• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.37-37
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• 2011

반도체 칩의 빠른 성장에는 Si을 기본으로 한 산화막 또는 질화막 재료의 공헌이 크다. 하나의 반도체 소자를 만드는 데 있어, 산화막(SiO2)과 질화막(Si3N4)은 각각 다양한 두께와 다양한 방법으로 제조되고 있기 때문이다. 또한 차세대 소자제작을 위해 사용되는 미세 patterning 방법으로 dual patterning 방법을 사용하는데 이는 ALD나 CVD를 이용한 저온 SiO2 증착공정을 기반으로 하고 있다. 이러한 Si 기반 소재 개발이나 공정개발을 위해 많은 Si 전구체가 개발되어지고 있지만 적합한 전구체를 선별하기는 어려운 실정이다. 본 연구에서는 FT-IR (Fourier transform-infrared)을 이용하여 개발된 전구체의 기상안전성 및 반응성을 실시간으로 진단하여 기존의 전구체와의 차별성을 확인하고 우수한 전구체를 선별하기 위한 연구를 진행하였다. 이를 위해 특별히 제작된 가스셀을 사용하여 열 및 플라즈마 상태변화에서의 분자상태 변형을 진단하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.16 no.2
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• pp.24-34
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• 1979

In this paper characteristics of the Ebers-Mull , charge control and Linvill iumped models are reviewed. A 1%eery for systematically modeling solid state device by F.A Lind helm and D. J. Hamilton is discussed in detail. Nonlinear and linear modeds for the junction field effect transistor are derived from the systematic modeling theory. Computer program for the transient analysis is develooped and application of the program to the RC amplifler shows guod results.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.11a
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• pp.52-54
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• 2019

본 논문에서는 Anyplace Induction Cooktop 시스템의 설계 방안을 제시한다. 다수의 워킹코일이 적용된 Anyplace 시스템은 전력밀도 향상을 위해 고주파 동작이 필요하다. 따라서 시뮬레이션 및 수학적 계산을 통한 동작 주파수, 전력 반도체 소자 조건 별 시스템의 손실 및 부피 간 Trade-off 분석이 필요하다 따라서 분석 결과를 토대로 각 전력반도체 소자 기반 시스템의 적합한 동작 주파수 영역 및 공진 네트워크 설계 방안을 제시한다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.12a
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• pp.54-58
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• 2003

본 연구에서는 $SiO_2/Si$ 기판 위에 $1.1\mu\textrm{m}$ 두께의 ZRO 압전층을 다양한 조건 하에서 증착하고, 그 특성을 분석하고, film bulk acoustic wave resonator 소자에 적용하였다. 증착조건으로 $Ar/O_2$ 유량비를 25-75 %로 변화시켰으며, working pressure는 3~15 mtorr, RF power는 213~300 W로 변화시켜가며 실험을 하였다. 증착된 ZnO 박막은 XRD (X-ray diffractomter)와 SEM (scanning electron microscopy)을 통해 특성이 분석되었다. LFE모드의 BAW 공진기는 $50\times50\mu\textrm{m}^2$ 공진면적을 가지며, $W/SiO_2$의 5층 Bragg reflector와 상하부 전극으로 $1800{\AA}$의 Al-3% Cu, 그리고 $1.4\mu\textrm{m}$ 두께의 ZnO 압전박막으로 구성되었다. 2.128-2.151 GHz 주파수 사이에서 공진이 일어났으며, Q factor는 400으로 측정되었다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.12a
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• pp.59-63
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• 2003

체적 음향파 공진기(Film bulk acoustic resonator, FBAR)는 2~10 Ghz 대역의 차세대 이동 통신용 구현에 필수적인 부품이기 때문에 국내외에서 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 논문에서는 FBAR 소자 제조를 위한 연구에서 원자층 증착(Atomic layer deposition, ALD) 방법에 의한 ZnO buffer layer 위에 스퍼터링 방법을 이용한 2-step 방법을 사용하여 제조하였다. ALD를 이용한 ZnO buffer layer는 diethylzinc(DEZn)/$H_2O$를 순차적으로 주입하여 증착하였다. 이 때 두 원료물질 사이에 고순도 Ar 가스를 purge gas로 사용하였다. 원료의 주입시간은 1초, 원료간 purge 시간은 23 초로 하고 증착하였다. 2-step 방법을 이용할 경우, 스퍼터링 방법만을 이용하였을 때 보다 우수한 c-축 배향성 및 박막의 표면형상이 관찰되었다. 2-step 방법을 FBAR 소자 제작에 적용할 경우 보다 우수한 특성의 공진기를 제작할 수 있을 것으로 기대된다.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.11 no.2
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• pp.2-11
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• 2000

Technologies for high-speed transistors, active devices essential to the fabrication of millimeter wave circuits have developed drastically with the design and processing techniques. The high frequency transistors, made of GaAs or InP related compound semiconductors mainly, are in the form of MODFETs and HBTs. Other than traditional III-V compound semiconductor materials, SiGe and GaN technologies are emerging as viable candidates of millimeter-wave devices. In this paper, basis and applications of millimeter-wave transistors are introduced.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.18 no.6
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• pp.45-54
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• 2004

Usually, according as accumulation degree of semi-conductor element increases, dynamic mistake test time increases sharply, and use of pattern generator is essential at manufacturing process to solve these problem. In this paper, we designed the PLD(Programmable Logic Device) circuit of pattern generator to examine dynamic mistake of semi-conductor element. Such all item got result that is worth verified action of return trip and function through simulation, and satisfy.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.275-276
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• 2014

본 논문에서는 저 전압스트레스를 갖는 LED 구동회로를 제안한다. 기존 회로는 높은 출력 전압 사양의 LED 모듈을 구동하기 위하여 부스트 컨버터를 사용하며, 이에 따라 반도체 소자들의 전압스트레스가 높다. 반면, 제안된 회로는 높은 LED 출력전압을 구동하기 위하여 벅 컨버터의 출력전압에 Floating 된 보조전압을 더해 LED를 구동하기 때문에 반도체 소자의 전압스트레스를 현저히 줄일 수 있으며, 별도의 dimming 스위치가 필요 없는 장점이 있다. 본 논문에서 제안된 회로의 우수성을 검증하기 위하여 이론적 분석과 210W급 55인치 4-Channel LED 구동회로에 적용하여 실험결과를 제시한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.10c
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• pp.244-249
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• 2005

본 논문에서는 전원 불평형시 일반적인 계통연계형 인버터의 유효전력의 리플을 효과적으로 제거하는 동시에 인버터의 운전가능 영역을 제한해 반도체 스위치 소자를 보호하면서 운전하는 방법을 제안한다. 헌재 불평형된 전압의 정보로부터 계통연계 인버터가 반도체 스위치 소자의 전류 정격을 넘지 않고 처대로 출력할 수 있는 유효전력량을 실시간으로 계산하고 계통으로 출력되는 전력이 이 값을 넘지 않도록 제어한다. 시뮬레이션과 실험을 통해 제안된 전력제한 알고리즘의 동작특성을 검증하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.230-231
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• 2000

동전만한 작은 크기의 화면을 원하는 크기로 확대해서 보여주는 micro-display는 부피가 작고 가벼운 장점으로 인해 HMD(Head Mount Display)에 적용되었으나, 최근들어 TV나 monitor등에 확대 적용되고 있다. 이러한 micro-display중 LCOS는 최근 가장 활발히 연구되고 있는 micro-display이다$^{(1).(4)}$ . LCOS는 Liquid Crystal On Silicon의 약어로 반도체 제조에 사용되는 silicon wafer위에 액정소자를 얹어 제작하는 것이다. LCOS는 액정화면을 구동하기 위한 silicon back-plate의 반도체 기술, 화상을 표시하는 액정소자 기술, 표시된 화면을 사용자가 볼 수 있도록 투사하는 조명/투사광학 기술등이 집적화된 display이다. LCOS의 최적 특성을 위해서는 각 부분의 성능 최적화뿐만 아니라 각 기술들의 상호 연결 및 접목이 중요하다. (중략)