AZO/Cu/AZO thin films were deposited on glass by RF magnetron sputtering. The specimens showed the preferred orientation of (0002) AZO and (111) Cu. The Cu crystal sizes increased from about 3.7 nm to about 8.5 nm with increasing Cu thickness, and from about 6.3 nm to about 9.5 nm with increasing heat treatment temperatures. The sizes of AZO crystals were almost independent of the Cu thickness, and increased slightly with heat treatment temperature. The residual stress of AZO after heat treatment also increased compressively from -4.6 GPa to -5.6 GPa with increasing heat treatment temperature. The increase in crystal size resulted from grain growth, and the increase in stress resulted from the decrease in defects that accompanied grain growth, and the thermal stress during cooling from heat treatment temperature to room temperature. From the PL spectra, the decrease in defects during heat treatment resulted in the increased intensity. The electrical resistivities of the 4 nm Cu film were 5.9×10-4 Ω·cm and about 1.0×10-4 Ω·cm for thicker Cu films. The resistivity decreased as the temperature of heat treatment increased. As the Cu thickness increased, an increase in carrier concentration resulted, as the fraction of AZO/Cu/AZO metal film increased. And the increase in carrier concentration with increasing heat treatment temperature might result from the diffusion of Cu ions into AZO. Transmittance decreased with increasing Cu thicknesses, and reached a maximum near the 500 nm wavelength after being heat treated at 200 ℃.
통상적인 금속분말의 성형은 분말야금 공정으로 이루어지기 때문에 복잡한 형상의 부품을 구현하는 데는 제약이 있다. 하지만, 1970년대 후반 이래 새로운 금속분말의 성형기술로 크게 각광을 받으며 연구되고 있는 금속분말사출성형(Metal Powder Injection Molding, MIM) 기술을 이용하면 다양한 형태의 부품을 성형할 수 있다 최근에는 이러한 MIM 기술을 이용하여 다양한 산업분야에 응용될 수 있는 마이크로 부품을 제조하고자 하는 연구개발이 주목받고 있다./sup 1)/ 현재까지는 마이크로 부품을 제조하는 원천기술이 반도체 공정기술이나 마이크로 기계가공기술에 크게 의존하고 있다./sup 2,3)/ 특히, 경제적 효용성이라는 관점에서 수 마이크로 이하의 극미세 구조물은 반도체 공정기술을 이용하여 성형하는 것이 유리하며, 1㎜의 치수를 갖는 미세 구조물은 마이크로 기계가공기술로 제조하는 것이 적합하다(그림 1). 하지만, 수십 마이크로에서 수백 마이크로의 치수를 갖는 구조물 제조에 있어서 앞선 두 공정기술은 응용 재료의 종류와 복합한 형상의 대량생산에 한계가 있다. 비록 반도체 공정기술에서 박막 증착과 전기화학적 도금기술을 이용한 표면미세가공 기술에 의해 수십 마이크로 이내의 치수를 갖는 미세 구조물을 정밀하게 성형하지만,/sup 4,5,)/ 수백 마이크로 크기의 치수를 반도체공정기술로 구현하기는 곤란하다. 또한, 마이크로 기계가공기술도 높은 가공 정밀도를 유지하며 수백 마이크로 크기의 구조물을 가공할 수 있지만 복잡한 모양의 형태를 대량생산하기에는 적합하지 않다.
설비나 작업자에 대한 부하효율은 제조공장에서 생산용량계획을 수립하는데 중요한 정보다. 즉 공장에서 신제품을 개발하거나, 생산량을 증가시킬 경우, 새로운 투자계획을 수립할 경우에도 항상 설비나 작업자에 대한 부하효율을 검토한다. 이러한 부하효율을 추정하기 위해서 다양한 측정방법이 사용된다. 본 본문에서는 설문조사, 순간관측법, 동영상 촬영을 이용한 미세동작연구방법, ERP시스템에서 자료를 취득하는 방법, 시뮬레이션방법 등 다양한 측정방법의 정확성에 대해 실제 사례를 이용해 비교분석하였다. 본 사례연구는 리드프레임이나 패키징용 부품을 생산하는 국내 반도체부품 생산공장을 대상으로 수행하였다.
최근 친환경 자동차로의 적용을 위한 차량용 전력반도체에 대한 연구개발이 활발히 진행되고 있다. 전압, 전류 등의 기본 성능사양은 선진사(社)의 동등 혹은 유사 수준에 도달하였음에도 아직 수명 내구성과 같은 신뢰성 측면에서는 미비한 실정이다. 이에 본 논문에서는 대용량 전력반도체 모듈의 신뢰성 평가 항목 중 하나인 파워 사이클 시험평가를 위한 파워 사이클러 개발에 대해 논한다. 본 기술개발을 통해 개발된 파워사이클러는 기존 고가의 외산 파워 사이클러를 도입하거나 해외 평가기관을 활용해야 했던 국내 전력반도체 모듈 개발업체의 지원이 가능하며, 또한 국산화 개발을 통해 전력반도체 모듈 개발업체의 요구사항을 충분히 반영할 수 있는 맞춤형 파워사이클러 개발이 가능하다. 개발된 장비를 활용하여 전기차용 전력 모듈에 대한 파워사이클 평가를 진행하며, 그 타당성을 검증한다.
펠티어효과가 10여년 전에 발견되었으나 이것을 공학분야에 응용되기 시작한 것은 반도체 재료가 개발되기 시작한 1950년경부터 실용화되기 시작하였다. 이러한 열전식 열펌프를 이용하여 냉 각시스템을 만들 경우 재래식인 기계식 냉동시스템과 비교해 볼 때 여러 가지 장점이 있다. 열전식 냉동방법은 전자가 한 반도체에서 다른 반도체로 이동하면서 그 주위의 열과 함께 이동 하는 원리를 이용한 것이기 때문에 기계식 냉동시스템의 중요한 구성품인 압축기, 증발기, 응 축기, 용매제와 같은 부품이 전혀 필요가 없다. 움직이는 부품이 없기 때문에 소음이 없고 신 뢰성이 높다. 100W 보다 적은 열출력에 대해서는 무게가 적고 부피가 적은 장점이 있다. 또한 습도 제어가 정확하고 전류의 방향만 바꾸워 주면 쉽게 냉동에서 가열로 전환이 된다. 작동습 도범위는 제품에 따라 다르지만 대개 +100.deg.C~ -125.deg. C까지 가능하다. 이러한 장점 때 문에 가장 많이 응용되고 있는 분야는 군사무기인 관성항법유도무기의 전자부품실을 냉각시켜 주는 데 사용되고 그 외에 용도는 다양하다. 본 고에서는 열전식 열펌프의 원리와 그 응용에 대해서 가능한 상세히 설명하여 앞으로 이 분야에 대한 연구에 보템이 되고저 한다.
반도체는 전자시스템의 제어 운용, 정보저장의 기능을 수행하는 핵심부품으로서 휴대폰, 자동차 등 주력산업의 경쟁력을 좌우할 정도로 파급효과가 크다. 중국은 전세계 전자장비 생산이 중국으로 이전되고 있고 중국 내수시장의 급속한 성장에 따라 반도체 산업이 고도성장을 기록하고 있다. 이미 세계 반도체 시장에서 최대의 소비국으로 자리잡고 있고, 파운드리 분야와 팹리스 분야에서 강점을 보이고 있다. 본 고에서는 중국의 반도체 산업을 중국 정부의 반도체 정책, 산업동향 및 특성, 반도체기업 현황을 중심으로 분석하고 우리에게 주는 시사점을 도출하고자 한다.
Currently, semiconductor manufacturing industry heavily relies on a wide range of high global warming potential (GWP) gases, particularly during etching and cleaning processes, and their use and relevant carbon emissions are subject to global rules and regulations for achieving carbon neutrality by 2050. To replace high GWP gases in near future, dry etching using alternative low GWP gases is thus being under intense investigations. In this review, we report a current status and recent progress of the relevant research activities on dry etching processes using a low GWP gas. First, we review the concept of GWP itself and then introduce the difference between high and low GWP gases. Although most of the studies have concentrated on potentially replaceable additive gases such as C4F8, an ultimate solution with a lower GWP for main etching gases including CF4 should be developed; therefore, we provide our own perspective in this regard. Finally, we summarize the advanced dry etch process research with low GWP gases and list up several issues to be considered in future research.
반도체 산업은 21세기 정보화 사회를 선도하는 핵심부품 산업으로 국가의 첨단 산업 발전을 촉진하는 주력산업이다 반도체 산업은 첨단 핵심 부품산업으로써, Timing산업, 고부가가치, 고성장, 고 위험, 기술 집약적 특징을 갖는다. 반도체 라인 건설에는 수 조원의 비용과 수년의 시간이 투입되어야 하므로, 생산 및 설비투자 계획의 옳고 그름에 따라 회사의 생사가 결정될 수 있다. 생산 및 설비투자계획을 세우기 위해선 여러 가지 변수를 적용시켜야 한다. 이에 본 과제에서는 과거의 판매자료를 바탕으로 마련된 패턴을 이용하여 라인의 생산계획 및 설비투자 계획을 수립하고자 한다.
Color conversion layer refers to a layer that converts the blue light emitted from the backlight into the red and green light. Heavy metal-free quantum dots and perovskite nanocrystals have attracted great attention as base materials for color conversion layers due to their outstanding optical characteristics. Here, we review recent advances in the development of color conversion layers based on quantum dots. First, we overview the representative optical characteristics of quantum dots and perovskite nanocrystals, and then introduce printing techniques for color converting layers including photolithography, inkjet printing, and nanoimprinting. Finally, we conclude this review with a brief perspective.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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