• 전기의세계
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• 제39권10호
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• pp.20-27
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• 1990

세계적으로 기술개발과 응용이 가장 치열한 반도체 및 신소재산업의 획기적인 개발에 힘입어 반도체소자가 기본 에너지원인 태양광발전 시스템이 대체에너지원으로 가장 주목을 받고 있다. "제1세대" 태양전지인 결정질규소 태양전지는 가격하락의 한계성에 부닺쳤으며, 이를 극복하기 위한 "제2세대" 태양전지로써 비정질 규소, CdTe 및 CuInSe$_{2}$등 화합물 반도체 태양전지에 연구가 집중되고 있다.체 태양전지에 연구가 집중되고 있다.

• 광학세계
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• 통권102호
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• pp.18-21
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• 2006

최근에는 난이도가 높은 다양한 초정밀 광학 소자, 비구면 광학 소자나 마이크로 광학 소자 등 대부분의 가공 공정이 초정밀이면서 초미세한 연삭 가공에 의해 이루어지게 되었다. 그리고 일반적으로 초정밀 및 미세 가공 기술로서 자주 예로 드는 반도체 공정 기술에서는 제조가 어려운 다양한 광학 재료, 광학 부품 가공에 자유롭게 접근할 수 있는 초정밀 및 초미세 기계 가공으로서의 연삭 가공 기술의 진보가 새롭게 인식되기 시작했다고 할 수 있다.

• 전기의세계
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• 제31권12호
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• pp.812-816
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• 1982

실리콘이 집적회로의 개발로 인하여 반도체 재료로 보편화되어 있으나 최근에는 실리콘으로는 어려운 고속동작이나 광소자에의 응용을 위해 GaAs에 대해 관심이 점증하고 있다. GaAs는 현재로는 실리콘에 비해 완벽한 결정성장을 하지 못하고 있으나 일본과 같은 선진국에서는 기판의 대량생산을 서두르는 등 실용화에 박차를 가하고 있다. 이 글에서는 광소자와 초고속 집적회로에 대한 최근의 기술동향을 간략히 알아보았다.

• 과학과기술
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• 제28권12호통권319호
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• pp.14-15
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• 1995

조셉슨소자가 미래 전자산업의 총아로 관심을 모으고 있다. 조셉슨소자를 이용하면 실리콘 반도체를 사용하는 지금 초고속컴퓨터의 처리능력을 10배 이상 높일 수 있는 꿈의 초고속 컴퓨터를 만들어낼 수 있기 때문이다.

• 전기의세계
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• 제34권3호
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• pp.141-144
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• 1985

다이리스터는 power semiconduct or device중에서 가장 광범위 또한 대용량의 전류와 전압을 취급할 수 있는 소자로써 널리이용되고 있다. 또한 silicon wafer의 크기가 증가하고 있기때문에 전류의 증가가 기대가 되고 있다. 그러나 MOSFEF의 power device의 응용이 증가되고 있으나 대용량의 전류와 전압의 조절분야에서는 다이리스터의 역할을 두드러질 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.262-262
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• 2016

최근 고해상도 디스플레이가 주목받으면서 기존 비정질 실리콘(a-Si)을 대체할 수 있는 재료에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. a-Si의 경우 간단한 공정 과정, 적은 생산비용, 대면적화가 가능하다는 장점이 있지만 전자 이동도가 매우 낮은 단점이 있다. 반면, 산화물 반도체는 비정질 상태에서 전자 이동도가 높으며 큰 밴드갭을 가지고 있어 투명한 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 저온공정이 가능하여 기판의 제한이 없는 장점을 가지고 있다. 대표적으로 가장 널리 연구되고 있는 산화물 반도체는 a-IGZO(amorphous indium-gallium-zinc oxide)이다. 그러나 InZnO(IZO) 기반의 산화물 반도체에서 carrier suppressor 역할을 하는 Ga(gallium)은 수요에 대한 공급이 원활하지 못하여 비싸다는 단점이 있다. 그러므로 경제적이면서 a-IGZO와 유사한 전기적 특성을 나타낼 수 있는 suppressor 물질이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 IZO 기반의 산화물 반도체에서 Ga을 Hf(hafnium), Zr(zirconium), Si(silicon)으로 대체하여 용액증착(solution-deposition) 공정으로 각각의 채널층을 형성한 back-gate type의 박막 트랜지스터(thin-film transistor, TFT) 소자를 제작하였다. 용액증착 공정은 물질의 비율을 자유롭게 조절할 수 있고, 대기압의 조건에서도 공정이 가능하기 때문에 짧은 공정시간과 저비용의 장점이 있다. 제작된 소자는 p-type Si 위에 게이트 절연막으로 100 nm의 열산화막이 성장된 기판을 사용하였다. 표준 RCA 클리닝 후에 각 solution 물질을 spin coating 방식으로 증착하였다. 이후, photolithography, develop, wet etching의 과정을 거쳐 채널층 패턴을 형성하였다. 또한, 산화물 반도체의 전기적 특성을 향상시키기 위해서 후속 열처리 과정(post deposition annealing, PDA)은 필수적이다. CTA 방식은 높은 열처리 온도와 긴 열처리 시간의 단점이 있다. 따라서, 본 연구에서는 $100^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도와 짧은 열처리 시간의 장점을 가지는 MWI (microwave irradiation)를 후속 열처리로 진행하였다. 그 결과, 각 물질로 구현된 소자들은 기존 a-IGZO와 비교하여 적은 양의 carrier suppressor로도 우수한 전기적 특성 및 안정성을 얻을 수 있었다. 따라서, Si, Hf, Zr 기반의 산화물 반도체는 기존의 Ga을 대체하여 저비용으로 디스플레이를 구현할 수 있는 IZO 기반 재료로 기대된다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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• pp.4.2-4.2
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• 2009

10년 후면 영어와 한국어가 실시간으로 자동 통역되는 통역기가등장하며, 컴퓨터의 키보드 나 마우스 등은 음성으로 대체되며, 인간과대화를 나누는 로봇이 등장하여 대부분의 인간 허드렛일을 대행 할 것으로 예상된다. 이러한 인공 지능형기기를 구현하기 위해서는 현재보다 1천배 이상의 성능을 보이는 즉, 테라급의 CPU와 메모리가 필요하다. 현재 반도체소자의 주류를 이루고 있는실리콘 트랜지스터는 무어 법칙에 따라 매18개월마다 2 배씩트랜지스터 집적도가 증가되어 왔으며 현재 32nm가 시장 출시를 앞두고 있으나 2016년 이후 22nm 이하는 특성 불균일/열 발생 과 같은 기술적 한계와 천문학적으로 늘어나는 칩 제조비용 때문에 제품 출시가 매우 어려울 것으로 여겨진다. 교육과학기술부는 이러한 한계 극복을 위해 21세기 Frontier 프로그램으로 테라급나노소자개발사업단을 2000년 7월 발족 하였으며 본 사업단은 테라급의 성능과 메모리 집적도를 갖는 나노소자개발을 최종목표로 출범 하였다. 프론티어사업은 10년 이상의 장기적인 개발기간이 필요한 'High Risk, High Return'의 특성을 갖고 있다. 본사업단은 이러한 프론티어사업의 취지에 따라 철저한 사전기획과 기술 환경변화에 따른 신속한 대응력, 철저한현장 중심적 사업관리를 해왔다. 본 재료학회 추계학술대회에서는 본 사업단이 이룩한 성과와 미래의 나노소자들을 소개할 예정이다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.34-38
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• 2007

청, 황 2-파장 발광층의 구성에서 청색층으로 GDI602를, 황색층으로 GD1602:Rubrene(10%)를 사용하여 2-파장 백색 유기발광다이오드(WOLED)를 제작하고 이들의 특성을 분석하였다. 실험에서는 GDI602:Rubrene (10%)-황색층의 두께를 $220\{AA}$으로 일정하게 두고, GDI602-청색층의 두께를 달리하여 소자들을 제작하였다. 제작된 소자들의 발광 스펙트럼 특성으로는 GDI602 층의 두께에 따라 중심파장의 위치는 거의 일정하나 2-파장 사이의 상대적 세기가 변화되었으며, GDI602 층의 두께가 얇아질수록 황색파장의 상대적 세기가 강해지는 것을 볼 수 있었다. GDI602 층이 $60{\AA}$인 소자는 11V, $70{\AA}$인 소자는 9V, $80{\AA}$인 소자는 8V, $90{\AA}$인 소자는 7V 에서 순수 백색광(x=0.33, y=0.33)에 가까운 발광 특성을 나타내었다. 또한 GDI602 층의 두께에 따른 효율과 휘도는 백색발광 조건에서 각각 0.51m/W와 $3650cd/m^2(60{\AA})$, 0.61m/W와 $1050cd/m^2(70{\AA})$, 0.91m/W와 $490cd/m^2(80){\AA}$, 1.61m/W와 $250cd/m^2(90){\AA}$을 나타내었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.277-282
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• 2010

본 논문에서는 차세대 전력반도체인 화합물 반도체 소자중 ZnO 전력소자에 대하여 모델링을 수행하였다. 화합물 전력 반도체 소자는 와이드 밴드 갭 소자로서 열 특성이 우수해 자동차 및 계통연계형 인버터의 차세대 핵심소자로 인정받고 있다. 모델링 결과 에피 두께가 3um, 도핑농도는 $1e17cm^{-3}$일때 내압 340V 정도 얻을 수 있었으며, 관련 I-V특성 등을 평가하였다. 실제 소자로 제작된다면 300V이내의 산업 응용에 충분히 활용할 수 있을 것으로 판단된다

• 전기의세계
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• 제37권5호
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• pp.17-17
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• 1988