 트랠리스 부호(Trellis-Coded Asymmetric 8PSK : TC-A8PSK)의 BER 상한을 제시한다. 대수정규분포 강우감쇠 모델을 이용하여 강우 페이딩 PDF를 새롭게 유도하고 Crane 모델의 강우강도 데이터에 근거하여 강우 페이딩 파라미터를 계산한다. 나아가 TCM 상태수와 CSI 유무에 따른 TC-A8PSK 시스템의 BER 상한을 각각 분석하고 그 성능을 비교한다. 과거 Divsalar와 Simon[9]에 의해 라이시안 페이딩 채널에서 2 상태 TCM 시스템의 BER 상한이 분석된 바 있으나 강우 페이딩 채널에서 TCM 시스템의 BER 상한을 분석한 것은 이 논문이 처음이다. 최종적으로 강우 페이딩 채널에서 TC-A8PSK 위성시스템의 BER 상한에 지배적인 영향을 미치는 요소는 사용주파수, 강우강도, 앙각, 신호전력대 잡음전력비, 비대칭 성좌각, 그리고 CSI 6가지로 요약 할 수 있다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제30권9A호
• /
• pp.830-837
• /
• 2005

다중경로 무선 채널 환경에서 지연확산에 따른 ISI를 제거하기 위한 등화기는 그 구조에 따라 선형과 비선형 구조로 구분할 수 있다. 본 논문은 ISI제거 성능이 개선된 적응형 선형 등화기를 제안한다. 제안된 등화기는 준 최적의 수신기인 MMSE 기반의 적응 등화기로써, 비대칭적인 구조의 등화 필터로 구성된다. 등화 필터의 비대칭적인 구조는 기준 탭을 필터 중앙으로부터 측면으로 이동시켜 구현하며, 이러한 구조는 precusor ISI와 postcusor ISI의 분리 제거를 가능하게 하여 기존의 선형 적응 등화기에 비해 향상된 ISI 제거 범위를 갖게 된다. UWB 시스템의 채널 모델인 S-V 채널에서 컴퓨터 모의실험을 통해 기존의 선형 적응 등화기와 제안된 등화기의 비튜오류율 성능을 비교한다.

• 에너지공학
• /
• 제9권2호
• /
• pp.89-94
• /
• 2000

양흡입 펌프 회전차 내부 유동특성을 수치적으로 고찰하였다. 수치계산은 설계점과 2개의 탈설계점에서 이루어졌으며, Patankar에 의해 제시된 SIMPLE 알고리즘을 이용하였다. 설계점에서는 양 회전차 채널 내부에서 대칭 형상을 갖는 이차유동 특성을 발견하였지만, 탈설계점에서는 비대칭 유동특성을 발견하였다. 수치해석 결과로는 유량감소에 따라 양흡입 펌프 회전차 채널내부의 이차유동 특성이 달라진다는 사실을 고찰하였다. 또한 양흡입 펌프 회전차 단면에는 모퉁이 와류가 존재함을 알 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제25권6A호
• /
• pp.802-812
• /
• 2000

다중흡 네트워크는 광섬유를 기반으로 하는 근거리 광통신 시스템으로 광의 무한한 대역폭을 효과적으로 활용하기 위해 다수의 파장가변 광송수신기를 사용하는 것 대신 WDM기술을 사용한다. 본 논문에서는 다중흡 방식의 WDM 네트워크 기술로서 새로운 셔플넷 방식인 비대칭 이중층 셔플넷 토폴로지를 소개한다. 1Gb/s의 통신 시스템을 기준으로, 본 연구에서 새롭게 제안한 비대칭 이중층 셔플넷 토폴로지의 성능을 평균 흡수, 수율 및 시간지연과 같은 일반적인 네트워크 파라메터를 중심으로 기존의 발표된 토폴로지들과 비교하였다. 비교 분석 결과, 새롭게 제안한 비대칭 이중층 토폴로지의 성능이 기존의 것들에 비해 더 우수함이 증명되었다. 또한, 비대칭 이중층 토폴로지를 구현함에 있어 요구되는 하드웨어의 양을 획기적으로 감소시킬수 있는 WDM 채널 공유 방식을 새롭게 제안하였다. 새로운 공유 방식을 사용하면, 예를 들어 (2,3) 셔플넷 토폴로지 시스템에서 필요로 하는 파장의 개수가 96개에서 4개로 획기적으로 줄어들게 된다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제11권3호
• /
• pp.95-99
• /
• 2007

본 논문에서는 고온 환경에서의 대칭형 HV-MOSFET과 비대칭형 HV-MOSFET 구동 소자들의 채널길이, 확장 드레인 영역의 길이의 변화에 따른 전기적 특성변화를 실험을 통해 분석 하였으며 각각의 구조별로 고온 환경에서 확장 드레인의 길이와 채널 길이의 변화에 따른 전기적 특성을 분석하였다. 실험 결과 비대칭 구조는 400K의 온도에서 드레인 전류가 300K에서 보다 약 25% 이상 감소하였고, 트랜스 컨덕턴스는 약 40% 감소, 온 저항은 약 30% 증가 하는 것을 알 수 있었다. 이러한 변화는 주로 온도 증가에 따른 캐리어 이동도의 감소에 따른 현상으로 사료 된다. 대칭 구조의 경우는 비대칭 구조보다 드레인 전류와 트랜스 컨덕턴스의 변화폭이 적었으며 각각 20%, 35%감소를 보였으며, 온 저항은 확장 드레인영역이 길어져 35%의 더 큰 증가량을 보였다. 주로 고온 환경에서 동작하는 고전압 MOSFET(HV-MOSFET)의 설계 시에는 고온 환경을 고려한 소자의 설계가 요구되며, 각 설계변수의 최적화가 필요하다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.328.1-328.1
• /
• 2016

높은 집적도를 가진 소자에 대한 요구가 커지면서 낸드 플래시 메모리에 대한 연구가 많이 이루어 지고 있다. 그러나 소자의 크기가 작아지면서 게이트 누설 전류, 셀간 간섭, 단 채널 효과 등과 같은 문제들이 발생한다. 이에 따라 제한된 공간에서의 coupling ratio값을 증가시켜야 하는 문제가 주목 받으면서 얇은 절연층에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 절연층 구조를 비대칭으로 사용한 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성을 멀티 오리엔테이션 모델을 포함한 3차원 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 계산하였다. 메모리 소자가 각 셀 간의 절연층을 가질 때 낮은 셀 간 간섭과 높은 coupling ratio 값을 가진다. 절연층 구조의 높이와 방향의 두께가 증가할수록 게이트 누설 전류의 값이 감소하였다. 또한 비대칭 절연층 구조의 플래시 메모리에서 플로팅 게이트의 on-current 레벨과 전위 값이 기존의 플래시 메모리에 비해 크게 나타나는 시뮬레이션 결과값을 관찰하였다. 비대칭 절연층 구조를 가지는 플래시 메모리는 게이트 누설 전류에 영향을 미치는 절연층 주위의 전기장의 값이 기존 구조에 비해 약 30 % 감소하였고 같은 프로그램 동작 전압에서 플로팅 게이트에 주입되는 전하의 양 또한 증가하였다. 이 연구 결과는 낸드 플래시 메모리 소자에서 게이트 누설 전류 문제를 감소시키고 프로그램 특성을 증진시키는데 도움이 된다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제18권11호
• /
• pp.1663-1668
• /
• 1993

단일종단 저역통과 필터의 설계이론을 기초로 비대칭으로 결합된 마이크로스트립 선로를 사용하여 X-band용 인접대역 다이플랙서를 실현시켰다. 중심주파수 9,11 GHz에서 채널 1과 2의 대역폭을 각각 22%와 18%로 설계하였고 SuperCompack을 이용하여 최적화하였다. 측정결과 통과 대역폭과 인접하는 채널의 차단대역에서 감쇄특성은 설계값과 잘 일치하였으나 삽입손실에서 0.5dB 정도의 차이가 있었다.