1980년 Toffoli 가역게이트 출현 이후 지난 30년 간 적당한 함수 상에 가역 임베딩을 하는 많은 가역회로 합성법들이 발표되어 오는 동안 소수의 논문만이 가역 임베딩 없이 직접적인 비가역-가역 회로 매핑 방법을 채택해 왔다. 본 논문에서는 가역 임베딩 없는 직접적 가역 매핑에 대한 효과적인 게이트비용 절감 정책을 개발하였다. 새로운 비용절감 정책을 개발하기 위해 고전회로에서 NOT 게이트 배치에 따른 Toffoli 모듈 비용의 영향을 고찰하고, 이것을 기초로 하여 고전적 AND(OR)게이트에 대한 반전입력 추가가 가역 Toffoli 모듈의 비용을 증가(감소)시킨다-라는 고전 게이트 반전입력 수와 가역 Toffoli 모듈 비용 사이의 반비례적 성질을 이끌어내었다. 직접적 가역 매핑에 선행한 반전입력 재배치 정책은 현존하는 팬-아웃 및 슈퍼셀 정책들과 병행할 경우에 가역 Toffoli 모듈의 비용과 복잡성을 개선할 수 있는 효과적인 방법이다.
전기천공(electroporation)은 세포에 nanosecond-millisecond 정도의 폭을 가지는 전기 펄스를 0.4-1.5 kV/cm 의 세기로 인가하여 세포 막 표면에 나노미터 크기의 미세한 기공을 형성하는 기술로서, 1970년대 처음 발견된 이래 수십 년 동안 다양한 생명공학 분야에 적용되어 왔다. 적절한 전기 펄스 조건 하에서 생성된 세포 막 표면의 미세 기공은 일정 시간 후 다시 사라지는 가역적 특성을 가져 이를 가역적 전기천공(reversible electroporation)이라 부르며, 주로 친수성약물, 유전자, 효소, 항체 등의 물질을 세포 내로 주입시키는 데 사용한다. 반면 이보다 강한 전기 펄스 하에 생성된 미세 기공은 사라지지 않고 결국 세포의 생명력을 잃게 하는 기전으로 작용하며, 이를 비가역 전기천공(irreversible electroporation)이라 한다. 비가역 전기천공 기술은 가역적 전기천공 측면에서는 바람직하지 않은 현상으로 인식되기도 하였으나, 최근 들어 그 장점을 이용한 기술적 접근이 이루어지고 있다. 전기천공은 주로 식품산업에서 미생물을 죽이는 기술이나 세포의 체외(in vitro) 유전자 주입 기술에 응용되어 왔으나, 현재는 암을 치료하기 위한 의학적 기술로 큰 주목을 받으며 많은 연구들이 진행되고 있고, 일부 기술은 이미 상용화 단계에 와있다. 본 발표는 전기천공의 기술적 이론적 배경과 함께 다양한 의학적 응용 기술에 대한 정보를 제공하며, 국내외 기초 및 응용 연구 동향 파악을 통해 국내 저변 확대 및 추후 발전 전망에 대해 논의 할 것이다.
본 연구에서는 300 kDa 공경의 세라믹막을 이용하여 재이용 원수인 하수 2차 방류수를 처리하여 가역 및 비가역 막오염비율을 연구하였다. 이를 위하여 운전조건인 막간차압을 변화시킬 때의 각 막오염을 수치적으로 계산하고 F-EEM과 SEC분석을 시행하였다. 또한 탁도, TOC 및 UV254를 측정하여 수질의 안정성을 평가하였다. 막간차압이 낮을수록 비가역 막오염에서 가역 막오염으로의 형성이 증가하였으며, 이는 주로 분자량이 큰 단백질 성분으로 인한 것으로 나타났다. 또한 하수 2차 처리수에는 다양한 분자량의 오염물이 함유되어 있으나 상대적으로 0.5 kDa 이하의 작은 분자량을 가지는 오염물이 가장 많았으며, 그 다음으로는 12 kDa 이상의 물질이 많았다. 300 kDa의 세라믹막은 주로 6 kDa 이상의 물질을 제거하였으며, 막간차압이 낮을수록 12 kDa 이상의 고분자 물질과 1 kDa 이하 물질이 가역 막오염으로 형성되는 것으로 나타났다.
Pyridine관여 탈수소 효소는 $N^1$-alkylnicotinamide chloride 유도체에 의하여 저해 작용을 받고 있는 바 저해제이 농도 변화에 따른 효소 저해작용이 가역 또는 비가역 불활성화 반응에 기인하는지의 여부를 밝혀 보기 위하여 토끼 근육으로 부터 유리한 L-${\alpha}$-glycerophosphate dehydrogenase를 사용하여 연구하였다. 이 효소의 저해작용은 상용한 저해제 유도체의 농도가 희박했을 경우 가역적인 효소저해 반응을 보여주고 있으나 저해제의 농도가 증가함에 따라 점차 비가역적인 효소 불활성화로서 나타남을 알았으며 이러한 비가역 불활성화 반응은 저해제의 농도가 증가함에 따라 형성될 수 있는 micelle 구조의 미세분자와의 결합에 의한 효소의 변성에 기인할 것이라고 결론을 얻었다.
경쟁력강화를 위하여 생산 극대화를 위한 공정단축과 원가절감이 절실히 필요로 하며, 화학공정등 각종 산업현장에서 조그마한 부주의가 크나큰 산업재해를 유발 할 수 있다. 변색성은 외부로부터의 자극이 열인 경우를 열 변색성(Thermocromism)이라고 한다. Thermocromic dye는 가역 및 비가역 특성에 의해 특정 온도에서 적색, 흑색, 청색등으로 변색하는 성질을 가지고 있어 생균수 측정, 생물학제재의 성분 감지, 여과기과오염 감지 등에 다양한 용도로 활용되고 있다.(중략)
전자 전도체 이온 결합 화합물, $A_{1-\delta}O_\mu$에서 전자의 흐름과 이온의 흐름 사이에서 일어나는 간섭 현상을 비가역 열역학적으로 분석하였다. 이 계를 가역 전극 사이에 두고 전기를 흘리면 주된 전하 나르게인 전자의 흐름에 의하여 잘 움직이는 양이온 빈자리들의 알짜 흐름이 유발되며, 이 반자리의 흐름은 Fick 좌표계를 실험실 좌표계에 대하여 상대적으로 움직이게 한다는 것이 드러났다. 따라서 이 상대속도는 전자와 이온의 흐름간 간섭효과의 크기와 방향을 결정하는 양이온 유효전하의 척도가 되는 것이다. 이 상대속도를 측정하는 두 가지의 실험을 고안하였다.
침지식 분리막 모듈에서 공기강도에 따른 분리막 위치에 대한 오염을 조사하였다. 분리막의 충진밀도가 낮은 곳에서 높은 유체 유속을 나타내었으며, 유체 속도는 기-액 주입률에 비례하였다. 전단응력은 기-액 주입률 및 유체 유속에 비례하였다. 비가역오염($R_{ir}$)은 흡입 압력이 가까운 부분에서 가장 높게 나타났다(position 1). 비가역오염에 대한 저항과 분리막 고유 저항의 비($R_{ir}/R_m$) 및 비가역오염에 대한 저항과 가역오염의 저항의 비($R_{ir}/R_r$)도 position 1에서 가장 높게 조사되었다. 비가역오염($R_{ir}$)은 흡입 압력이 높은 곳인 position 1에 오염물질이 축적되어진 결과이다. 분리막 위치에 따른 오염현상은 모듈 디자인 최적화에 중요한 인자임을 알았다.
mesocarbon microbeads (MCMB) 카본 분말에 제2상 첨가물로서 소량의 주석산화물$(SnO_2)$을 균일하게 분산 첨가시킴으로서 리튬이차전지의 부극재료로 사용되는 카본 분말의 전지 성능을 개선하였다. 주석산화물 첨가 방법는 전하적정법을 사용하여 Sn을 MCMB 분말에 삽입시키고, 다시 삽입된 Sn이 산화되도록 대기 중에서 $250^{\circ}C$로 1시간동안 후열처리를 하였다. 주석산화물이 첨가된 MCMB 카본분말로 Li/MCMB 전지 cell을 만들어 충방전시험을 수행한 결과, raw MCMB로 만든 전극보다 더 우수한 충방전 용량과 싸이클 특성을 나타내었다. 즉, 주석산화물 삽입에 의해 표면개질된 MCMB 카본 분말은 기존의 MCMB에 비해 높은 초기 방전용량과 충전용량을 나타내었고, 또한 높은 가역 특성과 좋은 cycleability를 보였다. 삽입된 $SnO_2$의 양이 증가할수록 높은 가역용량을 나타내었고 비가역용량 역시 높은 값을 나타내었다.
0.1M tetraethylammoniumperchlorate (TEAP)를 지지전해질로 한 acetonitrile속에서 direct current (DC), differential pulse (DP) polarography 및 cyclo voltammetry (CV) 방법에 의한 Sumithion의 전기화학적 환원반응은 -1.0~-2.50volt vs. Ag-AgCl 범위에서, 제1단계로 P-Oph 결합의 분열에 의하여 dimethylthiophosphonyl radical과 p-nitro-m-cresol이 생성되는 1전자 유사가역반응이 일어나고, 제2단계는 전형적인 1전자 비가역 반응으로 dimethylthiophosphonyl radical이 dimethylthiophosphonate가 되며, 제3단계 반응은 2.7volt vs. Ag-AgCl의 높은 음전위에서 p-nitro-m-cresol은 4전자 비가역반응에 의한 nitro group의 환원으로 p-hydroxy-amino-m-cresol이 생성되는 총 3단계의 비가역적인 electron-transfer chemical reaction (EC) 메카니즘으로 전극반응이 진행됨을 알았다.
Threshold voltage shift has been observed from many thin-film transistors (TFTs) and the time evolution of the shift can be modeled as the stretched-exponential and -hyperbola function. These analytic models are derived from the kinetic equation for defect-creation or charge-trapping and the equation consists of only reversible reactions. In reality TFT's a shift is permanent due to an irreversible reaction and, as a result, it is reasonable to consider that both reversible and irreversible reactions exist in a TFT. In this paper the case when both reactions exist in parallel and make a combined threshold voltage shift is modeled and simulated. The results show that a combined threshold voltage shift observed from a TFT may agrees with the analytic models and, thus, the analytic models don't guarantee whether the cause of the shift is defection-creation or charge-trapping.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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