한국신재생에너지학회:학술대회논문집

Korean Society for New and Renewable Energy (한국신·재생에너지학회)
권호 표지

IGCC용 반응소결용 SiC 고온 가스 필터 개발

  • 박상환 (한국과학기술연구원 복합기능세라믹스연구센터) ;
  • 한재호 (한국과학기술연구원 복합기능세라믹스연구센터) ;
  • 권혁보 (경남대학교 나노재료공학과) ;
  • 최주홍 (경상대학교 화공학부)
  • Published : 2005.11.11
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Abstract

본 연구에서는 반응소결 탄화규소 다공질 지지체 개발을 위하여 SiC/C로 이루어진 성형체를 사용한 Si melt infiltration 공정 및 SiC/C/Si으로 이루어진 성형체를 사용하는 Si embedding 공정 개발이 이루어졌다. 개발된 반응소결 탄화규소 다공질 지지체의 기공률은 38% 이상이었으며 평균기공은 130 ${\mu}m$ 크기이었다. Si melt infiltration 방법으로 제조된 반응소결 탄화규소 다공질 지지체의 파괴강도는 상용 반응소결 탄화규소 지지체의 파괴강도보다 최대 200% 이상 높게 나타났다. 본 연구에서는 용융 Si의 침윤공정을 이용하여 반응소결 탄화규소 여과층을 갖는 반응소결 탄화규소 필터 및 그 제조공정이 개발되었다. 개발된 반응소결 탄화규소 필터의 필터 특성은 상용 탄화규소 필터의 필터 특성과 대체적으로 대등한 것으로 조사되었다.

Keywords