• 건축사
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• 3호통권121호
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• pp.68-88
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• 1979

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1998년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.606-611
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• 1998

330MWt 출력의 신형 원자로인 SMART(System integrated Mod씰w Advanced ReacTor)가 전기 생산뿐만 아니라 해수의 담수화를 위한 에너지 공급을 위해 한국원자력연구소에 의해 개발되고 있다. SMART의 원자로 압력용기에서의 중성자 조사량을 기존의 각분할법 코드 대신에 몬데칼로 수송 코드인 MCNP-4A를 이용하여 평가하였다. MCNP-4A에 의한 몬데 칼로 모사는 각분할법에 비해 핵 단면적 자료, 선원항, 그리고 기하학적 모델링의 문제로부터 야기되는 불확실성을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 초기 개념 설계 단계에서 상세 노심 출력 분포 자료에 의존하지 않고 선원항을 평가할 수 있는 장점이 있다. 본 연구에서는 원자로 압력 용기 내부의 원자로 노심 및 다른 구조물을 포함하는 전체 원자로 구조에 대하여 몬테 칼로 모사를 적용하였다. 1단계에서는 임계도 계산에 의해 선원항으로 이용되는 원자로 노심내의 열 출력 분포를 평가하고, 2단계에서는 노심내의 열 출력 분포를 고정 선원으로 이용하여 압력 용기에서의 중성자 조사량을평가하였다. 그 결과 SMART 압력용기의 중성자 조사량은 규제 요건을 만족하는 것으로 나타났다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1995년도 추계학술발표회논문집(2)
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• pp.931-936
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• 1995

서울시 중심부 300m 상공에서 약 22kT의 플루토늄 원폭이 폭발했을 때를 가정하고 폭발시 나오는 초기 방사선에 의한 선량을 계산하였다. 계산을 위하여 몬테칼로 코드인 MCNP4A를 이용하였으며 방사선의 위해도를 알아보기 위하여 선량당량으로 환산 하였다. 계산 결과 가까운 거리에서는 평균자유행로가 짧은 중성자에 의한 선량이 높게 나왔으나 거리가 멀어질수록 감마선에 의한 영향이 더 큰 것으로 나타났다.

• 한국시뮬레이션학회:학술대회논문집
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• 한국시뮬레이션학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.6-10
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• 2000

In regression model we estimate the unknown parameters using various methods. There are the least squares method which is the most general, the least absolute deviation, the regression quantile and the asymmetric least squares method. In this paper, we will compare each others with two case: to begin with the theoretical comparison in the asymptotic sense, and then the practical comparison using Monte Carlo simulation for a small sample size.

• 자원ㆍ환경경제연구
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• 제12권4호
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• pp.545-557
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• 2003

양분형 조건부가치평가모형의 준모수적 추정 방법을 소위 회귀함수 1차 도함수의 밀도가중평균(density weighted average derivative or regression function) 추정을 응용하여 제안한다. 논문에서 제안된 준모수 추정량의 소표본 특성은 몬데칼로 시뮬레이션 결과를 제시함으로써 간접적으로 나타난다. 또 추정량을 동강보존을 위한 지불용의액을 조사한 조건부가치평가자료에 실제 적용함으로써 현실 적용 가능성을 보여준다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1993년도 추계학술대회 논문집
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• pp.134-136
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• 1993

Microelectronic fabrication technology .is based on the use of lithsgraphy to create small linewidths and patterns that make up ULSI. In previous papers, we discussed the theoretically calculated values such as ion range, ion concentration,ion transmission coefficient and the defocused ion beam-induced characteristics in a-Se$_{75}$Ge$_{25}$. In this paper, the typical Monte Carlo (MC) simulation results and p개cedures for the focused ion beam lithography were presented. The interaction and scattering of ions with the resist depend on the beam energy, impact parameter arid resist parameters. For ion exposure simulations, the quantity of interest is the spatial distribution of energy deposited by ions in the resist due to interaction phenomena with resist ions.s.s.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.131-135
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• 1989

Hot electron simulation of silicon using Monte Carlo method was carried out to investigate impact ionization characteristics near the drain of MOSFET's at 77 and 300K. We successfully characterized drift velocity and impact ionization at 77 and 300K employing a simplified energy band structure and phonon scattering mechanisms. Woods' soft energy threshold model was introduced to the Monte Carlo simulation of impact ionization, and good agreement with reported experimental results was resulted by employing threshold energy of 1.7 eV. It is suggested that the choice of the critical angle between specular reflection and diffusive scattering of surface roughness scattering may be important in determining the impact ionization charateristics of Monte Carlo simulation near the drain of MOSFET's.

• 품질경영학회지
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• 제9권1호
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• pp.3-11
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• 1981

동일한 부품 K개를 갖고 있으며, 그 중에서 S개 이상의 스트렝스(strength)가 스트레스(stress) 보다 크게 될 경우 신뢰성이 유지되는 시스템에서 스트레스와 스트렝스가 모두 와이블(weibull) 분포를 하고 있을 때의 시스템 신뢰성을 고찰하였다. 2 절에서는 시스템 신뢰성의 최소분산불편추정량(MVU estimator)을 구하였고, 3 절에서는 최소분산불편추정량의 점근분포(asymototic distribution)를 구하고 표본크기가 클때 시스템 신뢰성의 최소분산불편추정량과 최우추정량(MLE)과의 관계를 구하였으며, 4 절에서는 시스템 신뢰성의 일양최적불편신뢰구간(uniformly most accurate unbiased confidence interval) 을 구하였고, 5 절에서는 몬데 카를로 씨뮤레이션(Monte Carlo Simulation)을 사용하여 작은 표본에서의 최우추정량과 최소분산불편추정량의 편기(bias)와 평균자승오차(MSE)를 비교하였고 6 절에서는 결과를 간단히 요약하고 본 논문을 더 확장할 경우에 문제점을 제시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1246-1249
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• 1994

Thin amorphous film of $a-Se_{75}Ge_{25}$ acts as a positive resist in ion beam lithography. Previously, we reported the optical characteristics of amorphous $Se_{75}Ge_{25}$ thin film by the low-energy ion beam exposure and presented analytically calculated values such as ion range, ion concentration and ion transmission coefficient, etc. As the calculated results of analytical calculation, the energy loss per unit distance by $Ga^+$ ion is about $10^3[keV/{\mu}m]$ and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80 [KeV] $Ga^+$ ion energy are 0.0425[${\mu}m$] and 0.020[${\mu}m$], respectively. Hear, we present the results of Monte-Carlo computer simulation of Ga ion scattering, exposure and development in $a-Se_{75}Ge_{25}$ resist film for focused ion beam(FIB) lithography. Monte-Carlo method is based on the simulation of individual particles through their successive collisions with resist atoms. By the summation of the scattering events occurring in a large number N(N>10000) of simulated trajectories within the resist, the distribution for the range parameters is obtained. Also, the deposited energy density and the development pattern by a Gaussian or a rectangular ion beam exposure can be obtained.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권5호
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• pp.23-36
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• 2004

밀리미터파 대역용 고속 HEMT 소자 제작 및 개발을 위하여 0.l㎛ 이하의 T-게이트 길이를 형성하기 위한 전자빔 리소그래피 공정을 분석할 수 있는 새로운 몬테 카를로 시뮬레이터를 개발하였다. 전자빔에 의한 노광 공정 모델링을 위해 전자산란에 대한 몬데 카를로 시뮬레이션에서 다층 리지스트 및 다원자 타겟 기판 구조에서 리지스트에 전이되는 에너지를 효율적으로 계산하도록 내부 쉘 전자 산란과 에너지 손실에 대해 새로이 모델링하였다. 다층 리지스트 구조에서 T-게이트 형상을 얻기 위해서 보통은 재현성 문제로 각 리지스트에 대해 각기 다른 현상액을 사용하게 되는데, 3층 리지스트 구조에서의 전자빔 리소그래피 공정을 정확하게 시뮬레이션하기 위해 각기 다른 현상 모델을 적용하였다. 본 논문에서 제안 개발된 모델을 사용하여 HEMT 소자의 전자빔 리소그래피에 의한 0.l㎛ T-게이트 형성 공정을 시뮬레이션하고 SEM 측정 결과와 비교하여 T-게이트 형성 공정을 분석하였다.