이 논문에서는 실리콘 기판 등가 회로 모델과 새로운 모델 파라미터 추출 방법을 보인다. 등가 회로 모델을 해석함으로써 회로 블록 사이의 기판 커플링 특성을 고찰하고, 커플링의 크기를 회로 동작 주파수와 특성 주파수(시스템의 폴과 제로 주파수)를 사용하여 분석함으로써 기판 커플링의 물리적 특성을 정량적으로 해석하였다. 제안된 등가회로 모델과 모델 파라미터 추출 방법의 정확성과 타당성을 실험적으로 검증하기 위하여 표준 CMOS 공정을 사용하여 다양한 거리와 기판 저항, 그리고 가드링 구조를 갖는 테스트 패턴을 설계, 제작하고 100 MHz-20 GHz 주파수 영역에서 측정하였다. 그리고 실리콘 기판 등가 회로 모델 을 사용하여 HSPICE를 사용하여 시뮬레이션하고 그 결과를 측정 결과와 비교함으로써 제안된 회로 모델과 파라미터 추출 방법의 정확성을 보였다. 따라서 등가 회로 모델과 파라미터 추출 방법은 정확한 혼성 신호 회로 디자인과 효과적인 시스템의 성능 검증에 유용하게 사용될 수 있다.
배터리의 내부 파라미터는 외부환경 및 동작 영역에 따라 가변적인 특성이 존재한다. 이에 따라 배터리 모델의 추정성능이 결정된다. 본 논문에서는 두 개의 RC-ladder 전기적 등가회로 모델링을 이용하여 휴지구간, 방전구간 및 휴지구간에서 방정식 기반으로 추출한 파라미터의 비교 분석을 실시하고, 등가회로 모델기반으로 검증을 실시하였다.
CMOS 소자의 높은 주파수 특성의 증가로 인하여 높은 주파수 범위에서의 RF와 아날로그 회로 설계가 가능하게 되었다. RF와 아날로그 회로 설계는 실수와 허수의 쌓인 S-파라미터의 특성 분석으로 가능하다. 높은 성능을 활용한 CMOS 기술들은 신뢰도와 밀접한 관계가 있으며, 소자의 열화로 인한 S-파라미터의 변화가 소신호 모델 파라미터들에 미치는 영향을 정확하게 분석하는데 매우 중요하다. S-파라미터의 열화로 인한 다양한 물리적인 현상들 특히 트랜스컨덕턴스와 게이트 커패시턴스의 성능 저하를 자세히 분석하였다. 측정에 사용된 H-gate와 T-gate 소자의 S-파라미터를 0.5GHz에서 40GHz 주파수 범위에서 측정하였으며, 소자의 모든 내부와 외부 파라미터들은 포화영역인 하나의 전압 조건에서 추출하였다. 이 논문은 게이트 구조가 다른 소자에 스트레스를 인가하여 소신호 등가 모델을 추출하였으며, 파라미터들의 변화를 비교 분석한 것이다.
본 논문에서는 전송선의 정확한 고주파 특성화를 위해 실험적 접근을 기반으로 한 회로모델을 제안한다. 측정 시 불가피하게 발생하는 공진현상으로 인하여 배선의 길이에 상응하는 공진주파수에서 특성 임피던스 및 전파상수를 정확히 결정하기 어렵다. 따라서 물리적 통찰 및 이론을 바탕으로 이러한 공진효과가 배제된 전송선 파라미터 결정 방법이 제시되었다. 또한 고속신호의 전파 특성화를 위해 실험적으로 결정된 파라미터를 사용한 고주파 회로모델이 제안되었다. 본 논문에서 제안한 주파수 종속 전송선 파라미터 모델은 측정을 통해 검증되었으며, 고속 신호의 전파 특성화에 유용하게 적용될 수 있다.
본 논문에서는 스펙트럼 분석기를 이용하여 잡음 파라미터를 측정하는 2가지 방법을 제안하였다. 제안된 첫 번째 방법은 6-포트 회로망을 이용하여 잡음상관행렬을 측정하고, 이를 통해 잡음파라미터를 결정하는 방법이다. 그리고 제안된 두 번째 방법은 전원 임피던스의 변화에 따른 DUT의 잡음지수를 직접 측정하고, 이를 통해 잡음파라미터를 추출하는 방법이다. 전원 임피던스의 변화에 따른 잡음지수를 측정을 위해 스펙트럼 분석기를 이용, 임의의 전원 임피던스를 갖는 DUT의 잡음지수를 측정하는 방법과 전원 임피던스의 변화를 위해 사용한 임피던스 튜너가 DUT에 주는 잡음영향을 제거하는 방법을 보였다. 제안된 2가지의 방법으로 수동 및 능동 DUT에 대한 잡음파라미터를 측정하였고, 이를 비교하였다. 비교 결과, 2가지 방법에 대한 잡음 파라미터 결과가 일치하였다. 2가지 방법의 잡음 파라미터 결과가 일치하는 것은 6-포트 회로망으로 측정된 잡음파라미터가 전원 임피던스의 변화에 따라 측정된 DUT의 잡음지수를 정확히 예측한다는 것을 의미하며, 이를 통해 6-포트 회로망으로 측정된 잡음 파라미터 결과가 검증되었다.
본 논문에서 반도체 소자에 대한 DC 파라미터 검사를 위한 회로를 설계하였다. DC 파라미터 검사기는 반도체 소자의 DC 특성을 검사하는 시스템 이다. 본 논문에서 설계한 회로에서는 파라미터를 검사하기 위해 전압(전류)인가 전류(전압)측정 방법을 사용하도록 회로를 설계하였다. 설계한 회로를 OR-CAD를 사용하여 실험하였으며, 설계된 회로의 실험결과를 통해 좋은 성능을 가짐을 알 수 있었다.
The realization by many industrial countries that manufacturing is a critical ingredient for attaining economic strength and stability has led to the development of automated systems which were proviously considered as gimmicks. The adaptive skill of the human operator is now being simulated and reproduced by computer that have become more powerful and less expensive. The work presented in this paper forms an investigation of the effects of dynamic viscosity and load of hydraulic oil an pressures with three different circuit(meter-in, meter-out and bleed off). The experimental results showed that pressures increase with an increase in dynamic viscosity and load in bleed off circuit, but there is no variation of pressure in meter-In meter-out circuit.
신경회로망 기술은 다양한 공학적 및 과학적 문제에 적용되어 왔으며 복잡한 동특성을 갖는 시스템의 모델링에 특히 효율적인 것으로 알려져 있다. 신경회로망 학습은 신경회로망의 가중치 및 바이러스로서 주어지는 파라미터 벡터의 요소를 주어진 목적함수를 최소화하는 최적의 값으로 추정하는 연산과정을 의미한다. 따라서 신경회로망 파라미터 학습은 전체시스템의 성능을 직접적으로 좌우하는 매우 중요한 단계라 할 수 있으며 일반적으로 파라미터의 수정규칙 알고리즘을 도출한다. 이러한 수정규칙은 주로 최적화 기법을 적용하며 경사함수(gradient function)를 포함한다. 최근에는 이러한 경사함수를 포함하지 않는 학습 알고리즘이 많이 개발되고 있으며 특히 칼만 필터링 이론을 접목한 미분 신경회로망의 학습 알고리즘이 최근에 발표되었다.
본 논문에서는 접지면에 스파이럴 형태로 식각된 패턴을 갖는 DGS (Defected Ground Structure) 전송선로가 제시되었다. 제시된 스파이럴 DGS 회로에 대한 새로운 등가회로 모델을 제안하였고 등가회로의 각 파라미터는 EM-시뮬레이션과 DGS의 공진 특성 조건식으로부터 유도하였다. 스파이럴 DGS의 등가회로는 λ/2 단락 전송선로와 병렬로 연결된 인턱터로 구성된 비교적 간단한 구조로 제시되었다. 등가회로의 각 파라미터를 추출하고 기존의 아령 형태의 DGS 회로와 특성을 비교하여 장단점에 따른 그 응용성을 고찰하였다.
GHz에서 동작하는 초미세 MOSFET의 BSIM3 MOSFET 모델에 연결하여 사용할 수 있는 기판 회로망 모델과 그에 따른 물리적 의미를 가지는 직접 파라미터 추출법이 제안되었다. 제안된 기판 회로망에는 관례적인 저항과 링-형태의 기판콘택에 의해 생성된 단일의 인덕터가 포함되었다. 모델 파라미터는 최적화 과정 없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정된 S-파라미터로부터 추출되었다. 제안된 모델링 기술은 다양한 크기의 MOS 트랜지스터에 적용되었고, 30GHz까지 그 타당성이 검증되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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