최근 미세전자 소자에서 초고집적, 적층구조 추세는 선폭이 $0.25{\mu}m$ 이하까지 소형화되고 있는 실정이다. 이러한 미세화는 박막배선에서 높은 전류밀도를 초래하게 된다. 높은 전류밀도 하에서는 엘렉트로마이그레이션에 의한 결함발생이 미세전자 소자에서의 치명적인 문제점의 하나로 대두되고 있다. 본 연구는 Ag, Cu, Au, 그리고 Al 박막 등에서 엘렉트로마이그레이션 특성을 조사함으로써 박막배선 재료를 개선하기 위한 것이다. 고전기전도도를 갖고 있는 Ag, Cu, Au, 그리고 Al 박막배선에서 엘렉트로마이그레이션에 대한 저항 특성을 결함발생 시간 분석으로부터 활성화 에너지를 측정함으로써 조사하였다. 광학현미경 그리고 XPS 분석이 박막에서의 결함분석에 사용되었다. Cu 박막이 엘렉트로마이그레이션에 대해 상대적으로 높은 활성화 에너지를 보였다. 따라서 Cu 박막이 높은 전류빌도 하에서 엘렉트로마이그레이션에 대한 높은 저항성이 요구되는 차세대 미세전자 소자에서 적합한 박막배선 재료로서의 가능성을 갖는 것으로 판단된다. 보호막 처리된 Al 박막은 평균수명 증가, 엘렉트로마이그레이션에 대한 저항 특성 향상을 나타내며 이는 보호막 층과 박막배선 재료 계면에서의 유전 보호막 효과에 기인하는 것으로 사료된다.
이 논문에서는 평판의 배선형 해석에 대한 Berger의 방정식을 쉘좌표가 직교곡선좌표계로 표시 되는 Shallow 쉘에 대하여 일반화하여 운동방정식을 유도하였다. 해석의 예로서, 이 방정식을 사용하여 고정된 경계를 가진 원판과 Shallow 구쉘에 대한 배선형 진동문제를 해석하였으며, 정력학의 문제로서 원판이 동심원내에 균일하중을 받을때와 중심에 집중하중을 받을 때의 large deflection에 대하여 고찰하였고 나중문제에 대한 수치해를 구하였다.
본 문서는 백프레인(backplane)에서 프로세서 HSTL(High-speed Transceiver Logic)의 데이터 전송 및 수신 특성을 알아보기 위해 HSPICE를 사용하여 시뮬레이션을 하였으며 Xilinx Virtex II XC2V FF896 FPGA를 이용하여 직접 제작 신호 전달특성을 분석하였다. PCB(Printed Circuit Board)는 FR-4를 사용하였으며 point to point 배선 길이에 대해 데이터 전송속도 특성을 시험하였고 구현 가능한 데이터 전송 및 수신 한계 속도에 대해 검토하였다. 시험결과 point to point 접속 신호 전송 및 수신 한계속도에 영향을 주는 것이 배선 길이와 주변 전기적 잡음이 중요한 역할을 함을 알 수 있었다.
초고집적회로의 배선 금속으로 사용되는 알루미늄 합금은 치밀한 표면 산화막 때문에 화학증착법에 의하여 비어를 선택적으로 충전하기 힘들다. 본 연구에서는 기저층을 이용하여 비어에 선택적으로 화학증착함으로써 평탄화를 이루는 새로운 방법을 제안하였다. 알루미늄, 구리 등의 배선 금속, 팔라듐, 코발트 등의 금속, 기타 타이타늄 질화물 등의 기판에 대하여 화학증착 알루미늄의 특성과 실리콘 산화물간의 선택성을 평가하였으며 팔라듐, 코발트, 타이타늄 질화물 등을 기저층으로 사용한 경우에 낮은 비저항과 안정적인 선택적 비어 충전을 이룰 수 있었다.
This paper proposes a routing model based on the HVHD for four-layer routing problems. Differing from the HVHV and HVHH models, the proposed HVHD model permits diagonal routing on the fourth laye rwith a grid of 45.deg., 90.deg. and 135.deg. directions. The developed algorithm which uses a channel-graph including weights routes a layer using diagonal model and the othe rthree layers using HVH model. Applications to several benchmark examples verify that approximately 10~25 percent reduction of channel density can be achieved compared to the conventional four-layer channel routing algorithms.
다양한 FTTH 솔루션이 개발되고 초고속 정보통신건물 특등급 제도가 시행됨에 따라 FTTH 구축에 대한 관심이 증가되었다. 이 논문에서는 현재 FTTH 서비스를 위한 구내통신선로설비에서 동단자함과 세대단자함을 연결하는 배선문제를 해결하기 위하여 시제품의 개발과 시험 전송을 한 결과를 요약한 것이다.
본 연구는 국내의 가정에서 가장 많이 사용되고 있는 1조식전자동세탁기(이하 기기라 함)의 발화위험요소 중, 그 내부에 부속된 세탁조의 하부측을 경유하며 배선되는 전선(이하 하부배선이라 함)의 발화형태와 성상(性狀)을 조명하므로서, 예방대안과 원인조사의 요령을 구체적으로 제시하고자 하였다.
전자 소자 배선 재료로 이용되는 Cu의 확산 방지막으로서 170nm 두께의 전해 Ni-Re-P 합금 피막이 Cu substrate 위에 제조되었으며 피막특성 및 확산 거동을 연구하였다. 도금 피막내의 P와 Re의 조성분석은 WDXRF로 분석하였으며, 각 함량은 6wt.%와 10wt.%였다. DSC와 XRD는 Ni-Re-P 피막의 결정화 온도가 Ni-P 피막보다 높다는 것을 보여줬다. 이 결과는 Ni-Re-P 피막의 열적 안정성이 Ni-P피막보다 더 우수하다는 것을 나타낸다.
Copper는 2차 전지 및 PCB 등 Electrical Device에 빠짐없이 들어가는 핵심 부품이다. 반도체 배선재료 또한 Aluminum에서 Copper로 대체되어 Electrical Conductivity 및 Electro-migration 문제를 해결할 수 있었다. 최근 배선의 미세화 및 전지용량 증가로 인해 보다 얇으면서, 동시에 높은 기계적 강도를 가지는 Copper Film의 필요성이 요구되고 있다.
금은 양호한 전기적 특성 및 높은 연성과 퍼짐성을 갖고, 화학적 안정성도 우수하기 때문에 전자부품의 배선재료, 접점재료뿐만 아니라 우주왕복선의 박막 방어막으로도 사용되고 있다. 도금두께 제어가 우수하고, 수조의 관리가 용이하기 때문에 오래전부터 인쇄회로기판 분야에서도 최종표면처리(Surface Finish)에 적용되고 있다. 최근 전자부품이 다시 고밀도화가 추진되고, 미세 배선회로가 증가함에 따라 무전해 도금 보다 균일전착 막을 얻을 수 있는 전해금 도금공정이 요구되고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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