• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 1999.05a
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• pp.335-339
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• 1999

This Paper Proposes a circuit system that is capable of rejecting the zero phase voltage produced by a inverter, which transform do-ac power using high speed power semiconductor. It generates a rejecting voltage which has the same amplitude as, but the opposite phase to the zero phase voltage. The rejecting voltage is superimposed on the load line for rejecting of the zero phase voltage through a transformer. Simulation results show that the zero phase voltage applied to the load and ground current are eliminated.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.6
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• pp.505-513
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• 1993

본 논문은 전자 부품의 Soldring기에 사용되는 접합제를 Flux를 포함한 Solder paste 대신에 도금막을 이용하기 위한 Sn 도금막 형성 프로세스를 검토한 것이다. 반도체 Device를 Packaging한 외부단자(lead frame)과 HIC상의 후막전극(Ag/Pd)과의 접합 및 PCB상의 Cu land와의 접합시에는 스크린 프린트에 의한 Solder Paste가 일반적으로 사용되고 있다. 본 논문은 Fluxless Soldering의 한수단으로 도금막을 lead상에 형성시켜 접합 재료로서의 형성 프로세스 및 도금막의 특성과 도금형성 Paramete와의 관련성을 실험적으로 검토한 것으로 전류밀도 200 A/m$^{2}$의 조건으로 형성한 Sn 도금막이 접합용으로 최적조건임을 밝혔다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.11a
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• pp.157-158
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• 2014

단상 계통연계형 인버터에서 전류센서를 통한 상전류 측정시 옵셋 오차는 전류센서와 측정 경로상에 위치한 아날로그 소자의 전압 불균형 및 비선형성으로 인하여 발생하게 된다. 또한 데드타임은 전력용 반도체 스위치를 제어하기 위한 PWM 신호 출력시 필연적으로 발생된다. 본 논문에서는 데드타임으로 인하여 왜곡된 상전류에 포함된 옵셋 오차에 의한 영향을 분석하고 동기좌표계 dq축 전류에 포함된 특정 고조파 성분을 제거하기 위하여 PR 제어기를 사용한 알고리즘이 제안되었다. 데드타임 및 옵셋 오차로 인해 발생된 전류맥동 보상을 위한 기준신호로는 동기좌표계 dq축 전류를 사용하였다. 제안된 알고리즘의 타당성을 시뮬레이션과 실험을 통하여 증명하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.238.1-238.1
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• 2011

본 연구에서는 non-contact deposition method의 일환인 ESD (electroctatic deposition)의 박막공정을 이용하여 Conductive layer 위에 Gold nanoparticles 및 Silver nanoparticles 등 organic/inorganic nano particle conductive ink system의 단분산 2D 박막을 제조를 연구하였다. ESD head를 통해 여러가지 organic / inorganic nano particle conductive ink system을 Deposition하였으며 분산도가 높고 균일한 단분산의 2차원 박막 구조를 얻을 수 있었으며, 전도성 PEDOT과의 Hybridization을 통해 균일상의 표면 Morphology를 갖는 고 전도성 투명 필름을 제작하였다. ESD technique를 이용하는 박막공정 기술은 나노입자 및 나노구조물의 박막화 패턴화를 포함하는 새로운 Deposition 기술로써 이를 응용하여 금속 나노입자의 2차원의 패턴화된 박막 구현을 통해 유기반도체 및 전자소자에의 응용성을 증거할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07c
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• pp.1918-1920
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• 2001

초소형 히트파이프는 고집적 반도체 소자에서 발생되는 열을 효과적으로 소산하기 위한 열교환 장치이다. 초소형 히트파이프는 작동유체가 상 변화 잠열을 이용한 칩 레벨의 냉각 장치이다. 작동유체는 진공으로 밀봉된 공간내에서 외부 동력 없이 모세관력에 의하여 이동한다. 본 논문에서는 실리콘보다 열전도도가 우수하여 발생되는 열을 더욱 빠르게 소산시킬 수 있는 구리 모재의 초소형 히트파이프를 제작한다. 특히, 모세관력은 히트파이프의 성능을 좌우하는 요소이다. 모세관력 향상을 위해서 구리 전기도금으로 이용하여 홈(groove)부분을 제작한다. 윅(wick) 제작, 구리판 접합, 작동유체 충전등으로 초소형 히트파이프를 제작한 후, 성능 실험한 결과를 보여준다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2002.06b
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• pp.41-44
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• 2002

The Semiconductor Industrial are developed after 1940. It was called “Rice of Industrial”. It needs great effect in Electronics. It was developed highly in recent several years with semiconductor manufacturing equipments. Semiconductor manufacturing devices are developed “In-line” type in the first stage. But It was non-effective in modem many type process. Because this reason, Cluster type manufacturing equipments are proposed. Cluster have ability of many-type-process and effective-scheduling by circular type process chamber In this paper. we propose a real-time 3D monitoring and simulation of this semiconductor manufacturing equipments. By proposed monitoring method, we have capability real visual maintanance & virtual simulation. This effective visual 3D monitoring could apply another dangerous environment in entire industrial.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.1
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• pp.38-50
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• 2012

박막 태양전지 기술은 현재 가장 큰 시장점유율을 보이고 있는 결정질 Si 태양전지와 비교되는 차세대 태양전지 기술로서 큰 관심을 받고 있다. 결정질 Si 태양전지의 효율보다 높은 효율로서, 훨씬 저가로 생산할 수 있는 수준을 목표로 하여 다양한 종류의 박막 태양전지들이 개발되고 있는데, 본고에서는 그 중에서 가장 많이 연구개발되고 있는 세 종류의 박막 태양전지, 즉, 화합물 반도체 박막 태양전지 중 가장 대표적인 CIGS(Cu(InGa)Se2) 태양전지, 지구상에 가장 풍부한 무기 소재인 Si를 기반으로 하는 비정질 Si 박막 태양전지, 그리고 유기물 기반 태양전지 중 가장 높은 효율을 나타내는 DSSC에 대해서 중점적으로 기술하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.449.2-449.2
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• 2014

태양전지용 III-V족 화합물 반도체 물질인 GaAs는 1.42eV의 Energy Band-gap (Eg)을 가지고 있기 때문에 이론적으로 단일접합 태양전지로는 가장 높은 수준의 광-전 변환효율 달성이 가능하다. 비록 emitter의 조건 가변으로 설정을 했음에도 불구하고, 처음 기본적인 구조였던 emiier 두께 75 nm, 도핑농도 상에서 효율이 24.53%가 될 정도로 큰 효율이 나오게 되었다. TCAD simulation을 이용하여 emitter의 도핑농도와 두께를 가변하여 가장 높은 효율이 나오는 emitter 조건을 찾는 실험을 진행하였다. 시뮬레이션 결과 emitter두께 100 nm에서 도핑농도가 인 경우에 Voc=28.43, Jsc=25.84, Jph=29.12, FF=87.76%, 효율은 25.84%가 나오는 것을 확인 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.297.1-297.1
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• 2014

칼코겐화합물은 주기율표 6족에서 산소를 제외한 칼코겐 원소가 하나 이상 포함되는 화합물 반도체 소재로 상변화 및 광전변환 특성을 가지고 있다. 이와 같은 칼코겐화합물의 장점을 이용하여 집적회로의 로직 블록 간의 신호 전달을 제어하는 프로그래머블 스위치를 구현 할 수 있다. 본 연구에서는 프로그래머블 스위치에 적용 가능한 칼코겐화합물로 널리 알려진 GeSbTe 및 GeTe 박막의 도핑에 따른 전기적, 구조적 특성 변화를 보고한다. RF magnetron sputtering 방식을 이용하여 doped GST 및 doped GeTe 박막을 증착하고 도핑에 따른 전기적, 구조적 특성을 관찰하였다. GST 박막의 경우 도핑에 의해 면저항 값이 증가하고 결정화 온도가 상승하는 것을 확인하였다. 반면 GeTe 박막에서는 도핑에 의해 면저항 값이 감소하고 결정화 온도가 낮아지는 것을 확인하였다. 이러한 결과로부터 GeSbTe 및 GeTe 박막의 전기적 특성은 도핑에 따라 변화하며, 도핑 조건을 적절히 조절함으로써 프로그래머블 스위치에 적용 가능한 칼코겐화합물의 확보가 가능하다는 결론을 내릴 수 있다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2010.07a
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• pp.188-189
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• 2010

기존의 에너지 저장장치를 갖는 계통연계형 태양광 발전 시스템은 태양광 모듈의 높은 개방전압으로 인하여 별도의 양방향 컨버터를 이용하여 배터리에 에너지를 충방전 해왔다. 이러한 시스템은 구조상 다수의 반도체 소자의 사용으로 인한 제작단가 상승 및 전기적 절연의 문제가 발생한다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여 본 논문에서는 새로운 구조의 에너지 저장장치를 갖는 고주파 링크 방식의 계통연계형 태양광 발전 시스템을 제안하며, 제안된 시스템의 이론적 분석을 수행하고, PSIM 시뮬레이션 툴을 이용한 모의 실험을 통해 그 우수성을 검증한다.