Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference (한국결정성장학회:학술대회논문집)

The Korea Association of Crystal Growth (한국결정성장학회)
권호 표지

Mo 기판에 성장된 a-Si:H의 결정화 연구

  • 임동건 (성균관대학교 전기, 전자 및 컴퓨터공학과) ;
  • 김도영 (성균관대학교 전기, 전자 및 컴퓨터공학과) ;
  • 정세민 (성균관대학교 전기, 전자 및 컴퓨터공학과) ;
  • 이준신 (성균관대학교 전기, 전자 및 컴퓨터공학과)
  • Published : 1997.10.01
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Abstract

수소화된 비정질 규소(a-Si:H)는 전자소자에서 광범위하게 사용되고 있다. 하지만 a-Si:H는 반송자 이동도가 느리고 불안정하기 때문에 그 특성개선이 요구되어진다. 본 논문은 금속기판 Mo위에 a-Si:H를 성장하고 후속 결정화 연구를 수행하였다. a-Si:H 박막은 DC 글로우 방전으로 Mo 기판위에 증착되었다. 실험에 사용되어진 열처리로는 질소분위기, 진공상태, 급속가열 및 엑시머레이저 열처리를 행하였다. 열처리 온도는 10$0^{\circ}C$에서 120$0^{\circ}C$까지 행하였다. 엑시머레이저의 에너지는 단위 펄스당 90에서 340mJ이였다. 결정화에 영향을 주는 요소로는 불순물 주입, 온도, 박막의 두께 및 열처리 시간등을 조사하였다. 불순물이 주입된 비정질규소는 진성규소보다 더 좋은 결정화를 보였다. 불순물 주입은 낮은 온도에서의 결정화에 도움을 주었다. 열처리 시간은 결정화에 큰 영향을 미치지 못하였다. 반면에 열처리 온도는 결정화에 큰 영향을 주었다.

Keywords