• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.186-186
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• 2013

종래의 흑연 위주 연료전지 분리판 개발되어 최근 고분자 전해질 막 연료전지가 높은 전력, 낮은 배기 가스 배출, 낮은 작동 온도로 자동차 산업에서 상당한 주목을 받고 있다. 요구사항은 높은 전기 전도도, 높은 내식성, 낮은 가스 투과성, 낮은 무게, 쉬운 가공, 낮은 제조비용이다. Thin film Cr 장비로 저항가열 furnace, sputter 등이 사용된다. 연료전지 분리판의 고전도도, 내부식성 보호막의 고속 증착을 위한 새로운 증착원으로 스퍼터 - 승화형 소스의 가능성을 유도 결합 플라즈마에 금속 봉을 직류 바이어스 함으로써 시도하였다. 유도 결합 플라즈마를 이용하여 승화증착 시스템을 사용하여 OES (SQ-2000)와 QMS (CPM-300)를 사용하여 $N_2$ flow에 따른 유도 결합 플라즈마를 이용한 스퍼터-승화증착 시스템을 사용 하여도 균일한 공정을 하는 것을 확인 하였다. 5 mTorr의 Ar 유도 결합 플라즈마를 2.4 MHz, 500 W로 유지하면서 직류 바이어스 전력을 30 W (900 V, 0.02 A) 인가하고, $N_2$의 유량을 0.5, 1.0, 1.5 SCCM로 변화를 주어 특성을 분석하였다. MID (Multiple Ion Detection) mode에서 유도결합 플라즈마를 이용한 스퍼터-승화 증착 장비를 사용하여 CrN thin flim 성장시켰고, deposition rate은 44.8 nm/min으로 얻을 수 있었다. 또한 $N_2$의 유량이 증가할 수록 bias voltage가 증가하는 것을 확인 할 수 있었다. OES time acquisition을 이용한 공정 분석에서는 $N_2$ 유량을 off 하였을 때 Ar, Cr의 중성 intensity peak이 상승하였고, 시간 경과에 따라 sublimation에 의한 영향이 없는 것을 확인 할 수가 있었다. XRD data에서는 질소 유량이 증가함에 따라 $Cr_2N$이 감소하고, CrN이 증가하는 것을 확인할 수가 있었다. 결정배향성과 Morphology는 다결정 재료의 경도에 영향을 주는 인자이다. CrN 결정 구조의 경우는 (200)면이 경도가 제일 높은데 (200)면에서 성장한 것을 확인 할 수 있었다. 잔류가스 분석 결과로는 일정한 Ar의 유량을 흘렸을 때 $N_2$의 변화량이 비례적인 경향이 보이는 것을 확인 할수 있었다. 또한 $N_2$가 흐르면서도 유도 결합 플라즈마를 이용한 스퍼터-승화 증착 시스템을 사용하면 일정한 공정을 하는 것을 확인 할 수 있었다. 질소의 분압이 유량에 따라서 $3.0{\times}10^{-10}$ Torr에서 $1.65{\times}10^{-9} $Torr까지 일정한 비율로 증가한다. 즉, 이 시스템으로 양산장비 설계를 하여도 가능 하다는 것을 말해준다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.2
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• pp.145-151
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• 2006

The molecular assembly of p-iodo-phenyl octadecyl ether (I-POE), p-iodo-phenyl docosyl ether (I-PDE) and a binary mixture of these two molecules on graphite has been studied using a scanning tunneling microscope. Each molecular system self-assembles on the graphite surface to form a stable monolayer with a head-to-tail configuration. For the binary system, the I-POE and I-PDE molecules do not mix on the surface, preferring instead to form isolated monolayer domains. Here, the I-POE molecules are preferentially adsorbed on the graphite surface, due to the effects of alkyl chain length and the functional group on the monolayer structure.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1992.07b
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• pp.868-870
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• 1992

Langmuir-Blodgett method is the best candidate for the development of the future molecular electronic devices. But, this molecular thin film devices requires the bulk properties that was influenced by the molecular arrangements and orientations. So, these are of current interest in molecular electronic device fabrications of new materials. In this experiment, the N-docosylquinolium-TCNQ LB films were deposited on the surface pressures of 30 mN/m and 45 mN/m. We measured the polarized UV/visible absorptions of deposited films for the study of the molecular arrangements and orientations. The polarized UV/visible absorption variation on the incidence and polarization angle of the LB film deposited on the surface pressure of 45 mN/m shown methodically variated. So, we concluded that the LB film deposited on 45 mN/mwas arranged better than that obtained at 30 mN/m.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.2 no.2
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• pp.1-6
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• 1991

ZnO thin films were deposited on p-Si(100) and Coming glass 7059 by f magnetron sputtering mothod. The effect of deposition parameters on the electrical, structural and optical properties were investigated. Highly c-axis oriented ZnO thin films were deposited at high rf power. Standard deviation(σ) of X-ray rocking curve of peak at 26θ=34,4˚ ranged from 6.8˚ to 7.2˚, depending on the deposition condition. ZnO thin films deposited on glass substrate eihibited 80% transmittance in the visible range, regardless of the deposition parameters. Resistivity of ZnO thin films was significantly affected by f power and Ar pressure, and ranged widely from 3×102 to 2×109 Ω.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.6
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• pp.531-536
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• 2001

SiCl$_4$/CH$_4$/H$_2$계를 사용한 플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 실리콘(100) 기판 위에 3C-SiC막을 117$0^{\circ}C$~1335$^{\circ}C$의 온도범위에서 증착하였다. 증착온도, 유입가스비, R$_{x}$ [=CH$_4$/(CH$_4$+H$_2$)], 그리고 r.f. power를 변화시켜 증착막의 결정성에 대해 검토하였다. Thermal CVD에 비해 PECVD법은 박막의 증착속도를 향상시켰다. 증착된 3C-SiC은 (111) 면으로 최대의 우선배향성을 지님을 알 수 있었다. 실리콘 기판 위의 3C-SiC막의 결정성은 R$_{x}$값에 의존하였으며, R$_{x}$가 감소할수록 결정성이 더욱 향상되었다. Free Si가 3C-SiC막과 함께 증착되었으나, 증착온도와 r.f power가 증가함에 따라 free Si의 함량은 감소하였다. 증착온도 127$0^{\circ}C$, 유입가스비 R$_{x}$=0.04, r.f. power가 60W에서 비교적 결정성을 가진 3C-SiC막을 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.03b
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• pp.15-16
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• 2010

We used Brewster's Law to examine the mechanism of liquid crystal (LC) alignment on an organic insulation layer when subjected to ion-beam irradiation. Brewster's Law implies that the maximum rate polarized rayon a slanted insulation layers on the substrate and it illustrates the dependence of polarization and themechanical structure on the ion beam irradiation process. The pretilt angle of nematic LCs on the organic insulation surface was about $1.13^{\circ}$ for an ion beam exposure of $45^{\circ}$ for 1 minute at 1800eV. This shows the dependence of LC alignment on the polarization ratio in a slanted organic insulation layer. We also discussed the electro-optical characteristic of twisted nematic (TN) LCD using ion beam irradiation on organic overcoat layer.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2000.11a
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• pp.22-22
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• 2000

DRAM의 고접적화에 따라 기존의 반도체 공정에서 사용중인 여러 가지 기술들이 대부분 그 한계를 보이고 었으며, 대표적인 것이 캐퍼시터 형성기술이다. 따라서 1G DRAM급 이상의 초고집적 회로를 실용화하기 위해서 유전율이 높은 BST ($BrSrTiO_3$) 박막을 이용하여 캐패시터를 제조하려는 기술도 반드시 해결되어야 현재 활발히 실용화 연구가 진행중에 있다. BST 박막을 제조하는 방법은 RF magnetron sputtering, Ion beam reactive co-evaporation, LSM (Liquid Source Misted) CVD, MOCVD 등의 법으로 제조되고 있다. 본 연구에서는 전기-수력 학적 분무(Electro-Hydrodynamic Spray)현상을 이용한 MOCVD에 BaO, SrO, $TiO_2$ 박막을 증착 하여 전기장세기, 기판온도, 시간 등에 따른 특성을 조사하였다. 전기수력학적 분무를 이용한 증착법은 원료를 함유하는 용액을 이용함으로써 이송관의 가열이 필요 없이 장치를 간단하게 할 수 있고, 용액의 유량과 전기장의 세기에 따라 초미세 입자제어도 가능하며, 박막의 조성을 출발 용액으로 부터 조절하는 등의 특징을 가지고 있다. 증착한 박막의 표면, 단면 형상 및 조성을 분석하였고 결정화 여부 및 우선 배향성을 조사하였다. 현재는 개별 박막의 표현 형상과 조성에 대한 연구 결과를 얻었으며, 계속해서 박 막의 여러 특성에 대하 연구할 계획이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.400-400
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• 2007

In this study, we investigated liquid crystal (LC) alignment with ion beam (IB) that non contact alignment technique on polyimide and electro-optical characteristics of twisted nematic (TN)-liquid crystal display (LCD) on the polyimide under various ion beam angles. In this experiment, polyimide layer was coated on glass by spin-coating and Voltage-transmittance(VT) and response time characteristics of the TN cell were measured by a LCD evaluation system. The good characteristics of the nematic liquid crystal (NLC) alignment with the ion beam exposured polyimide surface was observed. In addition, it can be achieved the good EO properties, and residual DC property of the ion beam aligned TN cell on polyimide surface.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.275-275
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• 2012

실용금속 중 가장 경량이고, 치수 안정성, 절삭성 등이 우수한 Mg과 각종 산업의 구조물, 전기전자 부품 등의 분야에서 방식용 코팅 제품으로 많이 사용되고 있는 Zn를 혼합박막으로 Zn-Mg 박막을 제작하였다. 또한 여기서는 모재와 Zn-Mg 박막 사이에 결합력 강화를 위하여 Al중간층을 삽입하고 (Zn-Mg)/Al 박막을 제작하였다. 이와 같이 혼합박막을 제작하는 것은 Zn, Mg, Al 등과 같은 단일박막의 밀착성과 내식성의 한계를 극복-향상시키기 위한 것이었다. 한편, 이와 유사한 혼합박막에 많이 사용되고 있는 희생양극의 성분적인 측면이나 구조적인 분석에 있어서는 연구의 진척이 많이 이루어지고 있지만, 밀착성과 내식성의 상관관계의 규명에 있어서는 기초 단계이다. 따라서 본 연구에서는 여러 가지 증착 조건에 따라 제작한 막에 대한 표면 몰포로지, 결정배향성, 밀착성과 내식성에 미치는 영향을 분석하여 이들의 상관관계를 규명함은 물론 Al 중간층의 유무에 따른 서로간의 특성을 분석하였다. 분석결과에 의하면 Zn, Mg, Al 단일박막과 Zn-Mg 혼합박막에 비해 Al 중간층을 삽입한 (Zn-Mg)/Al이 내식성은 물론 밀착성이 우수하게 나타났다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.2
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• pp.128-133
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• 2010

ZnO:Al films were deposited by DC-pulsed magnetron sputtering using a two-step process involving the control of the oxygen pressure. The seed layers were prepared with various Ar to oxygen flow ratios and the bulk layers were deposited under pure Ar. As the oxygen pressure during the deposition of the seed layer increased, the crystallinity and degree of (002) texturing increased. The resistivity gradually decreased with increasing crystallinity from $4.7\times10^4\Omega{\cdot}cm$ (no seed) to $3.7\times10^4\Omega{\cdot}cm$ (Ar/$O_2$ = 9/1). The etched surface showed a crater-like structure and an abrupt morphology change appeared as the crystallinity was increased. The sample deposited at an Ar/$O_2$ flow ratio of 9/1 showed a very high haze value of 88% at 500 nm, which was explained by the large feature size of the craters, as shown in the AFM image.