Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference (한국결정성장학회:학술대회논문집)

The Korea Association of Crystal Growth (한국결정성장학회)
권호 표지

3C-SiC/Si 에피층 성장과 Ga 불순물 효과

  • 박국상 (전북대학교 반도체 물성연구소) ;
  • 김광철 (전북대학교 반도체 물성연구소) ;
  • 김선중 (전북대학교 반도체 물성연구소) ;
  • 서영훈 (전북대학교 반도체 물성연구소) ;
  • 남기석 (전북대학교 반도체 물성연구소) ;
  • 이형재 (전북대학교 반도체 물성연구소) ;
  • 나훈균 (기초과학 지원 연구소) ;
  • 김정윤 (단국대학교 물리학과) ;
  • 이기암 (단국대학교 물리학과)
  • Published : 1997.10.01
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Abstract

High quality 3C-SiC epilayer was grown on Si(111) at 125$0^{\circ}C$ using chemical vapor deposition(CVD) technique by pyrolyzing tetramethylsilane(TMS). 3C-SiC epilayer was doped by tetramethylgallium(TMGa) during the CVD growth. The crystallinity of 3C-SiC was significantly enhanced by doping the gallium impurity.

Keywords