• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.305-305
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• 2011

Type-II 반도체 나노 구조는 그것의 band alignment 특성으로 인해 광학 소자에 다양한 응용성을 가진다. 특히, 대표적인 Type-II 반도체 나노 구조인 InSb/InAs 양자점의 경우, 약 3~5 ${\mu}m$의 mid-infrared 영역의 spectral range를 가지므로, 장파장을 요하는 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 또한, Type-II 반도체 나노 구조의 밴드 구조를 staggered gap 혹은 broken gap 구조로 조절함으로써 infrared 영역 광소자의 전자 구조를 유용하게 바꾸어 적용할 수 있다. 최근, GaSb wafer 위에 InSb/InAsSb 양자점을 이용하여 cutoff wavelength를 6 ${\mu}m$까지 연장한 IR photodetector의 연구도 보고되고 있다. 하지만, GaSb wafer의 경우 그것의 비용 문제로 인해 산업적 적용이 쉽지 않다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 GaAs wafer와 같은 비용 효율이 높은 wafer를 사용한 연구가 필요할 것이다. 본 연구에서는 Molecular Beam Epitaxy(MBE)를 이용하여 undoped InAs wafer 와 semi-insulating GaAs wafer 상에 InSb 양자 구조를 형성한 결과를 보고한다. InSb 양자 구조는 20층 이상의 다층으로 형성되었고, 두 가지 경우 모두 400${\AA}$ spacer를 사용하였다. 단, InAs wafer 위에 형성한 InSb 양자 구조의 경우 InAs spacer를, GaAs wafer 위에 형성한 양자 구조의 경우 InAsSb spacer를 사용하였다. GaAs wafer 위에 양자 구조를 형성한 경우, InSb 물질과의 큰 lattice mismatch 차이 완화 뿐 아니라, type-II 밴드 구조 형성을 위해 1 ${\mu}m$ AlSb 층과 1 ${\mu}m$ InAsSb 층을 GaAs wafer 위에 미리 형성해 주었다. 양자 구조 형성 방법도 두 종류 wafer 상에서 다르게 적용되었다. InAs wafer 상에는 주로 일반적인 S-K 형성 방식이 적용된 것에 반해, GaAs wafer 상에는 migration enhanced 방식에 의해 양자 구조가 형성되었다. 이처럼 각 웨이퍼에 대해 다른 성장 방식이 적용된 이유는 InAsSb matrix와 InSb 물질 간의 lattice mismatch 차이가 6%를 넘지 못하여 InAs matrix에 비해 원하는 양자 구조 형성이 쉽지 않기 때문이다. 두 가지 경우에 대해 AFM과 TEM 측정으로 그 구조적 특성이 관찰되었다. 또한 infrared 영역의 소자 적용 가능성을 보기 위해 광학적 특성 측정이 요구된다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.6
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• pp.94-98
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• 2009

최근 모바일 멀티미디어 기기들의 사용이 증가하면서 고성능 멀티미디어 프로세서에 대한 필요성이 높아지고 있는 추세이다. DSP 기반의 시스템은 범용성에 기인하여 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있으나 주문형반도체 보다 높은 가격과 전력소모 그리고 낮은 성능을 가진다. ASIP는 주문형반도체의 저비용, 저전력, 고성능과 범용 프로세서의 유연성이 결합된 새로운 형태의 프로세서로서, 단일 칩 상에 H.264, VC-1, AVS, MPEG 등과 같은 다양한 멀티미디어 비디오 표준 및 OFDM과 같은 통신 시스템을 지원하고 또한 고성능의 처리율과 계산량을 요구하는 차세대 비디오 표준의 구현을 위한 효과적인 해결책으로 주목되고 있다. 본 기술 문서에서는 ASIP의 특징과 애플리케이션의 가속 방법, ASIP을 위한 컴파일러 설계 및 응용에 관하여 기술한다.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.2 no.2
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• pp.1-13
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• 1998

When driven with a short (less than 30$\mu\textrm{s}$) low-energy pulse, the semiconductor bridge(SCB) produces a hot plasma that ignites explosive. The shape of plasma was observed using ultra high speed camera, the generation and the duration time of plasma were estimated by analyzing the ultra high speed camera image. The more energy supplied, the sooner the formation of the plasma was, and the size of the plasma was increased in proportion. The voltage variation of the bridge was measured and analyzed by comparing with the ultra high speed camera image.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1997.07f
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• pp.1957-1960
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• 1997

일반적으로, Thyristor와 같은 반도체 소자는 수명이 반영구적이라고 알려져 왔으나, 실제로는 사용 시간이 지남에 따라 열화 과정을 가지는 것으로 보고되고 있다. 이는 소자 제조 공정상의 결함이나 가공 불량, 소자 접합면에 존재하는 물리적 불균질성 등이 원인이 되는데 이들 원인으로 인해 반도체 소자내에 취약부위가 존재하게 된다. Thyristor 소자 응용 시스템에 있어서, 운용 중 발생되는 전기적 물리적 스트레스는 Thyristor 소자내의 취약부위에 집중되는데, 시간이 지남에 따라 취약부위가 확산되고 열화가 가속되어 갑작스런 소자 파손으로 이어지게 된다. 본 논문에서는 Thyristor 소자의 열화 과정을 이론적인 측면에서 해석하고, 실제 산업현장에서의 Thyristor 열화 발생 사례를 중심으로 대용량 Thyristor의 열화 평가방법에 대하여 고찰한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.593-593
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• 2013

나노패턴 제작은 차세대 초고밀도 반도체 메모리기술과 바이오칩 등 나노기술의 핵심 분야로, 나노패턴 구조를 나노-바이오 전자소자 및 반도체 산업분야에 적용할 경우 시장 선점 및 막대한 부가가치 창출 등을 통해 국가경쟁력 강화에 크게 기여할 것으로 기대된다. 하지만 대면적 패턴형성이 어려워 뿐만 아니라 $300^{\circ}$ 이상의 열처리 과정에 의한 생산성이 떨어진다. 또한 나노구조가 잘 이루어진 차원, 표면상태, 결정성, 화학적 조성을 갖도록 하는 합성 및 제조상의 어려움 때문이다. 이에 반해 자기정렬 ITO Dot 형성은 상기 기술한 1차원 나노구조형성을 하는 것에 비하여, 나노구조를 제작하기 위하여 공정이 단순하며, 비용 및 생산성 측면에서 유리 할 것으로 생각된다. 이에 본 연구는 E-beam을 이용하여 형성된 ITO 박막에 HCl solution을 이용하여 자기정렬 ITO Dot 형성 후 n-AlGaInP Vertical LED[VLED] 표면에 nano pillar의 두께에 각기 다르게 형성하였으며, 최종적으로 제작된 VLED의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2007.06a
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• pp.532-535
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• 2007

본 연구에서는 Sentaurus Process를 사용하여 NPN 바이폴라 트랜지스터(BJT)를 시뮬레이션 하였다. 많은 종류의 반도체 소자가 개발되고 있으나 가장 먼저 BJT가 개발되었으며 이후 계속적인 발전을 거듭하여 MOSFET와 함께 개발 발전되었다. BJT를 이용한 회로는 광범위하게 응용되고 있으며 BJT는 여전히 중요한 회로의 한 소자로 사용되고 있다. 뿐만 아니라 BJT는 MOSFET와 결합된 집적회로 기술의 응용분야에 사용되고 있다. 이는 BJT 특성들이 특별하게 설계된 많은 반도체 소자에서 자주 사용된다는 것을 의미한다. 본 연구에서는 그 중에서도 특성상 많이 사용되는 NPN BJT를 시뮬레이션 프로그램인 Sentaurus Process를 통하여 구조의 특성을 파악하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.10a
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• pp.56-59
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• 2006

The ITO thin films were prepared by FTS (Facing Targets Sputtering) system on polycarbonate (PC) substrate. The ITO thin films were deposited with a film thickness of 100nm at room temperature. As a function of sputtering conditions, electrical and optical properties of prepared ITO thin films were measured. The electrical and optical characteristics of the ITO thin films were evaluated by Hall Effect Measurement (EGK) and UV-VIS spectrometer (HP), respectively. From the results, the ITO thin film was deposited with a resistivity $8{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$ and transmittance over 80%.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.10a
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• pp.60-63
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• 2006

Preparing AZO thin films on the polymer substrate has been widely studied Because AZO thin film has the potential applications. In this study, we prepared AZO thin films on polyethersulfon (PES) at room temperature. The AZO thin films were prepared at $O_2$ gas flow rate of 0.05 and sputtering power of 100W with different film thickness by facing targets sputtering method. The electrical, optical and crystallographic properties of AZO thin films were measured by Hall Effect measurement system, UV/VIS spectrometer, SEM and XRD. From the results, we obtained AZO thin films with a low resistivity, a transmittance of over 80% and c-axis preferred orientation.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.207-210
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• 2007

We prepared Al doped ZnO/Ag/Al doped ZnO on the polymer substrate by Facing Target Sputtering (FTS). FTS featured Facing Target Sputtering featured that deposition is stable at the low pressure, it has high plasma density and suppresses the substrate damage from energetic particles. We fixed to 50nm up and down thickness of AZO layer, respectively and that of intermediate Ag layer was adjusted with deposition time. In the result, AZO/Ag/AZO multilayer thin films have much better electrical conductivity than AZO single layer thin film. As increasing the thickness of Ag layer, the transmittance decreased.

• Proceedings of the Korean Operations and Management Science Society Conference
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• 2000.04a
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• pp.201-204
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• 2000

본 연구의 목적은 화합물 반도체를 생산하는 중소기업의 정보시스템을 설계하고 개발하여 적용하는데 있다. 제품의 수주에서 일정계획수립, 제품 재고관리 및 원·부자재 관리, 생산 가동율 등 생산활동전반에 걸친 업무 흐름을 분석하여 이에 사용되는 기초정보를 얻어내고, 이들 기반으로 관리자를 위한 관리정보와 의사결정자를 위한 경영정보를 Web상에 가시화 하는 시스템을 개발한다. 인터넷을 활용함으로써 기업 정보를 원격지에서 조회, 검색 할 수 있고 빠른 의사결정을 지원할 수 있도록 한다. 또한 기업 내부의 인트라넷 시스템과 연동하여 부서간 업무연락 및 정보시스템에서 발생하는 의사결정 요구사항을 쌍 방향으로 전달함으로써 그 활용도를 더욱 높인다. 본 시스템은 영업, 물류, 생산, 구매, 자재 인사, 회계 개발 등 기업 전체에 대한 자원관리를 위해 설계되었다. 개발된 시스템은 주문/수주정보관리, 제품재고관리, 원·부자재관리, 공정관리, 입출고 관리 등으로 구성되어 있다. 중소기업환경에 적합한 MS-SQL Server를 DB server로 사용하였고 Windows-NT기반의 ASP ( Active Server Page)를 사용하여 전 모듈을 개발함으로써 인터넷이 지원되는 모든 곳에서 접근 가능하도록 하였다.