Electronics and Telecommunications Trends (전자통신동향분석)
- Volume 29 Issue 6
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- Pages.53-62
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- 2014
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- 1225-6455(pISSN)
Trends in Wide Band-gap Semiconductor Power Devices for Automotive, Power Conversion Modules and ETRI GaN Power Technology
자동차용 WBG 전력반도체 및 전력변환 모듈과 ETRI GaN 소자 기술
- Ko, S.C. ;
- Chang, W.J. ;
- Jung, D.Y. ;
- Park, Y.R. ;
- Jun, C.H. ;
- Nam, E.S.
- 고상춘 (GaN 전력소자연구실) ;
- 장우진 (GaN 전력소자연구실) ;
- 정동윤 (GaN 전력소자연구실) ;
- 박영락 (GaN 전력소자연구실) ;
- 전치훈 (GaN 전력소자연구실) ;
- 남은수 (정보통신부품소재연구소)
- Published : 2014.12.01
Abstract
본고는 최근 화두가 되고 있는 에너지 절감을 위해 고효율, 친환경의 WBG(Wide Band-Gap) 화합물반도체인 SiC(Silicon Carbide), GaN(Gallium Nitride) 전력반도체 소자 및 전력변환 모듈의 기술동향과 ETRI에서 연구개발 진행 중인 GaN 전력반도체 관련 기술에 대해 기술한다. WBG 전력반도체는 기존의 실리콘 전력반도체와 비교하여 열 특성 향상, 고속 스위칭, 고전압/고전류 특성 및 스위칭 손실 최소화 등이 가능하고 이에 따른 시스템의 소형화 및 전력효율 향상 효과를 얻을 수 있다. 특히, GaN 전력반도체 소자는 시장이 가장 넓게 형성되어 있는 900V 이하에 적용이 가능하며, 앞으로 시장이 커질 것으로 예상되는 HEV(Hybrid Electric Vehicle)/EV(Electric Vehicle)의 친환경 자동차에도 활용될 것으로 기대되고 있다. 본고는 최근의 일본과 미국에서의 WBG 전력반도체에 대한 관심 및 투자 방향과 GaN 전력반도체 소자에 대한 해외 기업의 업계동향에 대해서도 함께 살펴본다. 이러한 WBG 전력반도체에 대한 해외 선진업체의 산업동향과 더불어 ETRI에서 연구개발 중인 GaN 전력반도체 기술현황에 대해 전력소자 설계 및 제조공정, 패키징, 전력모듈 설계 제작 기술을 포함하여 기술한다.
Keywords