• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.12
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• pp.1-7
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• 2001

Single-layer polymer green electroluminescent devices were fabricated with novel material synthesis by using moleculely-dispersed TTA and NIDI into the polymer PC(B79) emitter layer doped with C6 fluorescent dye which has low operating voltage and high quantum efficiency. A EL cell structure of glass substrate/indium-tin-oxide/PC:TTA:NIDI:C6/Ca/Al was employed and compared with various low work function cathode electrodes Ca and Mg metals. By adjusting the concentration of the fluorescent dye C6, low turn-on voltage of 2.4V was obtained, maximum quantum efficiency of 0.52% at 0.08mole% has been improved by about a factor of ~50 times in comparison with the undoped cell. The PL and EL colors can't be turned by changing the concentration of the C6 dopant. PL emission peaking was obtained at 495nm and EL emission peaking at 520nm with FWHM ~70nm

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.230-230
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• 2010

질화갈륨 기반의 III족-질화물 계열의 반도체 물질은 녹색-자외선 영역의 발광다이오드에 응용되어 왔으며 고효율, 고휘도 발광소자의 구현 및 성능 향상을 위해 많은 연구가 진행되었다. 일반적으로 널리 사용되어온 c축 방향으로 성장된 질화갈륨 기반 발광다이오드에서는 활성층의 에너지 밴드구조가 내부전기장에 의해 변형되어 전자와 정공의 재결합 확률이 저하된다. c축 방향으로 형성되는 내부전기장은 축방향으로의 자발적 분극화와 높은 압전 분극 현상에 기인한다. 이와 같은 분극 성장에서의 내부양자효율 저하 현상을 해결하기 위하여 내부 전기장이 존재하지 않는 a축과 m축과 같은 무분극 방향으로의 성장이 집중적으로 연구되고 있다. 현재 사파이어 기판위에서 무분극 성장된 박막은 높은 밀도의 결함이 발생하여 고품위의 발광다이오드 동작에 어려움을 겪고 있다. 최근 결함 밀도를 낮추고 높은 결정성을 갖는 무분극 질화갈륨 박막을 성장하기 위하여 2-단계 성장 방법, 나노구조층 삽입, 산화규소 마스크 패턴 등 다양한 성장 방법들이 연구되어 주목할 만한 연구 결과들이 보고되고 있다. 다양한 성장 방법들에 의해 성장된 박막들은 고유한 특성들을 보이는데, 특히 박막 성장방법에 따라 박막 내부에 형성되는 깊은 준위의 특성들은 발광다이오드의 소자 특성에도 큰 영향을 미치게 되므로 무분극 박막에서의 깊은 준위에 대한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 금속-유기 화학기상증착 방법으로 r면의 사파이어기판 위에 a면의 질화갈륨을 성장시켰다. 고품질의 결정성을 구현하기 위해 저온 핵형성층, 3차원 성장층, 2차원 중간온도 성장층, 2차원 성장층의 4개 버퍼층을 사용하였으며, 질화규소 나노구조층을 삽입함으로써 고품 위의 a면 질화갈륨 박막을 구현하였다. 성장된 a면 질화갈륨 박막에 형성된 깊은 준위들은 접합용량과도분광법을 이용하여 분석되었으며 질화규소 삽입층의 유무에 따른 깊은 준위의 특성 차이에 대한 연구를 수행하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.29 no.4
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• pp.49-53
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• 2022

In this study, quantum dot light-emitting diodes (QLEDs) of the optimized EL performance with a radio frequency (RF) sputtered Zn_0.85Mg_0.15O thin film as an electron transport layer (ETL). In typical QLEDs, ZnO nanoparticles (NPs) are widely used materials for ETL layer due to their advantages of high electron mobility, suitable energy level and easy capable of solution processing. However, the instability problem of solution-type ZnO NPs has not yet been resolved. To solve this problem, ZnMgO thin film doped with 15% Mg of ZnO was fabricated by RF sputtering and optimized for the device applied as an ETL. The QLEDs of optimized ZnMgO thin film exhibited a maximum luminance of 15,972 cd/m² and a current efficiency of 7.9 cd/A. Efficient QLEDs using sputtering ZnMgO thin film show the promising results for the future display technology.

• 전자공학회논문지 IE
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• v.45 no.1
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• pp.1-6
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• 2008

In this paper, the white organic LED with two-wavelength was fabricated using the NPB of blue emitting material and a series of orange color fluorescent dye(Rubrene) by vacuum evaporation processes. The structure of white OLED was ITO/NPB$(200{\AA})$NPB:Rubrene$(300{\AA})$/BCP$(100{\AA})/Alq_3(100{\AA})/Al(1000{\AA})$ and the doping concentration of Rubrene was 0.75 wt%. We obtained the white OLED with CIE color coordinates were x=0.3327 and y=0.3387, and the maximum EL wavelength of the fabricated white organic light-emitting device was 560 nm at applied voltage of 11 V, which was similar to NTSC white color with CIE color coordinates of x=0.3333 and y=0.3333. The turn-on voltage is 1 V, the light-emitting him-on voltage is 4 V. We were able to obtain an excellent maximum external quantum efficiency of 0.457 % at an applied voltage of 18.5 V and current density of $369mA/cm^2$.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.42 no.12
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• pp.27-34
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• 2005

We have investigated the correlation between the active-layer uniformity and reliability of InGaN/GaN blue LEDs. According to initial characteristics, the devices are classified into two groups: group I devices of uniform light-emission and group II devices of non-uniform light-emission. The group II devices are more dependent on temperature and we have found two degradation mechanisms through reliability test. One is bulk degradation in which the degradation occurred over the entire chip and another one is edge degradation in which the degradation occurred from the edge of the chip. Bulk degradation caused by the nonradiative defects is found to be faster in group II devices while there is no difference in the rate of the much faster edge degradation, where darkening starts from the n-Ohmic contact edge. Therefore, more uniform active layer, more uniform current spreading, and the passivation of the dry-etched side-wall are essential for the high reliability of InGaN/GaN LEDs.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.3
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• pp.827-834
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• 2010

We have performed numerical simulations of the electrical characteristics for multi-layer organic light emitting diode devices with doped emitting layer using a commercial simulation program. In this paper, the basic structure consists of the ITO/NPB/$Alq_3$:C545T(%)/$Alq_3$/LiF/Al, four devices that were composed of $Alq_3$ as the host and C545T as the green dopant with different concentration, were studied. As the result, the variations of the doping concentration rate of C545T have a effect on the voltage-current density characteristics. The voltage-current characteristics are quite consistent with the results which were experimentally determined in a previous reference paper. In addition, the voltage-luminance characteristics were greatly improved, and the luminous efficiency was improved three times. In order to analyze these driving mechanism, we have investigated the distribution of electric field, charge density of the carriers, and recombination rates in the inner of the OLED devices.

• Polymer(Korea)
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• v.28 no.5
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• pp.367-373
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• 2004

Novel non-conjugated blue light-emitting copolymers containing perylene and triazine moieties as light emitting and electron transporting units, respectively in the polymer side chain were synthesized. The resulting copolymers were soluble in most organic solvents such as chlorobenzene, THF, chloroform and benzene. The single-layered electroluminescence (EL) device consisting of indium tin oxide (ITO) /copolymer/aluminium (Al) exhibited a maximum external quantum efficiency ($0.003\%$) and a good carrier balance when the triazine content was $30\%$. In particular, the device emitted blue light (479 nm) corresponding to the emission of perylene moiety. The drive voltage was observed at 5 V and the CIE coordinate was x=0.16, y=0.17.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.166-166
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• 2013

최근에 희토류 이온이 도핑된 형광체를 발광 소자, 레이저, 섬광재료, 광섬유, 촉매, 디스플레이와 같은 다양한 분야에 응용하기 위한 연구에 상당한 관심이 집중되고 있으며, 희토류 이온이 도핑된 발광 물질은 음극선관, 램프 조명, 플라즈마 디스플레이, X선 검출기, 전계 방출 디스플레이 소자를 포함한 다양한 영역에 응용되고 있다. 본 연구에서는 고상 반응법을 사용하여 발광 효율이 높은 적색과 주황색 형광체를 제조하고자 서로 다른 활성체 이온 Eu3+, Sm3+의 농도를 변화 시키면서 두 종류 Ca1-1.5xTa2O6:Eux3+와 Ca1-1.5xTa2 O6:Smx3+ 형광체 분말을 합성하였다. 특히, 활성제 이온의 농도비에 따른 형광체 분말의 결정 구조, 표면 형상, 입자의 크기, 흡광과 발광 특성을 측정하였다. 그림은 활성체 이온의 함량비를 달리하여 합성한 Ca1-1.5xTa2O6:Eux3+, Ca1-1.5xTa2O6:Smx3+ 형광체 분말에서 측정한 흡광(photoluminescence excition) 스펙트럼의 결과를 나타낸 것이다. 여기 파장 399 nm로 여기 시킨 Ca1-1.5xTa2O6:Eux3+ 형광체 분말의 경우에, 발광 세기가 가장 강한 617 nm의 주 피크가 관측되었다. 또한, 여기 파장 410 nm로 여기 시킨 Ca1-1.5xTa2O6:Smx3+ 형광체 분말의 경우에는 발광 세기가 가장 강한 주 피크는 609 nm에서 나타났다. 실험 결과로부터, Eu3+와 Sm3+ 이온이 각각 도핑된 CaTa2O6 형광체의 경우에는 색 순도가 높은 파장과 발광 세기는 Eu3+ 이온인 경우에 0.15 mol, Sm3+ 이온이 도핑되는 경우에는 0.05 mol이 최적의 합성 조건임을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.349-349
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• 2013

질화물 기반 물질은 발광다이오드의 효율 향상과 함께 널리 연구되는 물질의 하나이다. 그러나, 고유의 물성적 특성으로 인한 압전전기장 효과는 넓은 가시광영역에서 궁극적 효율 달성을 위한 장애가 되고 있다. 이를 극복하기 위한 방법 중 하나는 나노 구조이며, 특히 비극성면을 통한 나노구조의 구현은 압전전기장 효과를 제거할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 현재까지 이를 위한 질화물 나노로드의 구현은 보통의 경우 발생하는 반극성면의 발현으로 인해 기술적 어려움이 많았다. 이를 위해 제시되는 방법 중 하나인 반복적 성장 기법을 통한 본 그룹의 성공적 나노로드의 구현과 함께, nucleation 조건의 변화에 따른 성장 과정을 분석하여 미래의 고효율 3차원 나노구조 발광 소자를 위한 단서를 제공하고자 한다. Fig. 1은 수소(a)와 질소(b)를 850도부터 1,050도까지 성장 온도를 달리하여 성장했을 때의 모양 변화를 나타내며 이를 통한 GaN nanorod 성장 영향에 대하여 논하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.43-45
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• 2002

본 논문은 유지방전 구간에서 저전압, 고효율로 AC PDP를 구동하기 위한 전류제어 구동방식을 소개하고 이 방식의 특성을 실험적으로 측정한 결과를 소개한다. 본 구동방식은 기존 Weber의 에너지 회수회로의 구조를 개선한 구조로 전원을 패널에 직접 인가 하지 않고 외부의 충전 커패시터에 충전을 한 후 LC공진을 사용 하여 간접적으로 패널을 구동함으로 기존 구동방식 보다 낮은 전압으로 AC PDP를 구동 시킬 수 있으며, 패널 내에 흐르는 방전 전류를 제한함으로써 방전에 사용되는 소비 전력을 줄이고 발광 효율 또한 향상 시킬 수 있다. 이 구동 방식을 사용한 실험결과 146V의 낮은 전압으로 4인치 패널을 안정되게 구동 시킬 수 있었으며 발광 효율은 1.33 lm/W을 얻을 수 있었다.