• 국방과기술
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• 5호통권267호
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• pp.52-59
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• 2001

본딩은 전기/전자 시스템뿐만 아니라 연료, 엔진, 비행제어, 유/공압계통 등에서도 안전한 전기적인 운용을 하기 위해서 필요하다. 항공기 개발에서 본딩은 설계시부터 요구조건을 두어 엄격히 관리해야 하며, 제작시에도 제시된 요구조건에 맞게 본딩을 해야 한다. 항공기의 전기/전자계통 설계시 요구성능과 항공기 및 운용자의 안전성 확보를 본딩 계통의 설계목표로 설정하고, 세부적인 본딩 요구조건과 유사기종의 설계개념을 보완하여 현실적으로 적용가능한 적용분야별 본딩 설치 및 설계 요구조건을 정립하는 것이 매우 필수적이라고 판단된다. 이 글에서는 항공기 설계시 고려해야 되는 본딩 일반요구조건에 대하여 기술해 보고자 한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.171-171
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• 2008

본 연구는 초음파 알루미늄 웨지 및 금 볼 본딩을 동시에 적용 가능한 본딩 Pad의 금속학적 안정성을 고려한 표층전극 형성 방법에 관한 것이다. 특히, 이동통신 및 전장용 모듈의 복합 및 융합화로 LTCC기판 패키징에 있어서 다양한 본딩 기술이 요구되고 있다. 전통적인 interconnection 기술인 Au ball 본딩 및 초음파 에너지를 이용한 Al wedge 본딩 기술이 동시에 사용되어야 하는 패키지 구조의 경우 본딩 패드의 표층전극 설계는 서로 상충되는 조건이 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 LTCC기판의 표층전극의 Metal finish 방법으로 이용되는 ENEPIG(무전해 Ni/Pd/Au도금)공법으로 Au ball 본딩 및 초음파 Al wedge 본딩을 동시에 가능하게 하는 solution을 제시하여 패키징 자유도뿐만 아니라 Interconnection 신뢰성을 확보할 수 있었다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2011년도 한국컴퓨터종합학술대회논문집 Vol.38 No.1(A)
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• pp.388-390
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• 2011

가상 네트워크는 가상 머신을 가상 링크로 연결해서 구성된다. 가상 링크는 하나의 물리적 채널을 여러개의 논리적 채널로 분할해서 사용할 수도 있고, 이와는 반대로 다수의 물리적 채널을 하나의 논리적 채널로 통합하여 사용할 수도 있다. 본 논문에서는 기존의 채널 본딩을 발전시킨 가상 네트워크를 위한 채널 본딩 기술을 제안한다. 기존의 채널 본딩 기술은 동일한 하드웨어, 동일한 네트워크 대역폭의 제한이 있는 반면 가상 네트워크를 위한 채널 본딩 기술은 하드웨어, 대역폭의 제한을 두지 않고 다양한 하드웨어와 대역폭을 지원할수 있도록 하였다. 이는 가상 머신간에 네트워크 대역폭을 나눠서 사용함으로 인해 가상 머신 위에서 다수의 네트워크 인터페이스가 동일한 대역폭을 지원받는 것이 어렵기 때문이다. 가상 네트워크를 위한 채널 본딩 기술의 성능을 측정하여 본딩된 채널만큼 성능이 향상됨을 알 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.382-383
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• 2006

본 연구에서는 열처리 본딩장비를 실제로 개발하여 Al/Sus와 Al/Al의 두 재료를 서로 본딩 하였다. 열처리 본딩 실험을 하기 위해서 열처리시에 온도분포를 정확히 파악하기 위해서 컴퓨터모의실험으로 같은 재료인 Al/Al과 서로 다른 재료인 Al/Sus의 온도분포를 나타내었다. 본딩된 두 가지의 sample들을 FESEM으로 접합부의 표면조직 상태를 측정하였고 인장력측정 장치로 bonding strength를 측정하였다. 접착제를 사용한 본딩 sample 보다는 더 본딩 결합력이 크다는 것을 확인할 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제45권5호
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• pp.479-486
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• 2007

BCB 수지를 이용하여 본딩한 웨이퍼의 BCB 두께, 본딩 촉진제의 사용여부 및 이웃하는 적층 물질의 종류에 따른 본딩 결합력에 대한 영향을 4-점 굽힘방법을 이용하여 규명한다. 실험결과 본딩 결합력은 BCB 두께에 선형 비례하는데, 이는 BCB의 소성 변형의 정도가 두께에 비례하는 반면에 BCB의 항복 강도에는 영향을 미치지 않기 때문이다. 본딩한 BCB의 두께가 각각 $2.6{\mu}m$ 및 $0.4{\mu}m$인 경우에 대하여 본딩 촉진제를 사용 했을 때, 본딩 촉진제와 본딩된 물질의 표면에서는 공유 결합이 형성되기 때문에 본딩 결합력이 증가한다. 산화 규소막이 증착된 실리콘 웨이퍼와 BCB 사이 계면에서의 본딩 결합력은 글래스 웨이퍼와 BCB 사이의 계면에서 보다 약 3배 정도 높다. 이러한 본딩 결합력의 차이는 각 계면에서 Si-O 본드의 본딩 밀도 및 본드 파단 에너지의 차이에 기인한다. PECVD 산화 규소막을 증착한 실리콘 웨이퍼와 BCB 사이 계면의 경우, 기 측정된 $18J/m^2$ 및 $22J/m^2$의 본드 파단 에너지를 얻기 위해 각각 약 $12{\sim}13bonds/nm^2$ 및 $15{\sim}16bonds/nm^2$의 Si-O 본드 밀도가 필요하다. 반면에, 글래스 웨이퍼와 BCB 사이 계면의 경우에는 기 측정된 $5J/m^2$의 본드 파단 에너지를 얻기 위해 약 $7{\sim}8bonds/nm^2$의 Si-O 본드 밀도가 필요하다.

• 문화기술의 융합
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• 제4권3호
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• pp.209-212
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• 2018

이방성 도전필름(ACF)을 사용한 본딩은 납땜이 용이하지 않은 이질적인 소재 간 미세 접합을 형성하는데 널리 사용되어진다. 성공적인 ACF 본딩 구현을 위한 3가지 제한조건이 존재한다. 본딩 접촉점은 설정된 작업 시간동안 적절한 압력과 온도를 유지한 헤드에 의해서 압착되어야 한다. 본 논문에서는 머신 비전을 기반으로 한 ACF 본딩기법을 제안하고 실험을 통해 검증한다. 시스템은 본딩 작업대 상의 PCB 위치 및 방향을 계산하고 헤드가 압착되어야 하는 최적의 접촉점을 결정한다. 제안한 시스템이 접촉면 상의 헤드 평탄도를 보장함으로써 접착력을 향상시킬 수 있음을 실험결과를 통해 보여준다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제45권5호
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• pp.466-472
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• 2007

웨이퍼 레벨(WL) 3차원(3D) 집적을 구현하기 위해 저유전체 고분자를 본딩 접착제로 이용한 웨이퍼 본딩과, 적층된 웨이퍼간 전기배선 형성을 위해 구리 다마신(damascene) 공정을 사용하는 방법을 소개한다. 이러한 방법을 이용하여 웨이퍼 레벨 3차원 칩의 특성 평가를 위해 적층된 웨이퍼간 3차원 비아(via) 고리 구조를 제작하고, 그 구조의 기계적, 전기적 특성을 연속적으로 연결된 서로 다른 크기의 비아를 통해 평가하였다. 또한, 웨이퍼간 적층을 위해 필수적인 저유전체 고분자 수지를 이용한 웨이퍼 본딩 공정의 다음과 같은 특성 평가를 수행하였다. (1) 광학 검사에 의한 본딩된 영역의 정도 평가, (2) 면도날(razor blade) 시험에 의한 본딩된 웨이퍼들의 정성적인 본딩 결합력 평가, (3) 4-점 굽힘시험(four point bending test)에 의한 본딩된 웨이퍼들의 정량적인 본딩 결합력 평가. 본 연구를 위해 4가지의 서로 다른 저유전체 고분자인 benzocyclobutene(BCB), Flare, methylsilsesquioxane(MSSQ) 그리고 parylene-N을 선정하여 웨이퍼 본딩용 수지에 대한 적합성을 검토하였고, 상기 평가 과정을 거쳐 BCB와 Flare를 1차적인 본딩용 수지로 선정하였다. 한편 BCB와 Flare를 비교해 본 결과, Flare를 이용하여 본딩된 웨이퍼들이 BCB를 이용하여 본딩된 웨이퍼보다 더 높은 본딩 결합력을 보여주지만, BCB를 이용해 본딩된 웨이퍼들은 여전히 칩 back-end-of-the-line (BEOL) 공정조건에 부합되는 본딩 결합력을 가지는 동시에 동공이 거의 없는 100%에 가까운 본딩 영역을 재현성있게 보여주기 때문에 본 연구에서는 BCB가 본딩용 수지로 더 적합하다고 판단하였다.

• 구강회복응용과학지
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• 제32권4호
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• pp.293-300
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• 2016

목적: 중합방식과 화학적 조성이 다른 본딩제들이 자가중합형 비스아크릴 임시수복 재료의 결합에 미치는 영향을 알아 보고자 하였다. 연구 재료 및 방법: 원반 형태의 비스아크릴 임시수복 재료 시편 40개를 준비한 후 본딩제의 중합특성에 따라 대조군을 포함 4개의 군으로 나누었다. 본딩제 도포 후 직경 4 mm의 원형 구멍을 가진 4 mm 두께의 테플론 몰드를 이용하여 동일한 비스아크릴 임시수복 재료을 첨상하였다. 전단결합강도시험을 시행하였으며 파절면을 현미경으로 관찰하였다. 일원배치 분산분석과 Tukey 사후분석을 사용하여 유의수준 0.05로 검증하였다. 결과: 화학중합형 본딩제를 사용한 군에서 통계적으로 유의한 가장 높은 전단결합강도를 보였으며($27.36{\pm}4.30 MPa$, P < 0.05) 모든 시편에서 비스아크릴 임시수복 재료 내에서 파절이 일어나는 응집성 파절 양상을 보였다(100%). 실험군중 가장 낮은 값은 광중합형 본딩제를 사용한 군에서 기록되었으며($13.29{\pm}2.56 MPa$) 이는 대조군과 거의 유사한 값을 보였다. 동일한 광중합 방식 이지만 화학중합 레진과의 호환성을 높인 본딩제를 사용한 군에서는 광중합형 본딩제를 사용한 군에 비해 통계적으로 유의하게 높은 값을 보였다(P = 0.043). 결론: 본딩제의 종류가 수리된 비스아크릴 임시수복 재료의 전단결합 강도에 영향을 주며, 비스아크릴 임시수복 재료의 수리 시 적절한 본딩제 선택이 중요하다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권4호
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• pp.17-23
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• 2013

신축성 전자패키징 기술개발을 위한 기초연구로서 Cu/Sn 범프에 CNT-Ag 복합패드를 형성한 칩을 이방성 전도접착제를 사용하여 플립칩 본딩한 후, CNT-Ag 복합패드의 유무 및 본딩압력에 따른 플립칩 접속부의 접속저항을 측정하였다. CNT-Ag 복합패드가 형성된 Cu/Sn 칩 범프를 25MPa과 50MPa의 본딩압력으로 플립칩 본딩한 시편들은 접속저항이 너무 높아 측정이 안되었으며, 100MPa의 본딩압력으로 플립칩 본딩한 시편은 $213m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다. 이에 비해 CNT-Ag 복합패드가 없는 Cu/Sn 칩 범프를 사용하여 25MPa, 50 MPa 및 100 MPa의 본딩압력으로 플립칩 본딩한 시편은 각기 $1370m{\Omega}$, $372m{\Omega}$ 및 $112m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권1호
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• pp.7-13
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• 2013

3D 적층 IC 개발을 위한 본딩 기술의 현황에 대해 알아보았다. 실리콘 웨이퍼를 본딩하여 적층한 후 배선 공정을 진행하는 wafer direct bonding 기술보다는 배선 및 금속 범프를 먼저 형성한 후 금속 본딩을 통해 웨이퍼를 적층하는 공정이 주로 연구되고 있다. 일반적인 Cu 열압착 본딩 방식은 높은 온도와 압력을 필요로 하기 때문에 공정온도와 압력을 낮추기 위한 연구가 많이 진행되고 있으며, 그 가운데서 Ar 빔을 조사하여 표면을 활성화 시키는 SAB 방식과 실리콘 산화층과 Cu를 동시에 본딩하는 DBI 방식이 큰 주목을 받고 있다. 국내에서는 Cu 열압착 방식을 이용한 웨이퍼 레벨 적층 기술이 현재 개발 중에 있다.