• Title/Summary/Keyword: 분포정전용량

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Design of a Microwave Distributed Amplifier Considering Capacitance Absorption Capability (정전용량 흡수 능력을 고려한 마이크로파 분포증폭기 설계)

  • Kim, Nam-Tae
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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    • v.46 no.11
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    • pp.50-55
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    • 2009
  • In this paper, a distributed amplifier is designed using distributed network synthesis that provides the optimum absorption capability of a capacitance. Transfer functions of filters, which consist of the amplifier, are synthesized by a low-pass Chebyshev approximation. Capacitances that a filter network can absorb are calculated as a function of its minimum insertion loss(MIL) and ripple. Active devices in a distributed amplifier are modeled as equivalent circuits by using their S-parameters, and their equivalent capacitances are absorbed into filter structures by properly adjusting the MIL and ripple of a transfer function. As an application example, a distributed amplifier with the gain of about 12.5dB is designed that operates over the frequency range between 0.1 and 7.5GHz. Experimental results prove that distributed network synthesis, which considers capacitance absorption capability, is useful to the design of distributed amplifiers.

Fast Algorithm for the Capacitance Extraction of Large Three Dimensional Object (대용량 3차원 구조의 정전용량 계산을 위한 Fast Algorithm)

  • Kim, Han;Ahn, Chang-Hoi
    • Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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    • 2002.11a
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    • pp.375-379
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    • 2002
  • 본 논문에서는 수 만개이상의 미지수를 필요로 하는 복잡한 3차원 구조에서의 정전용량 추출을 위한 고속화 알고리즘(Fast mutilpole method)과 결합한 효과적인 적응 삼각요소 분할법(Adaptive triangular mesh refinement algorithm)을 제안하였다. 요소세분화과정은 초기요소로 전하의 분포를 구하고, 전하밀도가 높은 영역에서의 요소세분화를 수행하여 이루어진다. 제안된 방법을 이용하여 많은 미지수를 필요로 하는 IC packaging 구조에서의 정전용량을 추출하였다.

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Fast Algorithm for the Capacitance Extraction of Large Three Dimensional Object (대용량 3차원 구조의 정전용량 계산을 위한 Fast Algorithm)

  • Kim, Han;Ahn, Chang-Hoi
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.14 no.1
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    • pp.27-32
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    • 2003
  • This paper describes to extend the fast algorithm fur the capacitance extraction of large three-dimensional object. The triangular meshes are used and refined adaptively in the area where the heavy charges reside in each iterative solving. This technique is applied to the capacitance extraction of a 68-pin cerquad package. The results show fast convergence, and this adaptive technique coupled with the fast algorithm is efficient to reduce the number of elements and computing time with least additional computational efforts in large three dimensional problems.

Residual deposit monitoring of semiconductor back-end process using U-net model based on the electrical capacitance (전기 정전용량을 기반으로 U-net 모델을 이용한 반도체 후단 공정의 잔류물 모니터링)

  • Minho JEON;Anil Kumar Khambampati;Kyung-Youn Kim
    • Journal of IKEEE
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    • v.28 no.2
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    • pp.158-167
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    • 2024
  • In this study, U-net model based on electrical capacitance is applied to monitor the condition inside the pipeline of semiconductor rear end process implemented in the numerical simulation. Capacitance values measured from electrodes attached to the pipeline is used as input data for the U-net network model and estimated permittivity distribution by the U-net model is used to reconstructed cross-sectional image at the pipeline. In the numerical simulation, images reconstructed by U-net model, Fully-connected neural network (FCNN) model and Newton-Raphson method are compared for evaluation. U-net model shows good results as compared to other models.

Developing an Instrument Ensuring Reliable Contact Conditions for Contact-Type Area-varying Capacitive Displacement Sensors (접촉식 면적변화형 정전용량 변위센서의 접촉 안정성을 위한 기구의 개발)

  • Kim, Sung-Joo;Lee, Won-Goo;Moon, Won-Kyu
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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    • v.35 no.11
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    • pp.1147-1156
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    • 2011
  • A contact-type area-varying capacitive displacement sensor, or CLECDiS, can measure displacements over millimeter ranges with nanometer resolution. However, a small changes in the contact condition due to the surface profile or friction, which are inherent characteristics of contact-type sensors, lead to significant distortion of the output signal. Therefore, ensuring reliable contact conditions during CLECDiS measurements is the most important area to be improved in their actual use. Herein, in order to design an instrument for ensuring reliable contact conditions, the contact condition is analyzed by characterizing the signal distortion, observing the pressure distribution between the contacting surfaces, and measuring the motional errors of the sensor using a laser Doppler vibrometer (LDV). The manufactured instrument enables a CLECDiS to be used in an ultraprecise positioning system with improved reliability.

Characteristics of Neutral Point Loci on Line Voltages to Hull When Insulation Resistance Collapses by Earthing Faults at 3 Phase Power Distribution Systems Onboard Vessels (선박 3상배전선로의 지락고장에 따른 대지전압 중성점의 이동경로 특성)

  • Choi, Soon-Man
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • v.35 no.8
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    • pp.1117-1123
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    • 2011
  • Ungrounded power systems are adopted onboard vessels which enable more stabilized power supply even in case of electric leakage to hull. If earthing faults happen at these systems, they make grounding impedances of power lines unbalanced each other on the three phases, resulting in high voltages to hull which can bring more possibilities of electric shocks and electric fires. This study focuses on how to configure a calculation module for transferring a grounded condition by lowered insulation resistance into a vector diagram of the voltages to hull. By using the module, the loci of neutral points were acquired to analyze how voltages to hull are affected by earthing faults and the distributed capacitances between power lines and hull. The suggested module was simulated and compared to the measured values from a test power system in good results.

국내 초고압 케이블의 현황과 향후 과제

  • 황순철;최창수
    • 전기의세계
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    • v.42 no.4
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    • pp.5-12
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    • 1993
  • 현재 우리나라 발전설비 용량은 2,100만kW에 이르나, 2001년에는 4,700만kW의 전력이 필요할 것으로 예측되며 전력수요의 급증에 따라 발전량의 증대가 불가피하고 전력의 질적 향상도 중요한 과제로 등장하고 있다. 양질의 전력공급 측면에서 정전사고가 발생시 우리 사회 전반적으로 미치는 파급효과는 막대하므로 전력설비의 보전과 절연진단 기술의 확립이 필요로 대두되고 있다. 그러므로 이에 따른 첨단 계측 기술의 도입과 컴퓨터를 이용한 - 부분방전의 계측과 해석 - 전기 TREE 시스템의 집중관리 - 절연진단 기술에의 컴퓨터의 이용 - 공간전하 분포의 측정 등의 절연진간 기술연구가 기업, 학계, 연구소 등이 공동으로 활발히 진행되고 있다.

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Analysis of a.c. Characteristics in Cr-doped ZnO Using Dielectric Functions (Cr을 첨가한 ZnO의 유전함수를 이용한 a.c. 특성 분석)

  • Hong, Youn-Woo;Shin, Hyo-Soon;Yeo, Dong-Hun;Kim, Jong-Hee
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.06a
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    • pp.16-16
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    • 2009
  • ZnO($Zn_{1+x}O$)는 n-type 반도성 세라믹스로 우수한 전기적, 광학적, 화학적 특성을 갖고 있어 바리스터, 투명 전도막, 화학 및 바이오 센서, UV light emitter 등 다양한 용도로 사용되고 있다. 또한 ZnO에 각종 천이 금속 산화물을 일정량 첨가함에 따라 발생하는 결함준위와 입계 특성의 변화에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 다양한 천이 금속 산화물의 첨가에 따른 전기적 광학적 특성의 변화에 대한 결과들이 많이 보고되고 있지만 서로 상충되거나 해석상 다소 어려운 것으로 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 ZnO에 $Cr_2O_3$를 2.0 at% 첨가하여 Cr 첨가에 따른 ZnO의 결함준위와 입계 특성 변화에 대하여 각종 유전함수($Z^*$, $Y^*$, $M^*$, $\varepsilon^*$, and $tan{\delta}$)를 이용하여 고찰하였다 ZnO에 Cr을 첨가할 경우 결함 중 장범위 쿨롱 인력에 의한 결함(0.13~0.18 eV)이 ~100K 영역에서 나타났으며, ZnO 내 결함 중 대표적인 $Zn_j$$V_o$는 서로 겹쳐서 나타났다. 이들 중첩된 결함에 대하여 각종 유전함수를 이용할 경우 서로 분리해 낼 수 있는 강점이 있음을 논하였다. 또한 각 결함준위가 강는 정전용랑(C)과 저항(R)을 impedance-modulus spectroscopy를 이용하여 구한 결과, 소결온도가 높아질수록 정전용량은 증가하였으며, 측정온도가 놓아질수록 높아지는 경향을 나타내었다. 입계의 정전용량은 소결온도가 높아질수록 높아 지지만 측정온도가 높아질수록 낮아지는 경향을 나타내었다. 각 저항값은 소결온도 및 측정온도가 높아질수록 지수적으로 감소하였다. 또한 분포함수를 이용하여 입계 안정성에 대하여 고찰하였다.

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poly (methylmethacrylate)층에 분산되어 있는 CdTe-CdSe 코어-쉘 나노입자를 사용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자의 메모리 메카니즘

  • Yun, Dong-Yeol;Son, Jeong-Min;Kim, Tae-Hwan;Kim, Seong-U;Kim, Sang-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.272-272
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    • 2011
  • 무기물 나노입자를 포함하는 유기물/무기물 나노복합체는 차세대 전자 소자에 쉽게 적용이 가능하고 응용 잠재적 능력이 뛰어나기 때문에 차세대 비휘발성 메모리 소자에 응용하려는 연구가 세계적으로 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 poly (methylmethacrylate) (PMMA) 절연성 고분자 박막 안에 CdTe와 CdTe-CdSe 코어-쉘 나노입자를 각각 분산시켜 이를 전하의 저장 매체로 사용하는 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 각각의 소자에 대한 메모리 메카니즘과 PMMA 박막 안에 분포되어 있는 CdTe-CdSe 코어-쉘 나노입자에서 CdSe 쉘의 전기적 영향에 대하여 연구하였다. 소자에 필요한 용액을 제작하기 위해 서로 다른 용매에 녹아 있는 CdTe-CdSe 나노입자와 PMMA를 혼합하였다. Al 금속을 하부 전극으로 증착한 p-Si (100) 기판 위에 나노입자와 PMMA가 혼합된 용액을 스핀 코팅 방법을 사용하여 박막을 형성한 후, 남아있는 용매를 제거하기 위해 열처리를 하였다. 용매가 모두 제거된 박막위에 금속 마스크를 사용하여 상부 Al 전극을 열증착 방법으로 형성하였다. 나노입자가 포함된 고분자 박막의 메모리 특성을 비교하기 위하여 나노입자가 없는 PMMA층만으로 형성된 소자도 같은 방법으로 제작하였다. 세 가지 종류의 소자에 고주파 정전용량-전압 (C-V) 측정을 한 결과 나노입자가 분산된 PMMA 층으로 제작된 소자에서만 평탄 전압 이동이 관찰되었으며, 이것은 나노입자를 전하 포획 장소로 사용할 수 있다는 것을 확인하였다. 정전용량-시간 (C-t) 측정을 하여 나노입자가 포함된 PMMA 층으로 제작된 메모리 소자의 안정성을 관찰하였다. C-V와 C-t 측정 자료를 바탕으로 제작된 메모리 소자의 메모리 메카니즘과 CdTe-CdSe 코어-쉘 나노입자에서 CdSe 쉘의 역할을 설명하였다.

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Analysis of Characteristic Parameter in Medium Voltage Power Distribution Line for Power Line Communications (전력선 통신을 위한 고압 배전선로 특성 파라미터 해석)

  • Lee, Jae-Jo;Park, Hae-Soo;Lee, Won-Tae;Kim, Kwan-Ho
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07d
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    • pp.2029-2030
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    • 2006
  • 본 논문에서는 22.9kV 고압 가공 배전선로를 고속 전력선 통신을 위한 통신 채널로 사용하기 위하여 전력선 통신 주파수 $2MHz{\sim}30MHz$ 대역에 대한 특성 파라미터를 해석하였다. 먼저 고압 배전선로에 주로 사용되는 ACSR-OC 케이블에 대한 구조를 분석하고 이의 특성 파라미터로부터 분포정수와 특성 임피던스를 구하였다. 또한 등각 사상법을 이용하여 유전체가 코팅된 평행 2선식 고압 배전선로의 정전용량 및 유효유전상수를 계산하였다. 이러한 결과를 바탕으로 고압 배전선로의 분포정수와 특성임피던스를 구하였으며, 특성임피던스는 케이블 단면적에 따라서 $470{\ell}{\sim}530{\ell}$ 사이의 분포를 나타내었다. 특히, 특성 임피던스는 지면을 완전 전기도체로 가정할 경우에 비하여 실제 지면의 도전율과 유전상수를 고려할 때 20MHz 이하의 대역에서 보다 높은 값을 갖는 것을 확인하였다.

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