• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.7
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• pp.23-29
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• 2010

We propose an optical gas sensor, which consists of a hollow core photonic bandgap fiber (HC-PBGF) and fiber Bragg grating (FBG), for the detection of acetylene gas. The gas detection scheme is uniquely characterized by modulating the Bragg wavelength of the fiber Bragg grating around a selected absorption line of gas filled in the photonic bandgap fiber. In the measurement, a 2m-long HC-PBGF and FBG with a Bragg wavelength of 1539.02nm were used. The FBG was modulated at 2Hz. We demonstrated that the optical fiber gas sensor was able to selectively measure the 2.5% and 5% of acetylene gases.

• Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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• v.32 no.4
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• pp.241-247
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• 2019

A band gap refers to a certain frequency range where the propagation of mechanical waves is prohibited. This work focuses on engineering three-dimensional Kelvin lattices having external band gaps at low audible frequency ranges using a gradient-based design optimization method. Elastic wave propagation in an infinite periodic lattice is investigated by employing the Bloch theorem. We model the ligaments using a shear-deformable beam model obtained by consistent linearization in a geometrically exact beam theory. For a given lattice topology, we enlarge band gap sizes by controlling the configuration of the beam neutral axis and cross-section thickness that are smoothly parameterized by B-spline basis functions within the isogeometric analysis framework.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.39 no.9
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• pp.35-43
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• 2002

In this paper, microstrip ring with a narrow gap is characterized and used as a tunable microwave bandgap (MBG) structure. The center frequency of MBG is mainly determined by the mean circumference of the ring and coincides with odd mode resonance frequency of the ring resonator. The stop band formation by the proposed microstip MBG ring is due to the reflection of electromagnetic waves at the narrow gap introduced in the ring, and the reactive component mounted on the gap makes the stop band vary according to its value. The mounting of capacitor (inductor) is observed to decrease (increase) the center frequency of the stop band. The varactor-mounted microstrip MBG ring is expected to be useful in microwave switches and microwave amplifier circuits.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.86.1-86.1
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• 2010

Cu2ZnSnSe4는 CIS 태양전지의 In 대체 물질계로 주목을 받고 있는 저가형 태양전지 재료로 장차 차세대 태양전지 재료로 응용이 기대되고 있다. 그러나 에너지 밴드갭이 0.9~1.1eV로 다소 낮아 태양전지 광흡수층 재료로 사용하기 위해서는 wide band gab화 처리가 필요하다. 본 연구에서는 CZTSe에 S를 첨가하여 에너지 밴드갭을 확장하고자 하며, S의 첨가가 CZTSe 박막의 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 실험의 편의성을 도모하고자 펄스레이저 법을 사용하여 증착하였다. 박막 조성 제어에는 Cu, Zn, Sn, Se, S 분말을 볼밀로 분쇄, 혼합하여 균질 혼합상 프리커서를 제조하고 이를 Cold Isostatic Press(CIP) 성형하여 Source target을 사용하였다. Pulsed YAG-Laser를 사용하여 soda lime glass상에 증착하고 조성, 구조, 조직을 관찰하고 에너지 밴드갭, 광흡수계수, 면저항, 전하밀도 등 특성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.217.2-217.2
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• 2015

본 연구에서는 ITZO를 용액으로 제작하여, $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 표면 및 광학적 특성을 분석하였다. 열처리 전 처리시간(0초~70초)을 가변하여 $O_2$ 플라즈마 처리하였다. 박막의 표면 상태를 RMS (Root Mean Square)로 비교하였다. 처리 전 표면의 거칠기는 1.38 nm이고, 50초에서 0.67nm로 표면의 상태가 좋아지며, 이후에는 RMS가 증가하여 표면 상태가 안 좋아짐을 확인하였다. 50초까지는 $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 표면 상태의 개선된 효과를 얻을 수 있지만, 70초 이후에는 표면이 에칭되어 저하된 특성을 보이는 것을 확인하였다. 광학적 특성은 투과도와 밴드갭으로 차이를 확인하였다. 가시광선 영역 (380 nm~770 nm)에서의 투과도는 92%에서 90%로 감소하였고, 밴드갭은 3.64eV에서 3.57eV로 줄어들었다. $O_2$ 플라즈마 처리 시간에 따라 개선효과를 얻을 수 있지만, 70초 이후에는 표면에 결함을 야기하여 표면 및 광학적 특성의 저하를 보였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.256-257
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• 2000

유전체 덮개층을 이용한 impurity free vacancy disordering (IFVD) 기술에 의한 양자우물구조의 밴드갭 조절기술은 양자우물을 갖는 광소자의 제작 및 광소자들의 한판 집적에 광범위하게 적용되어 왔다$^{(1-3)}$ . IFVD 기술의 핵심은 유전체 덮개층의 종류 및 그 특성을 적절히 조절함으로써 양자우물의 밴드갭 및 굴절율을 양자우물 기판상에서 공간적으로 조절하는 기술에 있다. 이러한 목적을 위해 SiN$_{x}$ , SiO$_2$, SrF$_2$ 및 WN$_{x}$ 와 같은 많은 유전체 덮개층에 관한 실험들이 진행되었다 $^{(1-6)}$ . (중략)

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.11a
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• pp.64.1-64.1
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• 2011

다중접합 태양전지는 흡수대역이 다른 juntion으로 구성되어, 각각의 태양전지 간의 전류정합(current matching)이 효율 향상에 중요하다. 본 실험에서는 Top cell에 i-a-Si:H(Thinckness:100nm), Middle cell에는 i-a-SiGe:H(Thickness:800nm)을 적용하였고, bottom cell에는 i-${\mu}c$-Si:H(Thickness:1800nm), 수광부의 p-layer에 에 SiOx을 이용하여 triple juntion amorphous silicon solar cell(삼중접합태양전지)을 구현하였다. 이를 최적화 시키기 위해 ASA simulation을 이용하여 각 Cell의 intrinsic layer의 밴드갭을 가변하였다. 가변 결과 i-a-Si:H : 1.85 eV, i-a-SiGe:H: 1.6 eV, i-${\mu}c$-Si:H: 1.4 eV에서 태양전지 효율 14.5 %을 기록 하였다. 본 연구를 통해 Triple juntion cell에서의 intrinsic layer의 밴드갭 최적화를 구현해 볼 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.403-403
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• 2011

TCO/p/i/n 구조의 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제작에 있어서 a-Si 혹은 넓은 밴드갭 물질인 SiOx, SiC 등은 window layer로 주로 사용 되어왔다. 그러나 ${\mu}c$-Si는 우수한 광학적, 전기적 특성에 불구하고 낮은 activation energy에 의한 p/i interface 에서의 band-off set에 의한 정공재결합에 의해 사용되어 지지 못했다. 이러한 재결합은 p/i interface상에 buffer layer를 삽입함으로써 개선되어 질 수 있다. 본 논문에서는 비정질 실리콘 보다 넓은 광학적 밴드갭을 가지는 a-SiOx 박막을 완충층으로 사용하여 p/i 계면에서의 재결합 감소에 대한 시뮬레이션을 수행하였다. a-SiOX 박막 내에 포함 된 산소의 양에 따라 밴드갭을 조절하여 1.8eV~2.0eV 사이의 완충층을 삽입하여 박막태양전지의 개방전압, 단락전류, 효율 등에 끼치는 영향을 ASA 시뮬레이션을 통하여 알아보았다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.12 no.6
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• pp.479-484
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• 2001

The analysis of photonic band gaps and anomalous dispersion phenomena in photonic crystals requires understanding of band structures and dispersion surfaces. We show the results of the calculation of band structures and dispersion surfaces for a few two- dimensional lattices, using the finite-difference time-domain method with periodic boundary conditions. In addition, localized defect modes the exist within the band gap are computed by the same method.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.12
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• pp.59-65
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• 2004

A stable reference voltage generator is necessary to the infrared image signal readout circuit(ROIC) to improve noise characteristics of signal originated from infrared devices, that is, to gain good images. In this paper, bandgap circuit operating at cryogenic temperature of 77K for Infrared image ROIC(readout integrated circuit) was first made. It demonstrates practical use possibility through taking measurements and estimations. Bandgap circuit is a representative voltage reference circuit. Most of bandgap reference circuits which are presented so far operate at room temperature, and their characteristic are not suitable for infrared image ROIC operating at liquid nitrogen temperature, 77K. To design bandgap circuit operating at cryogenic temperature, suitable circuit is selected and the parameter characteristics of used devices as temperature change are seen by a theoretical study and fitted at liquid temperature with considering such characteristics. This circuit has been fabricated in the Hynix 0.6um standard CMOS process, and the output voltage measured shows that the stability is 1.042±0.0015V over the temperature range of 60K to 110K and is better than bandgap circuits operated at room temperature.