The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.13
no.4
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pp.277-284
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1988
A 12GHz low-noise amplifier, a single gate GaAs MESFET mixer, and a low-pass filter have been fabricated for DBS receiver applications by using MIC technology. Each subsystem contains DC block with symmetric line and ship capacitor, respectively. The frequency converter with chip capacitor exhibits a 20-23 dB conversin gain with a RF bandwidth of 11.581-11.981 GHz and an IF bandwidth of 581-981MHz. Rf bandwidth of 12.1GHz and an IF banewidth of 1GHz.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.7
no.1
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pp.15-20
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2012
In this paper, we designed and analysed K-band front-end module for digital microwave communication system receiver which improvement of dynamic range. We also suggested method of minimum amplified input signal level used to minimize noise figure of low-noise amplifier for High dynamic range. The designed modules consist of active mixer with conversions gain and PL-DRO with high stability and quality factor. The designed modules performance is that has the characteristics of over 54dB conversion gain, 1.3dB noise figure.
Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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v.2
no.4
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pp.71-76
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2001
In this paper we propose the Digital Automatic Gain Controller for IEEE 802.11a-High-speed Physical Layer in the 5 GHz Band. The input gain it estimated by calculating the energy of the training symbol that it a synchronizing signal. The renewal gain is calculated by comparing the estimated gain with the ideal gain. The renewal gain is converted into the controlled voltage for GCA to reduce or amplify the input signals. We used a piecewise-linear approximation to reduce the hardware size. The gain control is performed seven times to provide more accurate gain control. The proposed automatic gain controller is designed with VHDL and verified by using the Xilinx FPGA.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.38
no.11
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pp.49-54
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2001
In this work, we developed a Ka-band hybrid 4-stage power amplifier module using GaAs pHEMTs and waveguide to microstrip transitions. It has high gain and high output power characteristics. We used a 10 mil- thickness duroid substrate to fabricate this power amplifier and waveguide to microstrip transitions. The fabricated waveguide to microstrip transition showed about 1 dB insertion loss(back to back) at 32 40 GHz. The measured results of power amplifier module showed over 1W output power at 36.1 - 37.1 GHz. And it showed 31 dBm output power, 24 dB power gain and 15 % power-added efficiency(PAE) at 36.5 GHz.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.3
no.2
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pp.93-100
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2008
In this paper, Low Noise Block down converter(LNB) is designed for a Ka-band satellite television receiver only(TVRO) using commercially available MMIC. Designed Low Noise Block down-converter is composed of three stage amplifiers involving input noise matched at first amplification stage, image reject band pass filter, frequency mixer and intermediate frequency amplification. Through LNB Module power budget to obtain gain and attenuation, Optimum LNB devices satisfying Ka-band LNB technical specification are selected. Experimental results of designed Ka-band LNB yields conversion gain of over $58{\pm}1dB$, noise figure of less than 1.5dB and phase noise of -94.6dBc @10KHz.
An, D.;Chae, Y. S.;Kang, T. S.;Sul, W. S.;Lim, B. O.;Rhee, J. K.
Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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2001.11a
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pp.213-217
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2001
본 논문에서는 CPW 구조를 이용하여 60 GHz 무선 시스템 응용을 위한 V-band용 하향 주파수 혼합기를 설계 및 제작하였다. 하향 주파수 혼합기의 설계 및 제작에 있어서 GaAs PHEMT(Pseudomorphic high electron mobility transistor)를 기반으로 하였으며, 회로설계를 위해 coplanar waveguide(CPW) 라이브러리를 구축하여 이용하였다. 제작된 하향 주파수 혼합기의 변환이득은 국부발진주파수(LO) 입력이 8 dBm일 때 -8.5 dB의 최대 변환이득 특성을 얻었으며 Pl dB는 -3.3 dBm을 얻었다. 제작된 회로의 칩 크기는 1.6$\times$l.6 $\textrm{mm}^2$ 이다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.24-25
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2000
파장변환 소자는 최근에 급격히 발전하는 광네트웍을 구축하기 위하여 필수적인 소자로서 여러 가지 형태에 대한 연구개발이 진행되고 있다. 그중에서도, 최근에는 반도체 광증폭기로 형성된 방향성 결합기구조(semiconductor optical amplifier directional coupler)에서의 상호 이득 포화(XPM : cross-phase modulation)에 의한 파장변환에 대한 개념이 제안되고 가능성이 실험적으로 입증된 바 있다. 이런 구조의 파장변환 소자는 입력 광신호의 파워가 작을때는 위상 정합이 되어 반도체 광증폭기의 광모드가 완전히 결합되어 cross state로 변환된 파장의 광파워가 많이 출력되고, 신호 입력 파워가 증가함에 따라 결합이 감소하게 되어 Cross state에서의 출력 파워는 감소하게 된다. 이와 같은 소자는 입력 신호광과 변환된 신호광이 역방향으로 진행하는 경우 광필터가 필요없이 파장변환이 가능하고, 변환 후의 소광비가 향상되기 때문에 향후 다양한 형태로 응용될 가능성이 있으며, 적정 설계 및 성능 예측을 위해서는 시영역에서 모델링할 수 있는 방법론을 구축하는 것이 필요하다. 본 논문에서는 연산자 분리 방법$^{(1)}$ 을 적용하여 상술한 파장변환기를 해석하기에 적당하도록 시영역 동적 모델을 구현하고, 파장변환 특성을 여러 가지 면에서 분석하여 보았다. (중략)
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.42
no.6
s.336
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pp.61-66
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2005
In this paper, we implemented a impulse generator, the one of the part in UWB(Ultra Wide Band) system using step recovery diode(SRD) and gain-switced semiconductor laser. The impulse generator was consisted of four stages; The first stage used SRD to generate the first impulse for gain switching. The second stage controled current for the suitable gain switching condition. The third was the second impulse generator to generate gaussian pulse. For gain switching, the first impulse was applied to semiconductor laser. In the last stage the gain switched impulse was converted into mono-gaussian pulse. The measured mono-gaussian pulse was 360 psec pulse-width and $-70mV \~ +50mV$ amplitude in time domain. In frequency domain its magnitude and bandwidth was, respectively, -41dBm and 3.6GHz. Accordingly, the impulse generator that we suggested was suitable for UWB systems.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2014.10a
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pp.275-277
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2014
본 논문에서는 다양한 주파수 튜닝이 가능한 직접변환방식을 이용한 Gm-C 능동필터 회로를 설계하였다. 설계된 필터는 집적회로를 튜닝하여 요구되는 기준주파수 및 대역폭과 이득을 만족시킬 수 있다. 필터에 사용된 OTA회로는 전달 트랜스컨덕턴스 값을 외부전압으로 제어할 수 있도록 설계하여 다양한 주파수대역에서 사용할 수 있다는 장점을 가진다. 설계된 필터는 ripple 전압을 최소화 하고 이득 값을 높일 수 있는 Elliptic 필터를 사용하였다. 집적화를 위하여 수동필터를 능동필터로 변환할 수 Gyrator 방식을 이용하였다. HSPICE 시뮬레이션 결과, 외부전압을 1.0V~1.9V까지 변화를 주었을 때 1.4MHz ~ 2.8MHz의 차단주파수의 조정이 가능하였고 소비전력은 4.5mW~20mW임을 측정하였다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2001.02a
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pp.218-219
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2001
본 실험에서는 RF 소자들과 650 nm InGaAIP FP LD를 사용하고 이득스위칭에 의하여 선폭이 35psec 되는 극초단 광펄스를 생성하였다. 또한 이렇게 생성된 극초단 광펄스를 이용하여 언덕형 굴절률 분포를 가지는 다중모드 광섬유의 대역폭을 빠른 푸리에 변환(Fast Fourier Transform)으로 계산하였다 따라서 본 실험에서 이용된 언덕형 굴절률 분포를 갖는 다중모드 광섬유의 대역폭은 670 MHz.km로 측정되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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