• ETRI Journal
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• 제8권4호
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• pp.28-38
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• 1986

교환기, 컴퓨터 등 고속으로 동작하는 통신 시스팀에 쓰이는 반도체 소자를 제조하기 위한 고속 바이폴라 기술에 대해서 논하고자 한다. 고속으로 동작하는 집적회로를 얻기 위해서는 바이폴라 형태의 소자가 주로 이용되고 있으며, PSA구조에 의한 바이폴라 소자는 미래의 정보화시대에 크게 각광을 받을것으로 주목되고 있다. 그 중에서도 특히 비활성 베이스 영역의 크기를 축소시킨 형태의 PSA바이폴라 소자는 초고속 특성을 나타내므로 많은 관심의 대상이 되고 있다.

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
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• 한국퍼지및지능시스템학회 2000년도 추계학술대회 학술발표 논문집
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• pp.44-48
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• 2000

퍼지 집합은 경계가 애매한 집단, 어떤 제약에 대한 만족정도가 애매한 개체들의 모임, 또는 애매한 개념을 소속정도를 이용하여 표현한다. 퍼지 집합에서는 자신의 나타내는 개념이나 제약에 대해서 무관한 개체나 상반되는 개체에 대해서도 소속정도 값으로 0을 부여한다. 응용에 따라서는 집합이 나타내는 개념이나 제약에 대해서 무관한 것과 상반되는 것을 구별하여 표현하는 것이 유용한 경우도 있다. 이 논문에서는 퍼지 집합에서 소속정도값 0을 갖는 무관한 원소들과 상반되는 원소들을 구별하여 표현하기 위해 소속 정도값의 영역을 구간 [-1, 1]로 확장한 바이폴라 퍼지집합이라는 확장된 퍼지 집합을 소개한다. 한편, 바이폴라 퍼지 집합에 대한 집합연산, 퍼지정도 척도, 관계, 추론 등의 연산에 대해서도 소개한다.

• 전기의세계
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• 제27권6호
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• pp.30-32
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• 1978

1947년 트랜지스터의 발명과 더불어 시작된 반도체산업은 과거 어느 산업분야에서도 볼 수 없었던 초스피드로 발전하여 겨우 30년이 지난 오늘날에는 콩알만한 실리콘 조각위에 전자 계산기를 올려 놓을 수 있을 만큼 발달 되었다. 우리나라에서도 급속히 발전하는 전자산업과 더불어 반도체 부품 생산이 개시되어 본격적인 기반을 구축하고 있다. 현재 국내 유일의 반도체 부품 제조회사이며 바이폴라 트랜지스터를 순국내 기술만으로 개발 1년만에 국내 수요의 20%를 공급하기에 이른 삼성 반도체(주)의 바이폴라 트랜지스터 기술을 살펴본다.

• ETRI Journal
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• 제7권4호
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• pp.11-14
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• 1985

바이폴라 소자로 구성된 회로가 양호한 특성을 갖기 위해서는 개별 소자의 동작 속도, 집적도 및 전력 소비 특성이 좋아야 한다. 그런데 지금까지 주로 사용해온 기존의 SBC 바이폴라 트랜지스터로는 이들 특성을 개선하는 데는 한계가 있었다. 일반적으로 바이폴라 트랜지스터는 면적이 줄어듦에 따라 이들 특성이 개선되므로 본 연구에서는 SBC 방법과는 다른 PSA 공정 방법을 개발하였다. 즉, 소자 격리에서의 종래의 PN 접합에 의한 방법과 다른 산화막에 의한 방법을 도입하였고 또한 에미터, 베이스 사이의 거리를 최소로 줄이기 위하여 다결정 실리콘에 의한 polysilicon self-align 방법으로 에미터 및 베이스를 형성시켰다.

• 멤브레인
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• 제13권3호
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• pp.143-153
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• 2003

본 연구에서는 양이온교환막 표면에 형성된 바이폴라 계면이 물분해 현상에 미치는 영향을 조사하였다. 실험결과, 전기투석 중 막표면에 형성된 고정화된 바이폴라 계면이 심각한 물분해를 유발함을 알 수 있었다. 특히, 고정화된 바이폴라 계면은 다가 양이온이 전해질로 이용되는 전기투석 시스템에서 양이온교환막 표면에 쉽게 형성됨을 알 수 있었다. 낮은 용해도적 상수를 갖는 다가 양이온들은 급격한 물분해를 유발하였는데 이는 이들이 막표면에서 쉽게 수산화물의 형태로 침적되며 따라서 수소-친화 그룹과 수산화-친화 그룹으로 구성된 바이폴라 계면이 막-용액 계면에 형성됨을 알 수 있었다. 따라서 물분해는 막 표면의 금속수산화물 층과 막의 고정전하 그룹간에 발생되는 강한 전기장에 의해 크게 활성화됨을 알수 있다. 또한 이와 유사하게 분자량이 큰 유기 상대이온들이 막표면에 누적되는 경우에도 고정화된 바이폴라 계면이 형성되어 한계전류밀도 이상에서 심각한 물분해를 유발하였다. 따라서 전기투석의 고전류 운전시 효율 향상을 위해서는 막표면에 유발되는 고정화된 바이폴라 계면의 형성을 억제하는 것이 매우 중요함을 알 수 있다.

• ETRI Journal
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• 제14권3호
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• pp.75-96
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• 1992

이중 매몰층, $1.5\mum$ 에피두께, 이중 well, LOCOS 소자격리, LDD MOS 소자와 이중 다결정실리콘 전극을 갖는 바이폴라 소자에 의하여 구성된 BiCMOS 소자를 제작하였다. 제작된 소자를 측정 및 분석한 결과, 31단 CML 바이폴라($A_E=2X8\mum^2$)링 발진기와 31단 CMOS( $A_E=1.25X5\mum^2$) 인버터 링 발진기로부터 94ps/5V 와 330ps/12V의 게이트 전달 지연시간/소자 강복전압을 갖는 바이폴라 및 MOS소자특성을 얻을 수 있었다. 또한 BiCMOS 소자의 경우, 31단 BiCMOS 링 발진기로부터 약 700ps의 게이트 전달 지연시간을 얻었으며, 출력부하의 증가에 따른 속도의 감속비가 완만한 전기적 특성을 얻을 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제30권1호
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• pp.71-78
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• 2023

외부로부터 전원이 인가되지 않은 바이폴라 전극의 정량적 고찰을 통해 도금 두께 산포 개선의 가능성을 살펴보고자 하였다. 헐셀은 양극에 대해 기울어진 음극을 가짐으로써, 음극의 각 영역에서 양극에 대한 경로차에 의한 iR drop의 차이로 음극 근처의 전해액에서는 전위 분포가 다르게 되어 한눈에 다양한 반응 과전압에서의 전기화학적 반응성을 평가할 수 있다. 본 연구는 이러한 헐셀의 불균일한 전위분포에 대해 보조 양극이 있는 경우에 바이폴라 특성을 관찰하고자 하였다. 특히 이러한 바이폴라 특성을 활용하여 음극의 불균일 두께 산포를 개선할 수 있는 가능성을 평가하기 위해, 실험 및 시뮬레이션을 통해 검증하였으며, 이를 통해 바이폴라가 형성된 주변의 전위 및 전류밀도 분포를 분석해 보았다. 10 mA/cm² 전류밀도로 75분동안 도금을 진행하여, 평균 두께가 약 16 ㎛로 도금을 진행하였다. 보조 양극을 사용하지 않은 일반 헐셀에서는 두께의 표준 편차가 10 ㎛인 반면에 보조 양극을 사용한 경우에는 3.5 ㎛로 나타났다. 시뮬레이션 계산에서도 8.9 ㎛와 3.3 ㎛로 나타났으며, 비교적 실험결과와 시뮬레이션 결과의 정합성이 높은 것으로 나타났다. 이러한 보조 양극을 통해 외부에서 전원 인가를 하지 않더라도 바이폴라 현상에 의해 두께 산포가 개선될 수 있음을알 수 있었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2011년도 전력전자학술대회
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• pp.202-203
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• 2011

본 논문에서는 자동차가 전기모터로 주행하다가 배터리가 방전되면 엔진으로 구동할 수 있도록 연결해 주는 클러치 시스템에 적용된 BLDC 모터의 위치제어기를 제안한다. 클러치 시스템에 사용되는 BLDC 모터의 구동은 Hall 센서로부터 검출된 회전자 위치정보를 이용하여 위치제어를 수행하였다. PHEV 시스템에서는 클러치를 엔진과 전기모터로 연결해야 하므로 정확하고 빠른 위치제어를 위해 위치제어기를 적용하였고, 클러치 연결 시 진동을 최소화하기 위해 속도제어기를 사용하여 엔진의 속도와 클러치 모터의 속도를 동기가 되도록 하였다. 또한 위치제어를 하기 전에 클러치의 초기위치를 맞춰 줘야 하므로 모터의 위치정보를 이용하여 속도제어기와 전류제어기로 모터를 일정한 위치로 이동시켰다. BLDC 모터의 전압제어를 위한 PWM 방법은 기존의 바이폴라 PWM 보다 전류리플이 적은 유니폴라 효과를 내는 새로운 바이폴라 PWM 방법을 사용하였다. 제안된 알고리즘은 시뮬레이션과 실험을 통해 검증하였다.

• 전자공학회지
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• 제11권5호
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• pp.58-62
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• 1984

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.99-100
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• 2006

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Insuialed atc Bipolar Transistor : IGBT)는 높은 전류구동 능력과 높은 입력 임피던스 특성으로 인해 대전력 스위칭 소자로 널리 응용되고 있다. 특히, 대용량 모터 구동을 위해 응용되는 경우, 모터의 부하 특성상, 모터의 단락에 의한 단락 회로 (Short-circuit fault) 현상을 비롯한 클램핑 다이오드의 파손으로 인한 unclamped 유도성 부하 스위칭 (UIS) 상황에서 견딜 수 있도록 설계되어야 한다. 이를 위해, 이전 연구를 통해 Floating p-well을 600V급 IGBT에 도입함으로써 UIS 상황에서 IGBT가 견딜 수 있는 에너지(항복 에너지)륵 증가시키고 Floating p-weil 전압을 감지함으로써 단락 회로 상황에서 IGBT가 보호될 수 있도록 보호회로를 제안하고 검증하였다. 그러나 이 보호회로는 수평형 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 (Latcral MOSFET)로 제작됨으로써 보호회로 기능을 수행하기 위해서는 넓은 면적을 요구하였다. 또한, 정상적인 동작 상황에서 오류를 감지 (오류 감지: False detection)하는 동작으로 인해 추가적인 filter를 요구함으로써 보호회로 동작 속도를 감소시켰다. 이러한 단점을 해결하기 위해, 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (Lateral IGBT : LIGBT)를 보호회로에 적용함으로써 LIGBT의 높은 전류 구동능력을 이용하여 기존 보호회로 면적의 30% 수준의 보호회로를 구현하였다. 또한, 구현된 보호회로는 오류 감지 현상을 제거함으로써 보호회로의 동작 속도를 개선하였다. 제안된 보호회로와 1200V급 IGBT는 7장의 마스크를 이용한 표준 수평형 IGBT 공정을 이용하여 제작되었으며, 특히, 전자빔 조사를 이하여 턴오프 속도를 개선함으로써 고속 스위칭에 적합하도록 최적화 되었다.