• 제목/요약/키워드: 반응소결 탄화규소

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IGCC용 반응소결용 SiC 고온 가스 필터 개발

  • 박상환;한재호;권혁보;최주홍
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2005년도 제17회 워크샵 및 추계학술대회
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    • pp.446-461
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    • 2005
  • 본 연구에서는 반응소결 탄화규소 다공질 지지체 개발을 위하여 SiC/C로 이루어진 성형체를 사용한 Si melt infiltration 공정 및 SiC/C/Si으로 이루어진 성형체를 사용하는 Si embedding 공정 개발이 이루어졌다. 개발된 반응소결 탄화규소 다공질 지지체의 기공률은 38% 이상이었으며 평균기공은 130 ${\mu}m$ 크기이었다. Si melt infiltration 방법으로 제조된 반응소결 탄화규소 다공질 지지체의 파괴강도는 상용 반응소결 탄화규소 지지체의 파괴강도보다 최대 200% 이상 높게 나타났다. 본 연구에서는 용융 Si의 침윤공정을 이용하여 반응소결 탄화규소 여과층을 갖는 반응소결 탄화규소 필터 및 그 제조공정이 개발되었다. 개발된 반응소결 탄화규소 필터의 필터 특성은 상용 탄화규소 필터의 필터 특성과 대체적으로 대등한 것으로 조사되었다.

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반응소결 탄화규소에서 실리콘의 침윤향상 (Silicon Melt Infiltration of Reaction-Bonded Silicon Carbide)

  • 신현익;김주선;이종호;김긍호;송휴섭;이해원
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권7호
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    • pp.693-698
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    • 2002
  • 반응소결 탄화규소의 잔류 실리콘 양을 최소화하기 위해 3성분계 탄화규소 분말을 혼합하여 최밀 충전 반음소결 탄화규소를 제조하였다. 기지상의 충전밀도 증가로 인해 반응소결 중 실리콘의 불완전 침윤이 발생하였으며, 이로 인한 잔류 기공은 조대 탄화규소 입자의 표면을 따라 존재함을 확인하였다. 불완전 침윤은 승온 중 분해되지 않고 남은 산화물이 실리콘의 용융 온도 이상에서 분해되어 생긴 고립기공에 의한 것으로 확인되었다. 기지상의 표면에 존재하리라 여겨지는 산화물을 제거하기 위해 침윤전 열처리 및 부식처리를 통해 완전침윤을 달성하였다.

용융 Si 침윤방법에 의한 반응소결 탄화규소 고온가스 필터의 제조 및 특성 (Fabrication and Properties of Reaction Bonded SiC Hot Gas Filter Using Si Melt Infiltration Method)

  • 황성식;김태우
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권9호
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    • pp.891-896
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    • 2003
  • IGCC 발전 시스템에 사용되는 고온 가스 필터에 대하여 용융 Si 침윤공정 방법을 사용한 고강도 반응소결 탄화규소 고온 가스 필터 제조 공정이 개발되었다. 용융 Si 침윤 반응으로 제조된 반응소결 탄화규소의 상온 및 고온 파괴강도는 약 50-123, 60-66 MPa이었으며, 반응소결 탄화규소 다공체의 평균기공크기 및 기공율의 범위는 각각 60- 70 $\mu\textrm{m}$ 및 약 34 vol%이었다. 용융 Si 침윤 방법으로 제조된 반응 소결 탄화 규소 다공체에서는 SiC 입자 사이에 SiC/Si으로 이루어진 기지 상이 형성되어 고온 파괴 강도가 점토 결합 탄화 규소 다공체보다 우수하였다. 소결된 지지층 위에 Si 분말이 첨가되지 않은 slurry를 사용하여 여과층을 제조하였다. 여과층에 사용된 Sic 입자의 크기가 10$\mu\textrm{m}$에서 34 $\mu\textrm{m}$로 증가됨에 따라 SiC 입자 사이에 형성된 기지상의 두께가 증가하였다. 분진이 포함된 유체의 face velocity 변화에 따른 압손의 관계는 US filter사 Schumacher type 20 filter의 기체 유동 특성과 비슷하게 나타났으며, 분진여과 측정시 4분 내에 누출 분진의 크기가 1 $\mu\textrm{m}$ 크기 이하로 감소되었다.

반응소결 탄화규소 다공체의 기계적 특성 (Mechanical Properties of Porous Reaction Bonded Silicon Carbide)

  • 황성식;박상환;한재호;한경섭;김찬목
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권10호
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    • pp.948-954
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    • 2002
  • 차세대 발전 시스템에서 사용되는 고온 가스 필터용 지지층 소재를 제조하기 위하여 용융 Si 침윤 방법으로 기공율이 32∼36%, 주기공 크기가 37∼90 ${\mu}m$ 범위를 갖는 고강도 다공질 반응소결 탄화규소(RBSC)를 개발하였다. 반응소결 탄화규소 다공체의, 최대 파괴강도는 120MPa이었으며, 용융 Si 침윤 방법으로 제조된 반응소결 탄화규소 다공체에서는 SiC 입자 사이에 SiC/Si로 이루어진 기지상이 형성되어 있기 때문에 파괴 강도 및 열충격 특성이 점토 결합 탄화규소 다공체 보다 우수하였다. 반응소결 탄화규소 다공체의 기공율 및 기공 크기는 잔류 Si의 양 및 성형체에 사용한 SiC 입자 크기에 따라 다르게 나타났다.

성형미세구조가 반응소결 탄화규소체의 소결미세구조 및 기계적 특성에 미치는 영향 (Effect of Green Microstructure on Sintered Microstructure and Mechanical Properties of Reaction-Bonded Silicon Carbide)

  • 박현철;김재원;백운규;최성철
    • 한국세라믹학회지
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    • 제36권1호
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    • pp.97-105
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    • 1999
  • 탄화규소와 카본의 이성분계에서 pH, 계면활성제 및 출발원료의 입도 분포를 이용하여 성형체의 기공크기 및 기공을 제어에 관한 연구를 수행하였다. 성형체는 각각 다른 분산조건을 가지는 슬러리를 이장성형법을 이용하여 제조하였으며, 입자간의 응\ulcorner제어에 따른 상이한 성형미세구조를 가지도록 하였다. 제조된 성형체에 대하여 반응소결 공정은 1$600^{\circ}C$, 진공분위기에서 20분간 응용 실리콘 침윤 공정을 행하였다. 초기 성형 미세구조가 반응소결체의 미세구조에 미치는 영향을 관찰하기 위하여 광학 현미경 및 SEM 분석을 통하여 제조된 소결체의 미세구조를 분석하였으며, 그리고 이에 따른 반응 소결체의 기계적 특성을 평가하였다. 각각의 분산조건에 따라 성형미세구조는 다르게 나타났으며, 미세한 탄화규소를 입자를 사용하였을 경우에 기공크기가 현저하게 작아짐을 확인하였다. 제조된 반응소결체의 미세구조 분석결과 일반적인 반응소결 탄화수소에서 발견되는 bimodal 미세구조는 관찰되지 않았으며, 이는 초기 탄화규소의 카본의 비가 중요항 변수인 것으로 분석하였다. 반응소결 탄화규소의 3-점 곡강도 값은 입자간의 분산이 잘 이루어진 성형체를 사용하였을 경우 310$\pm$40 MPa으로서 응집이 일어난 성형체를 사용한 반응소결체의 260$\pm$50MPa 보다 높았다.

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반응소결 SiC 재료와 $SiC_f/SiC$ 복합재료의 특성 (CHARACTERIZATION OF MONOLITHIC RS-SiC AND RS-$SiC_f/SiC$ COMPOSITE MATERIALS)

  • 진준옥;이상필;이진경;윤한기
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2003년도 춘계학술대회
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    • pp.376-380
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    • 2003
  • The microstructure and the mechanical properties of RS-SiC and RS-$SiC_f/SiC$ materials have been investigated in conjunction with the content of residual silicon and porosity. The mechanical properties of RS-SiC materials suffered from the thermal exposure were also examined. RS-SiC based materials bave been fabricated using the complex matrix slurry with different composition ratios of SiC and C panicles. The characterization of RS-SiC based materials was investigated by means of SEM, EDS ~d three point bending test. Based on the mechanical property-microstructure correlation, the high temperature applicability of RS-SiC based materials was discussed.

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