유전체덮개 양자우물 무질서공정에서 $SiN_{x}$ 덮개층 성장시 $NH_3$ 유량비 조절을 통한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 밴드갭 조절
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- Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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- 2000.02a
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- pp.256-257
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- 2000