• 정보처리학회논문지A
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• 제12A권6호
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• pp.531-538
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• 2005

고성능 VLSI 아날로그 정보처리시스템(AIPS)에서 고 이득 Op-Amp는 기본적 정보처리소자이다. 증폭기는 시스템 내 피드백루프에 사용시 안정도와 정확도를 얻기 위하여 고 이득이 요구된다. 1단의 증폭으로 이득이 충분하지 않을 경우 이득 부스팅 또는 추가적인 이득단이 필요하다. 본 논문에서 부 저항소자를 사용할 경우 이득이 개선되며 1단으로 고 이득을 손쉽게 얻을 수 있음을 보였다. 기존의 방법에 비교하여 본 연구에 제안된 방법은 전 출력 스윙, 적은 회로면적과 전력소비, 그리고 여러 구조의 증폭기에 적용가능 하다는 잇점을 지니고 있다. 부 저항소자는 Op-Amp에 사용될 경우 (+)와 (-) 차동출력 사이에 설치되어 증폭기 출력저항을 상쇄한다. 부 저항소자를 교차 연결된 CMOS 인버터의 형태로 구현할 경우 간단한 구조로서 40 dB 보다 더 큰 이득개선을 손쉽게 얻을 수 있음을 HSPICE 시뮬레이션을 통하여 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제10권6호
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• pp.45-55
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• 1973

본 논문은 한개의 터널다이오드로 구성된 시간에 무관한 비선형 회로를 논한다 부저항 소자로 구성된 비선형 회로의 해를 구하기 전에 비선형 소자의 정특성을 어떤 함수로 표시할 필요가 있다. 최소 자승법에 의해서 정특성을 표현하는 근사 다항식 커브를 구했다. 비선형 회로를 해석하기 위해서는 우선 그 회로에 관한 상태방정식이 설정되면 프레딕터·코렉터 방법에 의해서 해를 구할수 있다. 최종적으로, 비선형 회로의 안정도와 발진 조건을 논하기 위해서 limit cycle을 점철했다.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권7호
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• pp.1036-1043
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• 1993

대기압 MOCVD방법으로 이중 장벽 구조의 공명 투과 소자를 제작하여 상온과 77K에서의 부저항 특성을 특정하였다. GaAs 양자 우물과 spacer, AIGaAs 장벽을 사용하여 성장온도를 변화시켜 공명 투과 소자를 제작한 결과 상온에서 2.35, 77K에서 15.3의 높은 peak-to-valley 전류비를 얻었다 컴퓨터 모의 실험에서는 coherent 투과만을 고려하여 peak 전류를 계산해서 실험치와 잘 일치하는 것을 알 수 있었다. AlGaAs 장벽에 InGaAs 양자 우물과 spacer를 사용하여 전자의 공급량을 증가시킨 구조에서는 상온에서 8.6KA/cm의 높은 peak 전류와 4.0의 큰 peak-to-valley 전류비를 얻었다.

• 정보처리학회논문지A
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• 제11A권2호
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• pp.195-202
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• 2004

본 연구에서 매우 정밀한 샘플링을 필요로 하는 고해상도 비디오 응용면을 위하여 병렬 파이프라인 아날로그 디지털 변환기(ADC)를 설계하였다. 본 ADC의 구조는 4 채널의 10-비트 파이프라인 ADC를 병력 time-interleave로 구성한 구조로서 이 구조에서 채널 당 샘플링 속도의 4배인 200MS/s의 샘플링 속도를 얻을 수 있었다. 변환기에서 핵심이 되는 구성요소는 Sample and Hold 증폭기(SHA), 비교기와 연산증폭기이며 먼저 SHA를 전단에 설치하여 시스템 타이밍 요구를 완화시키고 고속변환과 고속 입력신호의 처리론 가능하게 하였다. ADC 내부 단들의 1-비트 DAC, 비교기 및 2-이득 증폭기는 한 개의 switched 캐패시터 회로로 통합하여 고속동작은 물론 저 전력소비가 가능한 특성을 갖도록 하였다. 본 연구의 연산증폭기는 2단 차동구조에 부저항소자를 사용하여 높은 DC 이득을 갖도록 보강하였다. 본 설계에서 각 단에 D-플립플롭(D-FF)을 사용한 지연회로를 구성하여 변환시 각 비트신호를 정렬시켜 타이밍 오차를 최소화하였다. 된 변환기는 3.3V 공급전압에서 280㎽의 전력소비를 갖고 DNL과 INL은 각각 +0.7/-0.6LSB, +0.9/-0.3LSB이다.