Abstract
When driven with a short (less than 30$\mu\textrm{s}$) low-energy pulse, the semiconductor bridge(SCB) produces a hot plasma that ignites explosive. The shape of plasma was observed using ultra high speed camera, the generation and the duration time of plasma were estimated by analyzing the ultra high speed camera image. The more energy supplied, the sooner the formation of the plasma was, and the size of the plasma was increased in proportion. The voltage variation of the bridge was measured and analyzed by comparing with the ultra high speed camera image.
반도체 브릿지(Semiconductor bridge, SCB)에 30$\mu\textrm{s}$ 이내의 짧은 시간 동안 펄스 형태의 에너지를 공급할 경우 SCB는 화약을 발화시킬 수 있는 플리즈마를 생성한다. 초고속 카메라를 이용하여 플라즈마의 형태를 관찰하였고 발생시간, 지속 시간 등을 알아보았다. 공급된 에너지의 양이 많을수록 플라즈마는 빨리 생성되고 그 크기도 비례적으로 증가하였다. SCB 작동시 브릿지 양단의 전압 변화를 기록하여 초고속 카메라 상과 비교함으로써 전압 곡선의 변화를 해석하였다.
