• Korean Journal of Materials Research
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• v.1 no.1
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• pp.17-22
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• 1991

Tantalum thin films were deposited by DC sputtering on heavily doped single Si substrates. These substrates were treated by means of a rapid thermal annealing (RTA) under Ar atmosphere for various temperatures($600-1100^{\circ}C$). The silicide formation and the impurities behavior in the substrate are studied by means of XRD, SEM, four-point probe, HP4145, and SIMS. The formation of $TaSi_2$ started at $800^{\circ}C$ for all kinds of impurities and the entire Tantalum thin metal films were transformed into $TaSi_2$ above $1000^{\circ}C$ Also the contact resistance for $TaSi_2/P^+$ region had a low value; $22{\Omega}$, at contact site of $0.9{\times}0.9(\mu\textrm{m^2}$), and implanted impurities were diffused out into the $TaSi_2$ for rapid thermal annealing.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.19 no.1 s.47
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• pp.1-5
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• 2006

In this study, we have investigated the purification characteristics of quartz which size was 0.1mm to 0.3 mm by using physical separation techniques. The A and B samples which contained 95,864 mg/kg and 4,568 mg/kg of impurities were reduced upto 126 mg/kg and 174 mg/kg of impurities, respectively. So, removal ratios of the total impurities were about 97.85 wt.% and 96.19 wt.%, individually. At that time, the yields of the purified quartz (over 99.98 wt.% $SiO_2$) were 79.05 wt.% and 75.43 wt.% by using purification process including magnetic separation, gravity separation and scrubbing process. The most benefit in purification process of both different raw materials for iron element can be achieved by magnetic separation. Also, gravity separation is extremely successful for reducing aluminium element.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.31 no.2
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• pp.9-15
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• 2024

The effect of the residual impurity on the prepreg surface on the wettability of encapsulant for chip on board package was analyzed with microstructure, compositions and chemical bonds using a scanning electron microscope and X-ray photoelectron spectroscopy. As a result, the contact angle of w/ residual impurity sample was measured to be 28° higher than that of w/o residual impurity sample, and the C-O bond was decreased to be 4% lower than that of w/o residual impurity sample. The surface energy of the prepreg decreased because the impurity ions, Na and F, generated by the manufacturing process and wet etching, reacted chemically with the C on the prepreg surface, forming C-F bonds and breaking the C-O bonds on the prepreg surface. Therefore, the wettability of the encapsulant was degraded because the contact angle between the encapsulant and the prepreg was increased.

• Proceedings of the Korean Institute of Resources Recycling Conference
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• 2006.05a
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• pp.105-109
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• 2006

본 연구는 Karr column을 이용하여 희토류 염화물 수용액상에서 비희토성분인 철의 분리에 대한 기초 연구로서, 아민계 추출제인 Alamine336을 이용하여 염화물 수용액상에서 유기상의 농도, 염소이온 농도, 염산 농도에 따른 철 성분의 분리특성을 파악 하였다. Batch 실험결과 추출제 농도가 증가함에 따라 철성분 제거율이 급격히 상승하였으며, 염산 및 염소이온 농도의 경우도 유사한 결과를 나타내었다. Batch 실험을통해 확인된 불순물(Fe)을 추출하기위한 최적 조건은 염산농도 2M, 추출제 농도 0.1M, 상비 1, 추출시간 30분으로서, 이때 희토류 염화물 수용액상의 철 성분 함량은 0.7ppm 이하로서 제거율은 99.9%였다. 또한 최적의 batch 실험조건에서 반응시간(=체류시간)을 변화시키며 실험한 결과, 반응시간 60분의 조건에서 batch 실험과 유사한 결과를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.11a
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• pp.117-117
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• 2012

부식용액 중의 붕산 농도 및 붕산 외 불순물(Cl, F, S)의 농도변화가 탄소강(SA106)의 부식특성에 미치는 영향을 조사하였다. 붕산농도 및 붕산 외 불순물(Cl, F, S)의 농도 변화가 탄소강의 부식특성에 많은 영향을 미쳤음을 관찰할 수 있었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.11a
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• pp.54.2-54.2
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• 2011

야금학적 정련 공정 중 슬래그 처리, 일방향 응고, 플라즈마-전자기유도용해 공정을 적용한 태양전지용 실리콘 제조 기술에 관한 연구를 수행하였다. 원소재인 금속급 실리콘을 제조하기 위해원재료로 규석, 코크스(Cokes), 숯, 그리고 우드칩(Wood chip)을 사용하였으며, 150kW급 DC 아크로(Arc furnace)를 이용하여 순도 99.8% 금속급 실리콘을 제조하였다. 제조된 용융 상태의 금속급 실리콘은 슬래그와 반응시켜 불순물을 제거하였다. SiO2-CaO-CaF2 계의 슬래그를 이용하였으며, 금속급 실리콘과 슬래그의 질량비 및 반응 시간에 따른 실리콘 불순물 특성을 평가하였다. 이후 고액 계면이 제어 가능한 일방향 응고 장치를 이용하여 금속불순물을 제거하였다. 고액상태의 온도 조건 및 응고 시간에 따른 불순물 농도 변화를 평가하였으며, 순도 6N급의 실리콘을 제조하였다. 마지막 공정으로 스팀 플라즈마 토치와 냉도가니가 적용된 전자기 유도 용해장치를 이용하여 붕소와 인을 제거하였다. 플라즈마 토치 가스로는 아르곤, 스팀, 수소를 이용하였다. 붕소와 인의 제거율은 각각 94%와 96%를 달성하였으며, 최종 순도 6N급의 실리콘을 제조하였다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.145-146
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• 1997

수소화된 비정질 규소(a-Si:H)는 전자소자에서 광범위하게 사용되고 있다. 하지만 a-Si:H는 반송자 이동도가 느리고 불안정하기 때문에 그 특성개선이 요구되어진다. 본 논문은 금속기판 Mo위에 a-Si:H를 성장하고 후속 결정화 연구를 수행하였다. a-Si:H 박막은 DC 글로우 방전으로 Mo 기판위에 증착되었다. 실험에 사용되어진 열처리로는 질소분위기, 진공상태, 급속가열 및 엑시머레이저 열처리를 행하였다. 열처리 온도는 10$0^{\circ}C$에서 120$0^{\circ}C$까지 행하였다. 엑시머레이저의 에너지는 단위 펄스당 90에서 340mJ이였다. 결정화에 영향을 주는 요소로는 불순물 주입, 온도, 박막의 두께 및 열처리 시간등을 조사하였다. 불순물이 주입된 비정질규소는 진성규소보다 더 좋은 결정화를 보였다. 불순물 주입은 낮은 온도에서의 결정화에 도움을 주었다. 열처리 시간은 결정화에 큰 영향을 미치지 못하였다. 반면에 열처리 온도는 결정화에 큰 영향을 주었다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2002.11a
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• pp.306-308
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• 2002

원자로냉각재계통(Reactor Coolant System) 및 사용 후 저장조정화계통(Spent Fuel Pool Purification System)에는 양ㆍ음이온 교환수지가 충진된 혼상 이온교환수지탑을 설치하여 계통수에 존재하는 방사성 핵종을 제거하고 있으며, 정화율을 나타내는 제염계수(Decontamination Factor)가 특정값 이하이면 수지를 교체하고 있다. 그러나 특정 핵종에 대한 제염계수가 수지 사용기간에 관계없이 기준값 이하로 나타나고 있고, 수지탑의 성능을 예측하고 있지 못하는 실정이다. 원자력발전소 1차 계통에 설치되어 불순물을 제거하는 이온교환 수지탑에 대한 연속화학평형모델에 적용한 결과 수지탑에서 이온 용출은 수지에 대한 이온 선택도 순서와 동일하고 냉각재계통에는 붕산이 주성분이므로 음이온수지에서 붕산이 가장 먼저 누출된다. 그리고 붕산으로 포화된 음이온수지의 음이온 불순물 제거능력은 저하되지 않으며, 리튬으로 포화된 양이온수지의 양이온 불순물 제거능력은 저하된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.3
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• pp.334-341
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• 1995

IB-AI-VIB2 및 IB-AI-VIB2 :Co2+ 결정을 고순도 원소를 출발 물질로 하고 iodine을 수송 매체로 사용하여 chemical transport reaction method로 성장시켰다. 성장된 결정의 결정구조는 chalcopyrite 구조였으며, energy gap은 direct band gap으로 3.514~1.814 eV 정도로 주어졌으며, cobalt를 불순물로 첨가할 때 energy gap은 감소하였다. IB-AI-VIB2 :Co2+ 결정에서 첨가된 cobalt가 모체결정의 Td symmetry site에 Co2+ ion으로 위치하여, Co2+ ion의 energy 준위 사이의 전자전이에 기인하는 불순물 광흡수 peaks가 나타났다. 이 불순물 광흡수 peaks에 결정장 이론을 적용하여 구산 1st-order spin-orbit coupling parameter(λ)는 -183~ -189cm-1정도였고, 2nd-order spin-orbit coupling parameter(P)는 225~239 cm-1정도였으며, crystal field parameter(Dq)는 328~395cm-1, Racah parameter(B)는 531~552cm-1정도였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.146-146
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• 2010

일반적인 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)은 소스와 드레인의 형성을 위해서 불순물을 주입하고 고온의 열처리 과정을 거치게 된다. 이러한 고온의 열처리 과정 때문에 녹는점이 낮은 메탈게이트와 게이트 절연막으로의 high-k 물질의 사용에 제한을 받게된다. 이와 같은 문제점을 보완하기 위해서 소스와 드레인 영역에 불순물 주입공정 대신에 금속접합을 이용한 Schottky Barrier Tunnel Transistor (SBTT)가 제안되었다. SBTT는 $500^{\circ}C$ 이하의 저온에서 불순물 도핑없이 소스와 드레인의 형성이 가능하며 실리콘에 비해서 수십~수백배 낮은 면저항을 가지며, 단채널 효과를 효율적으로 제어할 수 있는 장점이 있다. 또한 고온공정에 치명적인 단점을 가지고 있는 high-k 물질의 적용 또한 가능케한다. 본 연구에서는 p-type SOI (Silicon-On-Insulator) 기판을 이용하여 Pt-silicide 소스와 드레인을 형성하고 전기적인 특성을 분석하였다. 또한 본 연구에서는 기존의 sidewall을 사용하지 않는 새로운 구조를 적용하여 메탈게이트의 사용을 최적화하였고 게이트 절연막으로써 실리콘 옥사이드를 스퍼터링을 이용하여 증착하였기 때문에 저온공정을 성공적으로 수행할 수 있었다. 이러한 게이트 절연막은 열적으로 형성시키지 않고도 70 mv/dec 대의 우수한 subthreshold swing 특성을 보이는 것을 확인하였고, $10^8$정도의 높은 on/off current ratio를 갖는 것을 확인하였다.