• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.103-103
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• 2010

최근 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며 이는 공간 점유와 시각적 제약을 해소하려는 시장의 요구에 의해 주도되고 있다. 특히, 2004년 Hosono 그룹에서 비정질 InGaZnO (IGZO) 박막을 이용한 TFT소자 제작을 발표하고 우수한 특성을 확인한 후 산화물 TFT 소자기술에 대한 전 세계적인 연구개발의 계기가 마련되었다. 그러나 다성분계 화합물로 이루어진 산화물 반도체의 경우 복잡한 성분 조합과 조절이 어렵고, 장비의 제약으로 인해 상업화에 어려움을 겪고 있다. 따라서 이성분계 물질인 산화아연의 경우 아직까지 상업화 이점이 남아있으며, 우수한 전기적 성질과 광학적 장점이 있기에 그 가능성은 더욱 커지고 있다. 그럼에도 불구하고 산화아연계 박막 트랜지스터의 경우 바이어스에 의해 동작전압이 이동하는 DC신뢰성의 문제점이 남아 있고, 이를 해결하기 위해 안정적인 절연막 또는 보호막을 도입하려는 연구가 많이 시도되고 있다. 본 연구에서는 산화아연기반의 박막 트랜지스터에 Hf이온을 도핑하여 DC 신뢰성을 향상시키는 연구를 진행하였다. Bottom gate 형식의 HfZnO TFT를 제작하였고 전이 특성을 살펴본 결과 Hf의 함량이 늘어날수록 이동도는 감소하는 경향이 나타났다. 또한 Hf의 미량 도핑에도 불구하고 산소결핍에 의한 결함 생성을 억제하여 DC신뢰성이 상당히 향상되었으며, 이는 특히 산화물 반도체와 절연막 사이의 결함을 억제하여 생긴 결과로 생각된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.338.1-338.1
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• 2016

반도체 소자의 크기가 점점 기술적인 한계에 도달함에 따라 실리콘을 대신할 새로운 물질에 대한 연구가 이루어지고 있다. 그러한 물질 중 하나로 주목 받고 있는 그래핀은 탄소 원자들이 육각형 모양으로 공유결합을 하고 있는 2차원 소재이며 전기적, 기계적, 열적으로 우수한 성질을 지니고 있다. 하지만 그래핀의 전기적인 특성은 외부 환경에 영향을 받기 때문에, 그래핀을 실제 반도체 소자에 적용시켜 전기적인 성능 및 동시에 안정성을 향상시키기 위해서는, 그래핀에 보호막을 형성시켜야 한다. 본 연구에서는, 그래핀 위에 dielectric을 이용한 보호막을 형성시켜 graphene의 전기적인 특성 변화 및 안정성을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료
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• pp.43-46
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• 2001

The ZnO devices using semiconductor properties, to include $MnO_2$, $Y_2O_3$ and other material, was fabricated by $Sb_2O_3$ mol ratio from 1 to 4 [mol%]. The non-linearity factor was calculated by setting current to be $1[mA/cm^2]$ and $10[mA/cm^2]$. The spinel structure was fonned by $Sb_2O_3$ addition and it was depressed the ZnO grain formation. The grain growing was controlled by spinel structure that has improved the non-linearity factors. The breakdown voltage characteristics of semiconductor devices to increase with $Sb_2O_3$ was increased in voltage-current. The non-linearity value of ZnO semiconductor devices was 45 over.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.369-371
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• 2006

반도체에 이온화 방사선을 조사시키면 소자 내부에서 전자-전공쌍(Electron-Hole Pair, EHP) 생성현상이 나타난나. 이 발성 전하는 방사선원에 따라 반영구적인 전원으로 활용이 가능하다. 본 논문에서는 반감기가 100여년인 Ni-63 베타 방사성 능위원소와 PN 접합형 반도체 소자를 사용한 방사선 전지를 개발하기 위한 연구의 일환으로 효율적인 방사광 변환 법과 전류 발생방법 및 전지회로 구현에 대해서 고찰하였다. 또한 Ni-63 방사선의 베타선 스펙트럼을 계산하고 이에 해당하는 광입력 특성에 대한 실리콘 PN 접합 다이오드의 반응특성을 태양광 시뮬레이션용 소프트웨어를 사용하여 검증하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.68-70
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• 2008

본 논문은 전자기원리를 이용하여 배관 내 자성체 이동량을 측정 가능한 자계 인가 시스템을 설계하고자 한다. Single 코일 타입, Helm-Holtz 코일타입, 수직자계, 반도체 소자 이용한 타입의 4가지 형태에 대해 전류 Source, 주파수, 배관 재질을 달리하여 설계 및 해석하였다. 전원이 AC일 경우 주파수가 높을수록, 배관의 도전율이 높을수록 자성체의 측정 정밀도를 감소시키며 DC 전원일 때 수직자계에서 반도체 소자를 이용하여 측정 정밀도를 높인다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2002년도 하계학술발표회
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• pp.176-177
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• 2002

1.3 $\mu\textrm{m}$와 1.55 $\mu\textrm{m}$의 발광 파장을 갖는 광통신용 반도체 레이저 다이오드는 지금까지 많은 발전을 해 왔으며 다양하게 응용이 되어 오고 있다. 기존의 장파장 소자들은 InP 기판 위에 성장을 하고 있으며, GaAs 관련된 물질의 적용은 장파장 대역의 이득층 성장의 어려움 때문에 GaAs가 가지고 있는 안정된 장점에도 불구하고 적용되지 못했다. 그러나 1996년 M. Kondow는 GaAs 기판에 격자정합되는 InGaAsN 물질을 제안하였고(1) 그 이후로 레이저 다이오드에 제작에 까지 이르렀으며(2-3) 특히, 표면발광반도체레이저의 상온 연속발진에도 성공하였다. (중략)

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제16권4호
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• pp.76-83
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• 2005

다양한 무선서비스를 기반으로 한 광대역 통합망(BcN: Broadband convergence Network) 네트워크 사회로의 진화와 더불어 승가하고 있는 Cognitive Ra-dio 기술에 요구는 모바일 컨버전스(융합) 단말기 (Mobile Convergence Terminal) 개발을 필수적으로 요구하고 있고, 이를 위한 핵심 기술은 Tunable RE 회로 설계 기술이다. 이를 위해서는 고성능, 저가격의 Tunable 소자들의 개발이 급선무이다. 반도체 Varactor와 MEMS 스위치를 이용하는 기술이 보편화내지는 준성숙 단계로 접어들고 있는 상황이지만 강유전체(Ferroelectric)에는 기존 반도체 Varactor와 MEMS 스위치로 얻을 수 없는 특성들을 얻을 수 있다고 알려지면서 이에 대한 관심과 연구가 증대되고 있다. 본 논문에서는 강유전체의 개요와 특성, 연구 경향, Tunable 소자 및 회로, 더 나아가 시스템 응용에 대하여 살펴보고, 앞으로 해결해야 할 문제점들에 대하여 언급하고자 한다.

• 전력전자학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.39-45
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• 2000

최근에 전력용 반도체 스위치의 정격이 커지면서 IGBT와 같은 소자는 그 편리성과 대용량화로 점차 많은 응용분야에 이용되고 있다. 특히 보다 높은 전압 정격을 용구하는 중·대용량 분야, 소용량이면서 고압 정격을 요구하는 분야의 저가의 전력용 반도체 고압 스위치가 요구되는 분야 등에서 높은 정격을 가지는 IGBT스위치를 구현하기 위하여 그 소자들간의 직렬로 연결하는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 수 kV의 동작전압을 가지는 스위치를 실현하기 위하여 기존의 직렬 연결된 IGBT에 제안된 보조회로를 삽입하였다. 본 논문에서는 IGBT를 이용한 고압스위칭 동작원리와 그 기능을 검증하기 위해 4개의 IGBT를 직렬연결한 3kV/45A급 스위치를 제작하여 과도상태 및 정상상태에서의 전압 분배를 실험하였다.

• 에너지공학
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• 제22권1호
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• pp.58-81
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• 2013

탄화규소(SiC)나 질화갈륨(GaN)과 와이드갭 반도체를 이용한 전력소자의 생산기술이 크게 발전하여 그간 널리 사용되어 온 실리콘(Si) 전력소자와 비교하여 작동전압, 스위칭 속도 및 on-저항 등이 크게 향상되어 몇 개 기업은 제품화를 시작하였다. 내압 등 기술적 과제 등을극복하여 산업화를 하고자하는 움직임을 소개하고 아울러 연구동향도 분석한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.13-16
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• 1998

An anomalous current characteristics which show the superposition of a low current level and high current level at the subthreshold region when SONOSFETs are in memory states were investigated. We have assumed this phenomena were resulted from the effect of parasitic transistors by LOCOS isolation and were modeled to a parallel equivalent circuit of one memory transistor and two parasitic transistors. Theoretical curves are well fitted in measured log I$_{D}$-V$_{G}$ curves independent of channel width of memory devices. The difference between low current level and high current level is apparently decreased with decrease of channel width of devices because parasitic devices dominantly contribute to the current conduction with decrease of channel width of memory devices. As a result, we concluded that the LOCOS isolation has to selectively adopt in the design of process for charge-trap type NVSM.VSM.