• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.436-437
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• 2012

염료감응형 태양전지의 성능을 향상시키기 위해서는 염료에서 여기된 전자가 TiO2 계면을 따라 TCO (Transparent Conductive Oxide)로 이동하지 않고 산화된 염료나 전해질과 재결합하는 것을 차단하는 것, 그리고 염료에 TCO의 전기적 접촉을 차단하는 것 등이 필요하다. 이를 위해 본 연구에서는 TiO2 박막층 위에 차단층 TiO2를 $450^{\circ}C$, $600^{\circ}C$, $700^{\circ}C$에서 각각 소결한 뒤Blocking layer로서의 온도에 따른 상(phase) 변화를 통해 염료감응형 태양전지의 효율 향상에 대해 실험하였다. 기존 염료 감응형 태양전지에 대한 보고에 의하면 $600^{\circ}C$ 이상에서의 상은rutile 상임을 확인할 수 있다. 실험결과 Blocking layer로서의 TiO2를 $750^{\circ}C$에서 $750^{\circ}C$에서 sintering 했을 때, 가장 좋은 전기적 특성을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.270-270
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• 2010

4족 반도체 원소 양자점들은 원소가 가지고 있는 반도체적 성질과, 양자점에서 나타나는 quantum confinements 적인 특성 때문에 전자재료나 광학적 분야, 특히 태양전지 분야에서 그 쓰임이 대두되고 있다. 이러한 4족 반도체 원소의 양자점들을 만들기 위한 여러 방법들이 시도되고 있는데, 그 중에서 특히 절연체 박막에 4족 반도체 원소의 양자점들을 만드는 방법에는 이온주입, PVD, 그리고 CVD 를 통한 multi-layer 증착후 열처리 과정을 반드시 포함하는 Stranski- krastanov 방법이 주로 사용되고 있다. 본 실험에서는 고체원소 이온주입이라는 방법을 통해 절연체 박막의 증착과 이온주입이 한 진공용기 내에서 연속공정으로 이루어 지면서, 별도의 열처리 과정 없이 결정화된 게르마늄 양자점을 만들어 보았다. 이는 (X-ray diffraction) XRD와 Raman spectroscopy로 결정화된 게르마늄을 확인할 수 있었으며, (X-ray photoelectron spectroscopy)XPS 데이터로도 순수한 게르마늄이 표면에서 깊이 방향으로 약 $1,000\;{\AA}$ 만큼 게르마늄 양자점들이 만들어 짐을 알 수 있었다. 마지막으로 (High resolution transmittance electron microscopy) HRTEM으로 그 양자점의 크기와 분포도 그리고 결정성을 알아 보았다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.159-159
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• 2016

세계적으로 대체 에너지는 중요한 이슈가 되고 있으며, 이들 중 열전 재료는 열 에너지를 전기 에너지로 바꿀 수 있는 열전 재료가 각광 받고 있다. 그 중, 박막 형태의 열전 재료는 벌크 형태에 비해 나노 구조화가 용이하여 열전 특성을 향상 시킬 수 있는 잠재력을 지니고 있다. 특히, 박막형 열전 소자는 정밀 온도 제어가 가능하며, 소형화 기기의 응용이 가능하여, 고 직접화 전자 소자의 발열 문제를 해결 할 수 있어 더욱 주목 받고 있다. 박막형 열전소자 중 산화물 반도체계에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이러한 산화물 반도체는 기존의 화합물 반도체인 Pb-Te, Bi-Te 등의 기존의 재료에 비해 낮은 독성을 가진다. 또한, 고온에서 열적 안정성이 우수하여 고온에서 적용 가능하다는 장점을 가진다. 열전재료의 효율은 열전 성능 지수(ZT)와 Power factor(PF)로 평가된다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.1-8
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• 1976

게이트의 길이가 2mm인 GaAb 금속반도체전계치과트랜지스터를 HP8545 자동회로망분석기에 의하여 주파수 1∼2GHz 사이에서 산란계수를 측정하였고, 산란계수의 도움으로 완전한 등가회로를 구현하였다. 본 논문에서는 50Ω의 높은 입출력 Impedance로 정합시키기 위하여 Microstrip을 사용하여 GaAs MESFET증폭기를 개발하였으며 전력이득이 8dB, 정재파비가 1.5보다 적은 결과를 얻었다. Microwave GaAs Metal Semiconductor Field effect Transistors (MESFET) with the gate-length of two micrometers are investigated. The scattering parameters of the transistors have been measured from 1GHz to 2GHz by Hp8545 Automatic network analyzer. From the measured data, an equivalent circuit is established which consists of an ntrinsic and. extrinsic transistor elements. In this paper, GaAb MESFET Amplifier is used in conjunction with conventional microstrip techniques to match into a 50 ohms high input/output impedances system. We found that Power gain is less than 8dB and VSWR is less than 1.5 in L-Band.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권2호
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• pp.81-86
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• 2003

반도체형 압력센서를 이용하여 물이나 화학약품 매질의 압력을 측정하기 위해서는 센서를 보호하기 위한 패키징이 필요하다. 스테인레스 봉입형 압력센서는 SUS316으로 패키지 되어있으며 SUS316은 표면이 다량의 크롬과 니켈을 함유하고 있어 내부식성이 강하고 또한 인성 및 응접성이 양호하여 센서를 분리하는 박막으로 널리 사용된다. 그렇지만 SUS316은 강산과 강알칼리 용매에서는 급격히 부식된다. 따라서 내부식성이 우수한 파리렌 막을 SUS316의 표면에 2000A의 Cu막을 증착한 다음에 5㎛ 두께로 처리함으로써 내화학성이 우수한 압력센서를 제작할 수 있었다, 파리렌 막을 코팅하기 전에 봉입형 압력센서의 정확도는 ±0.5%FSO이었고, 코팅 후의 센서도 동일한 특성을 보여주었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제8권6호
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• pp.797-803
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• 2013

본 논문에서는 플라즈마 중합법에 의해 유기절연막을 제작 후 이를 이용한 유기박막트랜지스터의 특성향상을 위해 반도체박막의 표면처리를 하였다. 그 결과 반도체층의 $O_2$ 플라즈마을 활용하여 30 [sec]동안 표면처리시 박막의 표면에너지는 $38mJ/m^2$값에서 $72mJ/m^2$값으로 증가되었으며, 이에 따른 유기트랜지스터의 이동도는 평균값 기준하여 29% 증가된 $0.057cm^2V^{-1}s^{-1}$의 값으로 증가된 값을 얻을 수 있었다. 이로부터 반도체박막 표면개질에 의한 유기트랜지스터의 이동도 특성향상이 가능함을 알았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권10호
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• pp.731-735
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• 2013

YBCO thin films on $SiO_2$/Si substrate were fabricated by spin-coaing of an alkoxide-derived precursor and heat treatment. The structural and electrical properties of the YBCO films were investigated as functions of annealing temperature at $600{\sim}800^{\circ}C$. Although YBCO single phase was not synthesized, dense films of YBCO matrix phase and minor second phases have been successfully fabricated at the annealing temperatures of $650{\sim}800^{\circ}C$. Thickness and temperature coefficient of resistance (TCR) of YBCO thin films with annealing temperature of $750^{\circ}C$ were 0.31 ${\mu}m$ and $-2.92%/^{\circ}C$, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.153-157
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• 2006

In this work, the effects of plasma treatment on surface properties of semiconductive silicone rubber were investigated in terms of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and contact angles, The adhesion characteristics of semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber were studied by measuring the T-peel strengths, The results of the chemical analysis showed that C-H bonds were broken due to plasma discharge and Silica-like bonds(SiOx, x=3${\~}$4) increased, It is thought that semiconductive silicone rubber surfaces treated with plasma discharge led to an increase in oxygen-containing functional groups, resulting in improving the degree of adhesion of the semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber. However, the oxygen plama for 20 minute produces a damaged oxidized semiconductive silicone rubber layer, which acts as a weak layer producing a decrease in T-peel strength, These results are probably due to the modifications of surface functional groups or polar component of surface free energy of the semiconductive silicone rubber.

• 전자통신동향분석
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• 제29권6호
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• pp.53-62
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• 2014

본고는 최근 화두가 되고 있는 에너지 절감을 위해 고효율, 친환경의 WBG(Wide Band-Gap) 화합물반도체인 SiC(Silicon Carbide), GaN(Gallium Nitride) 전력반도체 소자 및 전력변환 모듈의 기술동향과 ETRI에서 연구개발 진행 중인 GaN 전력반도체 관련 기술에 대해 기술한다. WBG 전력반도체는 기존의 실리콘 전력반도체와 비교하여 열 특성 향상, 고속 스위칭, 고전압/고전류 특성 및 스위칭 손실 최소화 등이 가능하고 이에 따른 시스템의 소형화 및 전력효율 향상 효과를 얻을 수 있다. 특히, GaN 전력반도체 소자는 시장이 가장 넓게 형성되어 있는 900V 이하에 적용이 가능하며, 앞으로 시장이 커질 것으로 예상되는 HEV(Hybrid Electric Vehicle)/EV(Electric Vehicle)의 친환경 자동차에도 활용될 것으로 기대되고 있다. 본고는 최근의 일본과 미국에서의 WBG 전력반도체에 대한 관심 및 투자 방향과 GaN 전력반도체 소자에 대한 해외 기업의 업계동향에 대해서도 함께 살펴본다. 이러한 WBG 전력반도체에 대한 해외 선진업체의 산업동향과 더불어 ETRI에서 연구개발 중인 GaN 전력반도체 기술현황에 대해 전력소자 설계 및 제조공정, 패키징, 전력모듈 설계 제작 기술을 포함하여 기술한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권12호
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• pp.1326-1331
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• 2004

In this paper, we have investigated thermal properties and Impurities content of specimens showing by changing the content of carbon black that is semiconductive materials for underground power transmission. Specimens were made of sheet form with the three of existing resins and the nine of specimens for measurement. Impurities content of specimens was measured by ICPAES(Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectrometer). Heat capacity(ΔH) and melting temperature(Tm) were measured by DSC(Differential Scanning Calorimetry). The ranges of measurement temperature were from $0^{\circ}C$ to 20$0^{\circ}C$, and heating temperature was 4$^{\circ}C$/min. And then thermal diffusivity was measured by LFA 447. The measurement temperature was $25^{\circ}C$. Impurities content was highly measured according to increasing the content of carbon black from ICPAES results. And heat capacity and melting temperature from the DSC results were simultaneously decreased according to increasing the content of carbon black, while thermal diffusivity was increased according to increasing the content of carbon black. Because ionic impurities of carbon black containg Fe, Co, Mn, Al, and Zn were rapidly increasing kinetic energy by vibration of ionic impurities through the applied heat energy.