• 제목/요약/키워드: 반도체 게이지

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반도체 게이지를 이용한 360 방향의 트랜스듀서 개발 (Development of a Transducer for Cursor Control by use of Semiconductor Strain Gage)

  • 김민석;송후근;이정태;김성배;이명훈
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.1430-1433
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    • 2003
  • Transducers, which are incorporated in control devices for fixed wing aircraft, land vehicles. and weapon systems were designed and manufactured by use of semiconductor strain gages. These transducers consist of three parts; flange mounts, sensing rods, and semiconductor strain gages. In this investigation, we designed cylindrical sensing rods with high sensitivity and developed installation procedures of semiconductor strain gages. The semiconductor strain gage has hish gage factor such that it can produce high resistance change in spite of low strain, but it is so small and fragile that one should handle carefully and sophisticated installation method is needed for good performances. The prototype transducers are manufactured, and then tested about three important factors: sensitivity, linearity, and hysteresis. We got results or 0.084 V/N sensitivity, 0.2% nonlinearity, and 0.5% hysteresis.

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반도체센서 압저항 측정을 위한 4점 굽힘 프로브 스테이션 (A Four-point Bending Probe Station for Semiconductor Sensor Piezoresistance Measurement)

  • 전지원;권성찬;박우태
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.35-39
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    • 2013
  • 반도체센서의 응력에 따른 전기적 특성을 프로브 스테이션 위에서 측정하기 위해 소형 4점 굽힘 장치를 개발하였다. 4점 굽힘 장치는 $60{\times}83mm^2$의 면적을 갖는 소형 장치로 마이크로미터를 통해 정확한 변위를 인가함으로서 가해진 응력을 구할 수 있다. 유한요소해석법을 사용하여 기기의 오차를 예측하고 정밀도를 향상하였다. 실험적으로는 4점 굽힘 장치로 인가된 응력을 검증하기 위해 스트레인 게이지로 검증하였다.

파워 게이팅 설계에서 IR Drop에 견고한 셀 배치 방법 (Robust Placement Method for IR Drop in Power Gating Design)

  • 권석일;한태희
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권6호
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    • pp.55-66
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    • 2016
  • 파워 게이팅은 반도체 칩의 누설전류(leakage current)를 감소시키는 데 효과적인 기술로 알려져 있으며, 전원 차단용 파워게이팅 셀 (power-gating cell, PGC)에서의 IR drop 증가로 인한 성능 및 신뢰성 저하에 대해 많은 연구가 이루어져왔다. 그러나 최신 공정에서는 트랜지스터 사이즈 감소 추세에도 불구하고 금속 배선의 스케일링이 제한됨에 따라, IR drop에 견고한 파워 게이팅 설계 시 셀 배치와 금속 배선 면적을 고려한 새로운 접근 방식이 필요하다. 본 논문에서는 셀 점유율(cell utilization)과 소모 전류에 근거한 로직 셀 배치 기법을 통해 PGC 면적 및 IR drop을 개선한 파워 게이팅 설계 방법을 제안한다. 28nm 공정으로 제조된 스마트폰용 어플리케이션 프로세서(Application processor, AP) 내 고속 디지털 코어에 적용한 결과 기존 PGC 배치 기법 대비 PGC 면적은 12.59~16.16%, 최대 IR drop은 8.49% 감소함을 확인하였다.

스트레인 게이지를 이용한 패키지 재료의 열팽창계수 측정 (Measurement of Thermal Expansion Coefficient of Package Material Using Strain Gages)

  • 양희걸;주진원
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.37-44
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    • 2013
  • 유연 솔더가 실장된 패키지와 무연 솔더가 실장된 패키지의 온도에 따른 변형 거동은 솔더 자체의 물성치 뿐만 아니라 패키지를 구성하는 재료의 물성치에도 큰 영향을 받는다고 알려져 있다. 본 논문에서는 스트레인 게이지의 온도특성을 이용하여 미지 재료의 열팽창계수를 결정하는 방법을 정립하고, 반도체 패키지 몰딩 화합물의 열팽창계수를 실험적으로 구하였다. 탄소강과 알루미늄 시편을 기준 시편으로 사용하고 스트레인 게이지 측정을 통하여 온도에 따른 유연 솔더용 몰딩 화합물과 무연 솔더용 몰딩 화합물의 열팽창계수를 구하고, 무아레 간섭계를 이용하여 비접촉적으로 열팽창 계수를 측정하여 결과를 비교하였다. 기준 시편에 따른 두 가지 스트레인 게이지 실험 결과와 무아레 실험 결과가 잘 일치하여서 실험방법에 신뢰성이 있는 것을 보였다. 유연 솔더용 몰딩 화합물의 경우에는 열팽창계수가 온도에 관계없이 약 $15.8ppm/^{\circ}C$로 측정되었고, 무연 솔더용의 경우에는 $100^{\circ}C$이하의 온도에서 몰딩 화합물의 열팽창계수는 약 $9.9ppm/^{\circ}C$이었으나 $100^{\circ}C$이상에서는 온도가 증가함에 따라 열팽창계수가 급격하게 증가되어 $130^{\circ}C$에서는 $15.0ppm/^{\circ}C$의 값을 가졌다.

New transfer standard for low vacuum region

  • 우삼용;한승웅;김부식;이상균
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.44-44
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    • 1999
  • 저진공(1 kPa~ 100 kPa)은 대기압 측정, 비행고도, 기체의 온도 측정, 질량의 부력 보정, 레이저의 굴절률 측정등에 사용되는 영역으로 과학적 중요성을 갖고 있다. 또한 대기압 이상의 압력 측정과 고진공 측정의 경계적 역할도 수행하고 있어 압력 표준기의 국제 비교에 필수적으로 권장되는 역역이다. 이 영역에 주로 사용되는 압력 표준기는 수은 압력계(Mercury manometer)와 분동식 압력계(Deadweight piston gauge or Pressure)가 있다. 이들은 이동이 불편하거나 불가능하므로 표준기의 국제 비교에 사용되는 전달 표준기로는 보다 이동이 간편한 탄성 압력계인 CDG(Capacitance diaphragm Gauge)가 있다. 이 게이지는 반도체 산업의 공정 제어용으로도 많이 사용되고 있다. 그러나 게이지와 함께 사용되는 컨트롤러의 부피가 크고 무거우며 영점 이동이 커서 측정때 마다 재조정하여야 하는 단점이 있다. 본 논문에서는 이 같은 단점을 극복하기 위해 수정빔 진동형 진공 센서를 잔달 표준기로 사용하는 것에 대한 연구를 수행하였다. 수정빔 진동형 압력 센서는 수정빔으 공진주파수가 스트레인에 비례하는 것을 이용하여 제작된 센서로 주로 대기압 이상의 고압 측정에 많이 사용되고 있다. 먼저 수정빔의 압력과 주파수간의 관계를 측정하고 또한 내장된 수정 온도센서의 공진 주파수를 측정하여 온도 보상을 위한 자료로 사용하였다. 규격에 나와 있는 수정빔의 기하학적 형상으로부터 거동에 관한 이론 모델식을 구하고 압력교정 자료로부터 얻어진 데이터를 이 식과 비교 분석하여 적합한 특성식과 인자를 구하였으며 게이지의 불확도를 추정하였다.모델은 길이가 유한한 0-차원 실린더 모델로 가정하였고, 이에 대한 기하학적 성질 및 열역학적 성질은 유효계수를 고려하여 산출하였다. 진공용기 이중 벽 내부로 흐르는 질소가스의 유량과 온도의 계산은 진공용기 내벽과 외벽을 각각 독립적인 열전달 요소로 가정하여 구성한 모델을 이용하였다. 전체 해석에서 각 열전달 요소의 비열 값은 온도에 따라 변화하는 비열의 특성을 반영하였으며. 진공용기와 플라즈마 대향 부품의 방사율(emissivity)은 앞서 가정했던 각 온도 상승 곡선에 대해서 각각 0.1, 0.2, 1.3의 경우를 가정하여 계산하였다. 직선적으로 증가하는 온도 상승 곡선중 2$0^{\circ}C$/hr의 온도상승율을 갖는 경우가 다른 베이킹 시나리오 모델에 비해 효과적이라 생각되며 초대 필요 공급열량은 200kW 정도로 산출되었다. 실질적인 수치를 얻기 위해 보다 고차원 모델로의 해석이 필요하리라 생각된다. 끝으로 장기적인 관점에서 KSTAR 장치의 베이킹 계획도 살펴본다.습파라미터와 더불어, 본 연구에서 새롭게 제시된 주기분할층의 파라미터들이 모형의 학습성과를 높이기 위해 함께 고려된다. 한편, 이러한 학습과정에서 추가적으로 고려해야 할 파라미터 갯수가 증가함에 따라서, 본 모델의 학습성과가 local minimum에 빠지는 문제점이 발생될 수 있다. 즉, 웨이블릿분석과 인공신경망모형을 모두 전역적으로 최적화시켜야 하는 문제가 발생한다. 본 연구에서는 이 문제를 해결하기 위해서, 최근 local minimum의 가능성을 최소화하여 전역적인 학습성과를 높여 주는 인공지능기법으로서 유전자알고리즘기법을 본 연구이 통합모델에 반영하였다. 이에 대한 실

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PCB Handler의 과도응답해석 및 충격계수 산출 연구 (A Study on the Transient Response and Impact Coefficient Calculation of PCB Handler)

  • 이병화;권순기;고만수
    • 디지털융복합연구
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    • 제15권7호
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    • pp.223-229
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    • 2017
  • 유럽, 미국을 비롯한 일본 등 선진 업계에서는 오랜 기간의 시험을 거쳐 충격계수의 시험결과를 보유하고 있으며, 장비를 설계할 때 이를 적용하여 구조물의 안정성을 확보하고 있다. 그러나 국내 산업체의 실정으로는 실제 구조물이 받는 여러 가지 동적인 외력에 의한 영향을 시험을 통해 충격계수를 확보하기에는 많은 비용과 시간이 소요되기 때문에 선진업체에서 제공하는 충격계수를 활용하여 장비를 설계하고 있다. 본 논문에서는 유한요소해석 프로그램인 NX/NASTRAN을 이용하여 반도체 검사 장비인 PCB Handler의 정하중해석과 충격하중에 대한 과도응답 해석을 진행하고, 변위 결과를 비교하는 방법으로 충격계수를 산출하였다. 충격계수 산출 방법은 일본 구조 구격에서 사용하고 있는 방법을 적용하였으며, PCB Handler가 검사를 위해 급출발 또는 급정지 시 충격계수는 1.27로 산출되었다. 해석으로 얻어낸 충격계수는 향후 장비의 구조개선과 기존장비를 기반으로 제품 개발 시 사용할 수 있어 업계에 도움이 될 것으로 판단된다.